GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 0 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 GET06091 Chip position (2.7) 5.5 5.0 ø4.8 ø4.6 ø0.45 Radiant sensitive area 1.1 .9 0 1.1 0.9 14.5 12.5 5.3 5.0 2.54 spacing Approx. weight 0.35 g fet06091 (2.7) ø0.45 GEO06314 fet06090 ø5.6 ø5.3 1 0.9 .1 Radiant Sensitive area 1.1 .9 0 ø4.8 ø4.6 ø0.45 2.54mm spacing Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) SFH 480 SFH 481 SFH 482 ø5.6 ø5.3 GET06013 fet06092 Cathode (SFH 402, BPX 65) Anode (SFH 482) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Wesentliche Merkmale ● Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren ● Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden ● Hohe Zuverlässigkeit ● Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger ● Hermetisch dichtes Metallgehäuse ● SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216 ● SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43, BPY 63 ● SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● IR-Gerätefernsteuerungen Features ● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● Anode is electrically connected to the case ● High reliability ● Matches all Si-Photodetectors ● Hermetically sealed package ● SFH 480: Same package as SFH 216 ● SFH 481: Same package as BPX 43, BPY 63 ● SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65 Applications ● Photointerrupters ● IR remote control of various equipmet Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 480-2 Q62703-Q1662 SFH 480-3 Q62703-Q1663 SFH 481 Q62703-Q1088 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mmRaster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden SFH 481-1 Q62703-Q1664 SFH 481-2 Q62703-Q1665 SFH 482 Q62703-Q1089 SFH 482-1 Q62703-Q1667 SFH 482-2 Q62703-Q1668 SFH 482-3 Q62703-Q1669 18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projection at package SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186 Semiconductor Group 2 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Grenzwerte (TC = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 481: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C SFH 480, SFH 482: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 125 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 200 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 470 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA ∆λ 80 nm ϕ ϕ ϕ ±6 ± 15 ± 30 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Semiconductor Group 3 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Abstrahlwinkel Half angle SFH 480 SFH 481 SFH 482 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.4 × 0.4 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 480 SFH 481 SFH 482 H H H 4.0 ... 4.8 2.8 ... 3.7 2.1 ... 2.7 mm mm mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.6/0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.50 (≤ 1.8) 3.00 (≤ 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 12 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ + 0.25 nm/K Semiconductor Group 4 Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 480-2 SFH 480-3 SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max 40 – 63 – 10 – 10 20 16 – mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 540 630 220 130 220 mW/sr Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 482 SFH 482-1 SFH 482-2 SFH 482-3 SFH 482-M E 78001) Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max 3.15 – 3.15 6.3 5 10 8 – 1.6 ... 3.2 – mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs – 40 65 80 – mW/sr 1) 1) Ie typ. Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Semiconductor Group 5 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Radiation characteristics, SFH 480 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 OHR01888 ϕ 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation characteristics, SFH 481 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01889 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation characteristics, SFH 482 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01890 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 6 100 120 1998-04-16 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Single pulse, tp = 20 µs OHR00877 100 Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR00878 10 2 Ιe Ι e (100mA) % OHR00946 240 Ι F mA 200 10 1 80 Max. permissible forward current SFH 481, IF = f (TA, TC) R thJC = 160 K/W 160 10 0 60 120 10 40 -1 R thJA = 450 K/W 80 10 -2 20 0 750 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ ΙF 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs OHR00881 10 1 40 10 4 OHR00948 tp Ι F mA 5 A 10 0 tp D= T D = 0.005 0.01 0.02 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T A,T C Max. permissible forward current SFH 480, SFH 482, IF = f (TA, TC) OHR00396 240 Ι F mA 200 T 160 R thJC = 160 K/W 0.05 10 -1 10 3 0.1 120 0.2 5 10 -2 R thJA = 450 K/W 80 0.5 40 DC 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 Semiconductor Group V VF 8 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 7 10 -2 10 -1 s 10 0 tp 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 130 T A,T C 1998-04-16