GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) 2.7 2.3 2.7 2.4 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 (3.2) (R 2.8) 4.8 4.4 2.05 R 1.95 SFH 4580 SFH 4585 14.7 13.1 (3.2) -0.1...0.1 3.7 3.3 6.0 5.4 GEO06960 2.54 mm spacing Cathode 4.5 3.9 7.7 7.1 2.05 R 1.95 (R 2.8) 4.8 4.4 7.4 (3.2) 2.7 2.4 Chip position 4.5 3.9 8.0 6.0 5.4 2.54 mm spacing Cathode (3.2) -0.15...0..15 15.5 14.7 GEO06961 4.5 3.9 7.7 7.1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Für Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/ SFH 2505 ● Hohe Zuverlässigkeit ● Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Anwendungen ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern ● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● ● ● ● Fabricated in a liquid phase epitaxy process Suitable for surface mounting (SMT) Available on tape and reel Same package as photodiode SFH 2500/ SFH 2505 ● High reliability ● Spectral match with silicon photodetectors ● ● ● ● Applications ● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers ● Remote control for steady and varying intensity Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 4580 on request SFH 4585 on request 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), klares violettes EpoxyGießharz, Anschlüsse (SFH 4580 gebogen, SFH 4585 gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung. 5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4580 bent, SFH 4585 straight) lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see package outline. Semiconductor Group 2 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm RthJA 375 K/W Semiconductor Group 3 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel Spectral bandwidth at 50 % of Irel IF = 100 m A ∆λ 80 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 15 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.4 × 0.4 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H 4.2 ... 4.8 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.6/0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.50 (≤ 1.8) 3.00 (≤ 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Semiconductor Group 4 Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ 0.25 nm/K Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min ≥ 25 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ 225 mW/sr Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF00300 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity OHR00877 100 Ι rel Ιe Ι e (100mA) % Ι F mA 10 1 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 0 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter OHR00886 10 4 OHR00881 10 1 mA A OHR00880 125 80 0 750 ΙF OHR00878 10 2 Max. permissible forward current IF = f (TA) 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 °C OHR00949 120 mA ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 Ι F 100 10 3 0.1 0.2 80 10 -1 60 0.5 10 2 10 DC 40 -2 D= 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Group V VF 8 tp T tp 20 ΙF T 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 6 10 1 s 10 2 tp 0 0 5 10 15 20 25 mm 30 1998-11-12