ZY1 ... ZY200 (2 W) ZY1 ... ZY200 (2 W) Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Version 2011-10-17 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung -0.1 Ø 2.6 2W Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung 1...200 V 5.1-0.1 Type +0.5 62.5 -2.5 Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Marking: Stempelung: Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] DO-41 DO-204AL 0.4 g “Z“ plus Zenervoltage „Z“ plus Zenerspannung Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pak Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte ZY-series Power dissipation Verlustleistung TA = 50°C Ptot 2 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms TA = 25°C PZSM 60 W Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL < 15 K/W Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite 23 1 2 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen The ZY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”. The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole. Die ZY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index “F” anstatt “Z” zu setzen. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden. © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ZY1 ... ZY200 (2 W) Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte (TA = 25°C unless otherwise specified) Type Typ Zener voltage 2) Zener-Spannung 2) IZ = IZtest (TA = 25°C wenn nicht anders spezifiziert) Test current Meßstrom Dynamic resistance Diff. Widerstand IZtest / f = 1 kHz Temp. Coeffic. of Z-voltage …der Z-Spannung Reverse volt. Sperrspanng. IR = 1 μA Z-current 1) Z-Strom 1) TA = 50°C Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA] ZY1 ) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) –26…–16 – 1500 ZY5.6 5.2 6.0 100 1 (<3) –3…+5 > 0.5 / 3 µA 333 ZY6.2 5.8 6.6 100 1 (<2) –1…+6 > 1.5 303 ZY6.8 6.4 7.2 100 1 (<2) 0…+7 >2 278 ZY7.5 7.0 7.9 100 1 (<2) 0…+7 >2 253 ZY8.2 7.7 8.7 100 1 (<2) +3…+8 > 3.5 230 ZY9.1 8.5 9.6 50 2 (<4) +3…+8 > 3.5 208 ZY10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5…+9 >5 189 ZY11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5…+10 >5 172 ZY12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5…+10 >7 157 ZY13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5…+10 >7 142 ZY15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5…+10 > 10 128 ZY16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 117 ZY18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 105 ZY20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6…+11 > 10 94 ZY22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6…+11 > 12 86 ZY24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6…+11 > 12 78 ZY27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6…+11 > 14 69 ZY30 28 32 25 8 (<15) +6…+11 > 14 63 ZY33 31 35 25 8 (<15) +6…+11 > 17 57 ZY36 34 38 10 16 (<40) +6…+11 > 17 53 ZY39 37 41 10 20 (<40) +6…+11 > 20 49 ZY43 40 46 10 24 (<45) +7…+12 > 20 43 ZY47 44 50 10 24 (<45) +7…+12 > 24 40 ZY51 48 54 10 25 (<60) +7…+12 > 24 37 ZY56 52 60 10 25 (<60) +7…+12 > 28 33 ZY62 58 66 10 25 (<80) +8…+13 > 28 30 ZY68 64 72 10 25 (<80) +8…+13 > 34 28 ZY75 70 79 10 30 (<100) +8…+13 > 34 25 ZY82 77 88 10 30 (<100) +8…+13 > 41 23 ZY91 85 96 5 40 (<200) +9…+13 > 41 21 ZY100 94 106 5 60 (<200) +9…+13 > 50 19 ZY110 104 116 5 80 (<250) +9…+13 > 50 17 ZY120 114 127 5 80 (<250) +9…+13 > 60 16 ZY130 124 141 5 90 (<300) +9…+13 > 60 14 ZY150 138 156 5 100 (<300) +9…+13 > 75 13 ZY160 153 171 5 110 (<350) +9…+13 > 75 12 ZY180 168 191 5 120 (<350) +9…+13 > 90 10 ZY200 188 212 5 150 (<350) +9…+13 > 90 9 3 1 2 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG ZY1 ... ZY200 (2 W) 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF Ptot 0 0 TA 100 50 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1 ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1 ) Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] 30a-(1a-1.1v) 10-2 0.4 VF 1.0 0.8 VR = 4V [V] 1.8 150 1 Tj = 25°C 5,6 [mA] VR = 0V 1.4 1.2 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 6,2 IZT 100 8,2 6,8 IZmax 9,1 7,5 50 VR = 20V IZ VR = 40V IZ = 5 mA Cj 0 [V] VZ 0 4 5 7 VZ 2 3 6 8 Typical breakdown characteristic – tested with pulses Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen [V] 10 Junction capacitance vs. zener voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.) 50 [K/W] 50 10 18 24 30 36 43 51 56 62 68 75 82 91 100 40 IZmax 30 20 Tj = 25°C IZT L 10 RthL 0 Typical breakdown characteristic – tested with pulses Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen 0 L 4 8 12 [mm] Typ. thermal resistance vs lead length Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3