Diotec GBI35M Single phase bridge rectifier Datasheet

GBI35A ... GBI35M
GBI35A ... GBI35M
IFAV = 35 A
VF < 1.1 V
Tjmax = 150°C
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 320/350 A
trr
~ 1500 ns
Version 2018-02-09
±0.2
1.0
10
2x7.5
2.7
±0.2
4.6
±0.2
0.8
Dimensions - Maße [mm]
Features
UL recognized, File E175067
For free-standing or
heatsink assembly
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheit
UL-anerkannt, Liste E175067
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
2.2
11 ±0.5
20 ±0.2
Type
Typ
5 ±0.2
3.6
17.5 ±0.2
±0.2
4 ±0.2
30
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung 1)
EL
V
GBI
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Packed in cardboard trays
500
Verpackt in Einlagekartons
Weight approx.
7g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V] 3)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 4)
GBI35A
35
50
GBI35B
70
100
GBI35D
140
200
GBI35G
280
400
GBI35J
420
600
GBI35K
560
800
GBI35M
700
1000
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
R-load
C-load
TA = 50°C
IFAV
5 A 5)
4 A 5)
Max. rectified output current with forced cooling
Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit forcierter Kühlung
R-load
C-load
TC = 80°C
IFAV
35 A
30 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 50°C
IFRM
70 A 5)
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
320 A
350 A
t < 10 ms
i2t
512 A2s
Operating junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Tj/S
-50...+150°C
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral
1
2
3
4
5
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at TA at 5 mm distance from case – Gilt, wenn die Anschlüsse in 5 mm vom Geh. auf TA gehalten werden
1
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
GBI35A ... GBI35M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 17.5 A
VF
< 1.1 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA 1)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
typ. 1500 ns 1)
Cj
130 pF 1)
Reverse recovery time – Sperrverzug
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
VR = 4 V
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
RthA
< 8 K/W 2)
Thermal resistance junction to case (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
RthC
< 1.0 K/W
Type
Typ
Rt 3)
~
_
+
~
CL
4)
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] 3)
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
GBI35A
0.2
25000
GBI35B
0.3
16600
GBI35D
0.5
10000
GBI35G
1.0
5000
GBI35J
1.5
3300
GBI35K
2.0
2500
GBI35M
2.5
2000
120
10
3
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10-1
0
TC
50
100
150
[°C]
450a-(17a-1,05v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1
2
3
4
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Rt = VRRM / IFSM
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
CL = 5 ms / Rt
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged mostly in a
single mains period. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL nahezu in einer einzigen
Netzperiode geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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