2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 0 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR- ● ● ● ● ● ● ● Radiation without IR in the visible red range Cathode is electrically connected to the case Very high efficiency High reliability Short switching time Same package as BP 103, LD 242 DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG ● Component subjected to aperture measurement (E 7800) Anteil ● Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Kurze Schaltzeiten Gehäusegleich mit BP 103, LD 242 Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG Lochblendenvermessenes Bauteil (E 7800) Anwendungen ● ● ● ● ● ● Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● Fiber optic transmission Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz ● LWL Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 464 E7800 Q62702-Q1745 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at package bottom Semiconductor Group 1 1998-07-15 SFH 464 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 1 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 140 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Semiconductor Group 2 1998-07-15 SFH 464 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA, tp = 20 ms λpeak 660 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 50 m A ∆λ 25 nm Abstrahlwinkel1) Half angle1) ϕ ± 23 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.106 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.325 × 0.325 mm Abstand Chipoberfläche bis Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.3 ... 0.7 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω tr, tf 100 ns Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz Capacitance Co 30 pF Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 ms Forward voltage VF 2.1 (≤ 2.8) V Sperrstrom, VR = 3 V Reverse current IR 0.01 (≤ 10) µA Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms Φe Total radiant flux 11 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 50 mA TCI – 0.4 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA TCV –3 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 50 mA Temperature coefficient of λ, IF = 50 mA TCλ + 0.16 nm/K 1) 1) Fuβnote siehe nächste Seite Semiconductor Group 3 Footnote see next page 1998-07-15 SFH 464 Strahlstärke Ie in Achsrichtung1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction1) at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstärke1) Radiant intensity1) IF = 50 mA, tp = 20 ms Ie ≥1 mW/sr 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 0.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Semiconductor Group 4 1998-07-15 SFH 464 Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Ie Ie 50 mA = f (IF) Single pulse, tp = 20 µs OHR01869 100 10 2 A Ι rel % OHR01870 OHR01462 120 Ι F mA Ιe Ι e 50 mA 80 Max. permissible forward current IF = f (TC), RthJC = 160 K/W 100 10 1 80 60 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 0 600 650 700 nm λ 10 -2 750 10 0 ΙF 10 2 10 3 mA ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs OHR01871 10 3 mA 10 1 ΙF OHR01872 10 4 mA tP D= ΙF 0.1 20 40 60 80 ˚C 100 TA Max. permissible forward current IF = f (TA), RthJA = 450 K/W OHR01461 120 Ι F mA 80 60 0.2 10 2 0.5 10 1 0 100 T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 10 3 10 2 tP T 0 40 DC 20 10 0 0 2 4 6 8 10 1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 V 10 VF 30 0 0 20 40 tP Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 10 1 s 20 10 1) 60 80 ˚C 100 TA (Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page) 0 ϕ OHR01457 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 1998-07-15