DD750S65K3 hochisolierendesModul highinsulatedmodule VCES = 6500V IC nom = 750A / ICRM = 1500A PotentielleAnwendungen • Mittelspannungsantriebe • Traktionsumrichter PotentialApplications • Mediumvoltageconverters • Tractiondrives MechanischeEigenschaften • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg = -55°C • GehäusemitCTI>600 • Gehäuse mit erweiterten Isolationseigenschaftenvon10,4kVAC10s • GroßeLuft-undKriechstrecken MechanicalFeatures • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • Extended storage temperature down to Tstg = -55°C • PackagewithCTI>600 • Package with enhanced insulation of 10.4kV AC 10s • Highcreepageandclearancedistances ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2018-01-15 DD750S65K3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = -50°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 6500 6500 5900 V IF 750 A IFRM 1500 A I²t 470 kA²s PRQM 3000 kW ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 3,00 2,95 3,50 3,50 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 750 A, VGE = 0 V IF = 750 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 750 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 1100 1200 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 750 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 850 1600 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 750 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 1400 3000 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 2 V V 18,6 K/kW 16,0 -50 K/kW 125 °C V3.1 2018-01-15 DD750S65K3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 10 s VISOL 10,4 kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC VISOL 5,1 kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D 3800 V AlSiC MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AlN Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 56,0 56,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 26,0 26,0 mm > 600 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature max. LsCE 25 nH RAA'+CC' 0,37 mΩ Tstg -55 125 °C 5,75 Nm 10 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 8,0 Gewicht Weight typ. G 1000 g Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ750R65KE3 Modul Dynamic Data valid in conjunction with FZ750R65KE3 module Datasheet 3 V3.1 2018-01-15 DD750S65K3 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=3600V 1500 4400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 4000 1250 3600 3200 2800 2400 E [mJ] IF [A] 1000 750 2000 1600 500 1200 800 250 400 0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 0 5,0 0 250 500 750 IF [A] VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=750A,VCE=3600V 1000 1250 1500 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 3300 100 Erec, Tvj = 125°C ZthJC : Diode 3000 2700 2400 10 ZthJC [K/kW] 2100 E [mJ] 1800 1500 1200 1 900 600 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,69 11,49 2,82 1,61 τi[s]: 0,005 0,048 0,313 3,348 300 0 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 RG [Ω] 2,0 2,5 3,0 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] 4 V3.1 2018-01-15 DD750S65K3 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 1750 IR, Modul 1500 1250 IR [A] 1000 750 500 250 0 0 Datasheet 1000 2000 3000 4000 VR [V] 5000 6000 7000 5 V3.1 2018-01-15 DD750S65K3 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 6 V3.1 2018-01-15 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2018-01-15 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:[email protected] WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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