RoHS DF35NA80 THRU DF35NA160 COMPLIANT 桥式整流器 Bridge Rectifier ■特征 Feature ● Io ■外形尺寸和印记 35.0A TSB-5 VRRM 800V~1600V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability 1.874(47.6) 1.834(46.6) 1.579(40.1) 1.555(39.5) .177(4.50) .157(4.00) .457(11.6) .433(11.0) .209(5.30) .185(4.70) .083(2.10) .075(1.90) .701(17.8) .677(17.2) ■用途 Applications 1.173(29.8) 1.134(28.8) ● ● Outline Dimensions and Mark ① 用于三项整流电源使用 For the three rectifier power .126(3.20) .118(3.00) ① ② ③ ④ ⑤ .047(1.20) .039(1.00) ② ③ ④ .304(7.72) .296(7.52) ⑤ .043(1.10) .035(0.90) .304(7.72) .296(7.52) .304(7.72) .296(7.52) .304(7.72) .296(7.52) .031(0.80) .024(0.60) Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Nonrepetitive)Forward Current 正向浪涌电流的平方对电流 浪涌持续时间的积分值 Current Squared Time 存储温度 Storage Temperature 结温 Junction Temperature 绝缘耐压 Dielectric Strength 安装扭矩 Mounting Torque 符号 单位 Symbol Unit VRRM 条件 Conditions V 60Hz正弦波， 电阻负载 60Hz sine wave, R-load 用散热片 Tc =110℃ With heatsink Tc =110℃ DF35NA 80 100 160 800 1000 1600 IO A IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 400 2 It 2 AS 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 660 Tstg ℃ -55 ~+150 Tj ℃ -55 ~+150 Vdis KV Tor kg· cm 端子与外壳之间外加交流电，一分钟 Terminals to case，AC 1 minute 推荐值：5kg·cm Recommend torque：5kg·cm 35 2.5 8 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance S-C025 Rev.1.2,28-Apr-14 符号 单位 Symbol Unit 测试条件 Test Condition 最大值 Max VFM V IFM=17.5A 1.1 IRRM μA VRM=VRRM , Ta=25℃ 10 RθJ-c ℃/W 结和壳之间 Between junction and case 0.8 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com DF35NA80 THRU DF35NA160 ■特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图2：耐正向浪涌电流曲线 FIG2:Surge Forward Current Capadility 散热片 heatsink 50 Tc IFSM(A) Io(A) 图 1 ： Io-Tc 曲线 FIG1:Io-Tc Curve 8.3ms 正弦半波 8.3ms Single Half Sine Wave JEDEC Method 600 40 500 30 400 300 20 正弦波，电阻负载， 用散热片 sine wave R-load with heatsink 10 0 70 200 100 0 80 90 100 110 120 130 140 150 160 Tc(℃ ) IR(uA) IF(A) 图3：正向电压曲线 FIG3: Forward Voltage 1 60 40 2 5 10 20 50 100 Number of Cycles 图4：反向电流曲线 FIG4:Typical Reverse Characteristics 100 20 10 10 Tj=25℃ 5 1.0 Ta=25℃ 1 0.1 0.5 0.2 0.01 0.1 0.4 0.6 S-C025 Rev.1.2,28-Apr-14 0.8 1.0 1.2 1.4 VF(V) 0 20 40 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 60 80 100 Voltage(%) www.21yangjie.com