Infineon FS3L50R07W2H3F-B11 Thinq h sic schottky diode 650v Datasheet

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/
NTC
EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
J
VCES = 650V
IC nom = 50A / ICRM = 100A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• Motorantriebe
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• MotorDrives
• SolarApplications
• UPSSystems
ElektrischeEigenschaften
• HighSpeedIGBTH3
• NiedrigeSchaltverluste
• thinQHSiCSchottkyDiode650V
ElectricalFeatures
• HighSpeedIGBTH3
• LowSwitchingLosses
• thinQHSiCSchottkydiode650V
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
50
75
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
215
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,80
V
V
V
5,80
6,50
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,50
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
3,10
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,095
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 16 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 16 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,00
0,037
0,037
0,037
µs
µs
µs
0,042
0,044
0,047
µs
µs
µs
0,255
0,28
0,28
µs
µs
µs
0,058
0,064
0,066
µs
µs
µs
Eon
0,96
1,20
1,25
mJ
mJ
mJ
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 16 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,20
1,60
1,70
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
330
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,650 0,700 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,750
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
2
-40
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
20,0
26,0
28,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,20
2,10
2,50
µC
µC
µC
IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,22
0,45
0,53
mJ
mJ
mJ
RthJC
1,25
1,35 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
3
-40
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
IGBT,3-Level/IGBT,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
50
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
135
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,80
1,85
1,95
V
V
V
5,80
6,50
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 830 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 20 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,00
0,03
0,03
0,031
µs
µs
µs
0,035
0,036
0,05
µs
µs
µs
0,175
0,19
0,20
µs
µs
µs
0,019
0,038
0,043
µs
µs
µs
Eon
0,38
0,42
0,42
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 5400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 20 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,42
0,64
0,71
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
160
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
1,05
1,10 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,10
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
4
-40
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
Diode,3-Level/Diode,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
650
V
IF
8
A
IFRM
16
A
I²t
8,00
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,50
1,65
1,70
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 8 A, VGE = 0 V
IF = 8 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 300 V
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
6,30
6,80
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 300 V
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
0,22
0,37
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 300 V
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
0,01
0,01
mJ
mJ
RthJC
2,30
2,50 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
2,50
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
VF
-40
125
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
5
kΩ
5
%
20,0
mW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
6
kV
2,5
typ.
max.
45
39
nH
125
°C
80
N
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,4
0,8
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
90
IC [A]
IC [A]
90
1,2
1,6
VCE [V]
2,0
2,4
0
2,8
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
1,0
2,0
VCE [V]
3,0
4,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=16Ω,RGoff=16Ω,VCE=300V
100
4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
90
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
80
3
70
E [mJ]
IC [A]
60
50
2
40
30
1
20
10
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
7
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
80
90
100
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS3L50R07W2H3F_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
10
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9
ZthJH : IGBT
8
7
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
6
5
4
0,1
3
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0275 0,133 0,2766 0,9627
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
1
0
0
20
40
60
80 100
RG [Ω]
120
140
0,01
0,001
160
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
0,01
0,1
t [s]
1
10
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=16Ω,VCE=300V
60
0,8
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
50
0,6
E [mJ]
IF [A]
40
30
0,4
20
0,2
10
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
0,0
2,0
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
8
0
10
20
30
IF [A]
40
50
60
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS3L50R07W2H3F_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0,7
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
0,6
0,5
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,4
0,3
1
0,2
0,1
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,1999 0,4286 0,8282 1,1437
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0
20
40
60
80 100
RG [Ω]
120
140
0,1
0,001
160
AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
0,01
10
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
50
40
40
IC [A]
IC [A]
1
AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
30
20
10
10
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
9
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
30
20
0
0,1
t [s]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS3L50R07W2H3F_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch)
transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=300V
60
1,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
50
1,0
E [mJ]
IC [A]
40
30
20
0,5
10
0
5
6
7
8
9
10
0,0
11
0
10
20
VGE [V]
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V
30
IC [A]
40
50
60
TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level
transientthermalimpedanceIGBT,3-Level
ZthJH=f(t)
6
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
5
ZthJH : IGBT
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
4
3
0,1
2
0,01
1
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0423 0,2043 0,4249 1,4785
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0
20
40
60
0,001
0,001
80 100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
10
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FS3L50R07W2H3F_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)
switchinglossesDiode,3-Level(typical)
Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V
16
0,015
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
14
12
0,010
E [mJ]
IF [A]
10
8
6
0,005
4
2
0
0,0
0,4
0,8
1,2
VF [V]
1,6
2,0
SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)
switchinglossesDiode,3-Level(typical)
Erec=f(RG)
IF=8A,VCE=300V
0,000
2,4
0
2
4
6
8
IF [A]
10
12
14
16
TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level
transientthermalimpedanceDiode,3-Level
ZthJH=f(t)
0,015
10
Erec, Tvj = 125°C
ZthJH : Diode
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,010
1
0,005
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,796 1,328 1,813 0,863
τi[s]:
0,003 0,015 0,09 0,4
0,000
0
20
40
60
0,1
0,001
80 100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
11
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
12
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
In fin e o n
preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
13
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS3L50R07W2H3F_B11
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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preparedby:CE
dateofpublication:2015-04-28
approvedby:AKDA
revision:V3.2
14
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