Infineon F3L75R12W1H3 B11 Solar anwendungen 3-level-applikationen Datasheet

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
ElektrischeEigenschaften
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• LowInductiveDesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
75
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
45
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
275
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,55
1,60
1,70
V
V
V
5,80
6,45
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,57
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
4,40
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,235
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,05
0,03
0,03
0,03
µs
µs
µs
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
0,25
0,32
0,34
µs
µs
µs
0,025
0,04
0,045
µs
µs
µs
Eon
0,40
0,60
0,70
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,05
1,60
1,75
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
270
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
2
0,500 0,550 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
0,450
-40
K/W
150
°C
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
30
A
IFRM
60
A
I²t
310
A²s
min.
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
V
IF
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
1200
typ.
max.
VF
2,15 t.b.d.
1,85
1,70
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
85,0
90,0
95,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
2,30
2,95
3,30
µC
µC
µC
IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,85
1,25
1,35
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,700 0,750 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,700
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
3
-40
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
50
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
60
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
175
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,25
1,30
1,30
1,50
V
V
V
5,80
6,45
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,50
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
3,10
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,095
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,05
0,022
0,022
0,025
µs
µs
µs
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
0,12
0,15
0,165
µs
µs
µs
0,025
0,037
0,04
µs
µs
µs
Eon
0,40
0,55
0,60
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, du/dt = 4200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,90
1,20
1,30
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
350
250
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
4
0,750 0,850 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
0,700
-40
K/W
150
°C
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
50
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
30
A
IFRM
100
A
I²t
130
115
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,65
VF
1,45
1,35
1,30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
42,0
48,0
50,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,80
2,40
2,60
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,45
0,65
0,73
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
0,800 1,10 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,600
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
-40
V
V
V
K/W
150
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
5
kΩ
5
%
20,0
mW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AI2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,00
6,00
mΩ
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
6
max.
30
-40
preparedby:CM
typ.
LsCE
Tstg
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
kV
3,0
24
125
°C
80
N
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,T1-T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1-T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
60
50
50
40
40
IC [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
2,5
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1-T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
2,5
3,0
50
60
3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
2,5
40
2,0
E [mJ]
IC [A]
2,0
SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1-T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=400V
60
30
1,0
10
0,5
5
6
7
8
9
0,0
10
VGE [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,5
20
0
1,5
VCE [V]
0
10
20
30
IC [A]
40
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1-T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V
TransienterWärmewiderstandIGBT,T1-T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4
ZthJH=f(t)
4,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
ZthJH : IGBT
ZthJH [K/W]
E [mJ]
3,0
2,0
1
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,544
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,0
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
0,1
0,001
70
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1-T4(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
70
50
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
60
40
50
35
30
IF [A]
IC [A]
40
30
25
20
15
20
10
10
5
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
8
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6,2Ω,VCE=400V
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=400V
2,0
1,6
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,4
1,6
1,2
1,4
1,0
E [mJ]
E [mJ]
1,2
1,0
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
5
0,0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
60
ZthJH: Diode
55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
45
35
IC [A]
ZthJH [K/W]
40
1
30
25
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,097 0,219 0,576 0,508
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
0,00
10
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
9
0,25
0,50
0,75
1,00 1,25
VCE [V]
1,50
1,75
2,00
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
60
60
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
54
48
42
42
36
36
IC [A]
IC [A]
48
30
24
18
18
12
12
6
6
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VCE [V]
3,0
3,5
0
4,0
5
6
7
8
9
10
VGE [V]
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=6.2Ω,RGoff=6.2Ω,VCE=400V
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V
2,4
4,5
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,2
2,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,0
3,5
1,8
1,6
3,0
E [mJ]
1,4
E [mJ]
30
24
0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
54
1,2
1,0
0,8
2,5
2,0
1,5
0,6
1,0
0,4
0,5
0,2
0,0
0
10
20
30
IC [A]
40
50
0,0
60
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
10
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
RG [Ω]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
10
60
ZthJH: IGBT
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55
50
45
35
IF [A]
ZthJH [K/W]
40
1
30
25
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,586 0,585
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6.8Ω,VCE=400V
0,0
0,5
1,0
VF [V]
1,5
2,0
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=400V
1,00
0,90
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,90
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,80
0,80
0,70
0,70
0,60
E [mJ]
E [mJ]
0,60
0,50
0,50
0,40
0,40
0,30
0,30
0,20
0,20
0,10
0,10
0,00
0
10
20
30
IF [A]
40
50
0,00
60
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
11
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH: Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJH [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,206 0,247 0,412 0,535
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
12
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
13
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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preparedby:CM
dateofpublication:2015-08-26
approvedby:AKDA
revision:V2.0
14
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