Siemens BP103BF-4 .npn-silizium-fototransistor silicon npn phototransistor Datasheet

SFH 300
SFH 300 FA
.NPN-Silizium-Fototransistor
SFH 300
SFH 300 FA
feof6652
feo06652
Silicon NPN Phototransistor
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
● Especially suitable for applications from
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)
● Hohe Linearität
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)
● High linearity
● 5 mm LED plastic package
● Available in groups
Anwendungen
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
● Computer-controlled flashes
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group
240
10.95
SFH 300
SFH 300 FA
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 300
(*BP 103 B)
Q62702-P1189
SFH 300 FA
(*BP 103 BF)
Q62702-P1193
SFH 300-2
(*BP 103 B-2)
Q62702-P85-S2
SFH 300 FA-2
(*BP 103 BF-2)
Q62702-P1192
SFH 300-3
(*BP 103 B-3)
Q62702-P85-S3
SFH 300 FA-3
(*BP 103 BF-3)
Q62702-P1057
SFH 300-41)
(*BP 103 B-4)
Q62702-P85-S4
SFH 300 FA-4
(*BP 103 BF-4)
Q62702-P1058
1)
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 100
°C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS
260
°C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
TS
300
°C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
35
V
Kollektorstrom
Collector current
IC
50
mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
100
mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
VEC
7
V
Semiconductor Group
241
SFH 300
SFH 300 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
200
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
375
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
SFH 300
SFH 300 FA
870
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ
420 ... 1130 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.12
0.12
mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L×B
L×W
0.5 × 0.5
0.5 × 0.5
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
4.1 ... 4.7
4.1 ... 4.7
mm
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 25
± 25
Grad
deg.
Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CCE
6.5
6.5
pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 35 V, E = 0
ICEO
5 (≤ 100)
5 (≤ 100)
nA
Semiconductor Group
242
nm
SFH 300
SFH 300 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
IPCE
0.63 ... 1.25
1 ... 2
≥ 1.6
mA
IPCE
3.4
5.4
8.6
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
t r, t f
7.5
10
10
µs
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat
130
140
150
mV
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
SFH 300:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
1)
1)
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
243
SFH 300
SFH 300 FA
Relative spectral sensitivity,
SFH 300 Srel = f (λ)
Relative spectral sensitivity,
SFH 300 FA Srel = f (λ)
Dark current
ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
Photocurrent
IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
Dark current
ICEO = f (VCE), E = 0
Collector-emitter capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
244
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