ESD3V3CA ... ESD36CA ESD3V3CA ... ESD36CA PPPM = 300 W Tjmax = 150°C ESD Protection Diodes in SMD ESD-Schutzdioden in SMD VWM = 3.3V...36 V VBRmin = 4.5V...40 V VPP1 = ± 30 kV Version 2017-10-04 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 1 2 1.9 ±0.1 Features Dual diode High peak pulse power Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Doppeldiode Hohe Impulsfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] RoHS Pb EE WE Type Code 1.3±0.1 3 2.4 ±0.2 0.4 +0.1 -0.05 Typische Anwendungen ESD-Schutz Schutz von Datenleitungen und Ein-/Ausgängen Standardausführung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Typical Applications ESD protection Data line and I/O port protection Commercial grade 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 3 Common Anode 1 Type Code: See table next page Siehe Tabelle nächste Seite 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls) PPPM 300 W 3) ESD immunity (HBM, air discharge) ESD-Festigkeit (HBM, Luftentladung) JESD-A114D VPP ± 30 kV ESD immunity (contact discharge) ESD-Festigkeit (Kontaktentladung) IEC 61000-4-2 VPP ± 16 kV Tj TS -55...+150°C -55...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ESD3V3CA ... ESD36CA Characteristics (Tj = 25°C) Type Code Kennwerte (Tj = 25°C) Junction capacitance Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Breakdown voltage Max. clamping voltage Abbruch-Spannung Max. Begrenzer-Spannung IT = 1 mA at / bei IPP (8/20 µs) Cj [pF] VWM [V] ID [µA] VBR min [V] VC [V] IPP [A] ESD3V3CA 03C typ. 600 3.3 125 4.5 7 9 1 5 ESD5V0CA 05C typ.400 5 100 6 9.8 12.5 1 5 ESD36CA 36C typ. 60 36 1 40 60 75 1 5 120 [%] tr = 8 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPP IPP 20 20 PPP PPP 0 0 0 TA 50 100 150 [°C] Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1) ) 1 2 PPPM/2 tP 0 t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform 1 1 IPPM/2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG