ZPY1 ... ZPY200 (1.3 W) ZPY1 ... ZPY200 (1.3 W) Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Version 2011-10-05 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung -0.1 5.1-0.1 Type +0.5 62.5 -2.5 Ø 2.6 Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] 1.3 W Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung 1...200 V Plastic case – Kunststoffgehäuse DO-41 Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g Marking: Stempelung: “Z“ plus Zenervoltage „Z“ plus Zenerspannung Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte ZPY-series Power dissipation Verlustleistung TA = 50°C Ptot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms TA = 25°C PZSM 40 W 1) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA <45 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL <15 K/W Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite 23 1 2 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen The ZPY1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”. The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole. Die ZPY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index “F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden. © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ZPY1 ... ZPY200 (1.3 W) Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte (Tj = 25°C unless otherwise specified) Type Typ Zener voltage 2) Zener-Spannung 2) IZ = IZtest (Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert) Test current Meßstrom Dynamic resistance Diff. Widerstand IZtest / f = 1 kHz Temp. Coeffic. of Z-voltage …der Z-Spannung Reverse volt. Sperrspanng. IR = 1 μA Z-current 1) Z-Strom 1) TA = 50°C Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA] ZPY1 ) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) –26…–16 – 1000 ZPY5.6 5.2 6.0 100 1 (<3) –3…+5 > 0.5 / 3 µA 217 ZPY6.2 5.8 6.6 100 1 (<2) –1…+6 > 1.5 197 ZPY6.8 6.4 7.2 100 1 (<2) 0…+7 >2 181 ZPY7.5 7.0 7.9 100 1 (<2) 0…+7 >2 165 ZPY8.2 7.7 8.7 100 1 (<2) +3…+8 > 3.5 149 ZPY9.1 8.5 9.6 50 2 (<4) +3…+8 > 3.5 135 ZPY10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5…+9 >5 123 ZPY11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5…+10 >5 112 ZPY12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5…+10 >7 102 ZPY13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5…+10 >7 92 ZPY15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5…+10 > 10 83 ZPY16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 76 ZPY18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 68 ZPY20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6…+11 > 10 61 ZPY22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6…+11 > 12 56 ZPY24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6…+11 > 12 51 ZPY27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6…+11 > 14 45 ZPY30 28 32 25 8 (<15) +6…+11 > 14 41 ZPY33 31 35 25 8 (<15) +6…+11 > 17 37 ZPY36 34 38 10 16 (<40) +6…+11 > 17 34 ZPY39 37 41 10 20 (<40) +6…+11 > 20 32 ZPY43 40 46 10 24 (<45) +7…+12 > 20 28 ZPY47 44 50 10 24 (<45) +7…+12 > 24 26 ZPY51 48 54 10 25 (<60) +7…+12 > 24 24 ZPY56 52 60 10 25 (<60) +7…+12 > 28 22 ZPY62 58 66 10 25 (<80) +8…+13 > 28 20 ZPY68 64 72 10 25 (<80) +8…+13 > 34 18 ZPY75 70 79 10 30 (<100) +8…+13 > 34 16 ZPY82 77 88 10 30 (<100) +8…+13 > 41 15 ZPY91 85 96 5 40 (<200) +9…+13 > 41 14 ZPY100 94 106 5 60 (<200) +9…+13 > 50 12 ZPY110 104 116 5 80 (<250) +9…+13 > 50 11 ZPY120 114 127 5 80 (<250) +9…+13 > 60 10 ZPY130 124 141 5 90 (<300) +9…+13 > 60 9 ZPY150 138 156 5 100 (<300) +9…+13 > 75 8 ZPY160 153 171 5 110 (<350) +9…+13 > 75 8 ZPY180 168 191 5 120 (<350) +9…+13 > 90 7 ZPY200 188 212 5 150 (<350) +9…+13 > 90 6 3 1 2 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG ZPY1 ... ZPY200 (1.3 W) 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF Ptot 0 0 TA 100 50 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1 ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1 ) Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] 30a-(1a-1.1v) 10-2 0.4 VF 1.0 0.8 VR = 4V [V] 1.8 150 1 Tj = 25°C 5,6 [mA] VR = 0V 1.4 1.2 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 6,2 IZT 100 8,2 6,8 IZmax 9,1 7,5 50 VR = 20V IZ VR = 40V IZ = 5 mA Cj 0 [V] VZ 0 4 5 7 VZ 2 3 6 8 Typical breakdown characteristic – tested with pulses Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen [V] 10 Junction capacitance vs. zener voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.) 50 [K/W] 50 10 18 24 30 36 43 51 56 62 68 75 82 91 100 40 IZmax 30 20 Tj = 25°C IZT L 10 RthL 0 Typical breakdown characteristic – tested with pulses Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen 0 L 4 8 12 [mm] Typ. thermal resistance vs lead length Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3