BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm ● Hohe Linearität ● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C1) ● Gruppiert lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 450 nm to 1120 nm ● High linearity ● Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection, suitable up to 125 °C1) ● Available in groups Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPX 38 Q62702-P15 BPX 38-2 Q62702-P15-S2 BPX 38-3 Q62702-P15-S3 BPX 38-4 Q62702-P15-S4 BPX 1) 1) 38-51) Q 62702-P15-S5 Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Semiconductor Group 217 10.95 BPX 38 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 125 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 50 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 200 mA Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage VEB 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 220 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Semiconductor Group 218 BPX 38 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 880 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 450 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.675 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 1×1 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 2.05 ... 2.35 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 40 Grad deg. IPCB IPCB 1.8 5.5 µA µA CCE CCB CEB 23 39 47 pF pF pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 20 (≤ 300) nA Semiconductor Group 219 Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 BPX 38 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value -2 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE VCE = 5 V -3 Einh. Unit -4 -5 0.2 ... 0.4 0.32 ... 0.63 0.5 ... 1.0 ≥ 0.8 mA 0.95 1.5 2.3 3.6 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 9 12 15 18 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3 Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 200 200 200 200 mV Stromverstärkung Current gain Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE IPCB 170 280 420 650 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 220 BPX 38 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Output characteristics IC = f (VCE), IB = Parameter Output characteristics IC = f (VCE), IB = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Dark current ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Semiconductor Group 221 BPX 38 Collector-base capacitance CCB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0 Emitter-base capacitance CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 222