F11K120 F11K120 Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2013-12-06 11 A Stand off voltage Sperrspannung 120 V Plastic case Kunststoffgehäuse 7.5 ±0.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 5.4 ±0.1 Nominal current Nennstrom Ø 5.4 x 7.5 [mm] (~ DO-201) Weight approx. – Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2 ±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Sperr-Belastbarkeit Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type Typ F11K120 Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] VWM [V] ID [µA] VBR min [V] @ IT [mA] IF = 5A IF = 11A 120 5 130 5 < 0.97 < 1.10 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TL = 50°C IFAV 11 A 1) Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb TA = 50°C Ptot 5W Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 50 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 250/280 A Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 10/1000µs pulse 2) TA = 25°C PPPM Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung 8/20µs pulse 3) TA = 25°C IPPM 100 A TA = 25°C i2t 200 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms 1 2 3 700 W Valid, if leads are kept at TL at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf TL gehalten werden See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 F11K120 Characteristics Kennwerte Hot leakage current – Heiß-Sperrstrom Tj = 100°C VR = VWM ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A IR < 100 µA 20 kV trr < 350 ns Thermal resistance junction to ambient air – Wärmewiderst. Sperrschicht – umg. Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderst. Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 10 K/W 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 2 10 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 10-1 0 0 TC 100 50 150 [°C] 250a-(7.5a-1,05v) 0.4 VF tr = 10 µs 100 [%] [%] 80 80 60 IPPM/2 PPPM/2 40 2 1.4 [V] 1.8 PPPM/2 IPP 20 20 PPP PPP tP 0 t 1 2 3 0 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 1.2 IPPM/2 40 IPP 0 1.0 tr = 8 µs 100 60 0.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses tP 0 t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG