MMBT7002DW MMBT7002DW ID RDS(on) Tjmax N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET – Anreicherungstyp = 115 mA < 7.5 Ω = 150°C VDSS Ptot = 60 V = 200 mW Version 2018-02-14 ±0.1 2 x 0.65 0.9±0.1 5 4 1 2 2.1 3 2.4 Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Zwei Transistoren in einem Gehäuse Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Halogen FREE R oH S Pb EE Type Code Features Two transistors in one package Fast switching times Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WE ±0.1 6 1.25±0.1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Pegelwandler, Treiberstufen Standardausführung 1) EL V SOT-363 Typical Applications Signal processing, Logic level converter, Drivers Commercial grade 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 6 Dual FETs 5 4 Type Code tbd T1 T2 1 2 3 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMBT7002DW Drain-Source-voltage Drain-Source-Spannung VDSS 60 V VGSS ± 20 V Ptot 200 mW 3) ID 115 mA Peak Drain current Drain-Spitzenstrom IDM 800 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage Gate-Source-Spannung DC Power dissipation Verlustleistung Drain current Drainstrom 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBT7002DW Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. BVDSS 60 V – – IDSS – – 1 µA ±IGSS – – 100 nA VGS(th) 1V – 2.5 V RDS(on) – – 7.5 Ω 7.5 Ω gFS 80 mS – – Ciss – 50 pF – Coss – 25 pF – Crss – 5 pF – ton – 20 ns – toff – 20 ns – Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 60 V VGS = 0 V Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS = 10 V ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 5 V VGS = 10 V ID = 50 mA ID = 500 mA Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS ≥ 10 VDS(on), ID = 200 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Einschaltzeit VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG