Infineon DD100N Electrically insulated base plate Datasheet

Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
Key Parameters
VDRM / VRRM
1600 V
IFAVM
130 A (TC=100 °C)
IFSM
VT0
2500 A
3570A (TC=55°C)
0,87 V
rT
2,54 mΩ
RthJC
0,19 K/W
Base plate
20 mm
Weight
75 g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
 Löt-Löt Technologie

Solder-Solder Technology
 Industrie-Standard-Gehäuse
 Elektrisch isolierte Bodenplatte


Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
 Gleichrichter für Antriebsapplikationen
 Gleichrichter für UPS
 Batterieladegleichrichter



content of customer DMX code
DMX code
digit
type designation
1..18
serial number
19..23
internal production order number
24..31
material number
32..41
date code (YY/WW)
42..45
add on for date code
46
Date of Publication 2014-08-15
Rectifier for drives applications
Rectifiers for UPS
Battery chargers
DMX code
digit quantity
18
5
8
10
4
1
Revision 3.1
1
2
3
www.ifbip.com
[email protected]
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
DD100N16S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
1600 V
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1700 V
IFRMSM
210 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
IFAVM
134 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
IFSM
2500 A
2000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = 25°C
vF
max.
1,6 V
iF = 300A
31250 A²s
20000 A²s
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
0,87 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
2,45 mΩ
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
max.
3 mA
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
VISOL
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
RthJC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
3,6 kV
3,0 kV
max.
max.
0,100 K/W
0,200 K/W
max.
max.
max.
max.
0,095
0,190
0,11
0,22
K/W
K/W
K/W
K/W
130 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
- 40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
- 40...+125 °C
prepared by: Je
date of publication: 2014-08-15
revision:
approved by: ML
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Revision 3.1
3.1
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
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Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140)
Basic insulation (class 1, IEC 61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±15%
M2
3
Nm
Gewicht
weight
G
Al2O3
typ.
75
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
mm
f = 50Hz
file-No.
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g
Revision 3.1
50
m/s²
E 83335
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
1
2
DD100N16S
3
DD
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [K/W]
0,0925
0,08835
0,008973
0
0
0
0
τn [s]
0,1552
0,01647
0,0008308
1
1
1
1
Analytische Funktion / Analytical function:
Z thJC 
n max

–t
R thn 1 - e
n
n=1
0,200
0,180
0,160
Z thJC [°K/W]
0,140
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
0,001
0,01
t [s] 0,1
1
10
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
0,03798
0,00766
0,07460
0,09878
0,14660
ΔZth Θ rec
[K/W]
ΔZth Θ sin
[K/W]
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
400
DC
180 rec
PFAV [W]
300
180 sin
120 rec
Θ = 60 rec
200
100
0
0
50
100
150
200
250
IFAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
160
140
T C [°C]
120
100
80
60
180 sin
40
Θ = 60 rec
120 rec
180 rec
DC
20
0
50
100
IFAVM [A]
150
200
250
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(IFAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV
Calculation base PTAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
1200
P tot [W]
R thCA [ K/W]
B2
ID
+
0,005
0,010
0,015
0,020
1000
R-Last
~
L-Last
0,030
800
-
0,040
0,050
0,060
0,075
600
0,100
0,150
400
0,200
200
0
0
20
40
60
T A [°C]
80
100
120
140 0
50
100
150
200
ID [A]
250
300
350
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R thCA
2500
B6
P tot [W]
R thCA [ K/W]
ID
+
2000
3~
0,015
0,020
-
0,025
0,030
1500
0,040
0,050
0,060
1000
0,075
0,100
0,150
500
0,250
0
0
20
40
60
0,25
80
T A [°C]
100
120
140 0
100
200
300
400
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
1.500
IF(OV)M [A]
a
TA = 35 C
1.000
500
b
TA = 45 C
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
Kühlkörper / Heatsink type: KM14 (Papst 4650)
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling
Date of Publication 2014-08-15
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (160W)
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD100N16S
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