BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 描述 / DATA SHEET Descriptions SOT23-6 塑料封装 P 沟道 MOS 管。 P-channel MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package。 特征 / Features 超低 RDS(on)，高效率延长电池寿命。 Ultra Low RDS(on),Higher Efficiency Extending Battery Life。 用途 / Applications 适用于便携式和电池供电产品的电源管理。 Use as Power Management in Portable and Battery-Powered Products. 内部等效电路 引脚排列 / Equivalent Circuit / Pinning 6 1 5 2 4 3 PIN1：D 印章代码 PIN 2：D PIN 3：G PIN 4： S PIN 5：D PIN 6：D / Marking 见印章说明。See Marking Instructions http://www.fsbrec.com 1/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(TJ=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit VDSS -20 V ID(Ta=25℃) -4.4 A IDM -20 A VGS ±12 V PD(Ta=25℃) 2.0 W RθJA 62.5 ℃/ W TL 260 ℃ Tj, Tstg -55～150 ℃ Drain-Source Voltage Drain Current – Continuous(Note 1) Drain Current – Pulsed(Note 1) Tp<10μS Gate-Source Voltage Maximum Power Dissipation(Note 1) Maximum Junction-to-Ambient(Note 1) Maximum Junction-to-Lead Junction and Storage Temperature Range Note: 1.Mounted onto a 2 in square FR−4 board (1"sq. 2 oz.cu.0.06",thick single sided),t<5.0seconds. 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) (Notes2&3) 参数 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V ID=-10μA VGS=0V Drain-Source Leakage Current VDS=-20V Tj=25℃ VDS=-10V Tj=70℃ VGS=±12V VDS=0V Gate-Source Leakage Current Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On-Resistance IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) VDS=VGS 最小值 典型值 最大值 Min Typ Max -20 V -1.0 μA -5.0 μA ±100 nA -0.72 -1.45 V VGS=0V ID=-250μA -0.55 VGS=-4.5V ID=-4.4A 0.058 0.065 VGS=-2.7V ID=-3.7A 0.082 0.090 VGS=-2.5V ID=-3.5A 0.092 0.100 Forward Transconductance gFS VDS=-10V ID=-4.4A 8.8 Forward On Voltage VSD VGS=0V IS=-1.7A -0.83 Input Capacitance Ciss Output Capacitance Coss Reverse Transfer Capacitance Crss http://www.fsbrec.com 单位 Unit Ω S -1.2 V 565 VDS=-5.0V f=1.0MHz VGS=0V 320 pF 120 2/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 电性能参数 / DATA SHEET Electrical Characteristics(Ta=25℃) (Notes2&3) 参数 Parameter 符号 Symbol Total Gate Charge Qtot Gate Source Charge Qgs Gate Drain Charge Qgd Turn-on Delay Time td(on) Rise Time Turn-off Delay Time tr td(off) Fall Time tf Body Diode Reverse Recovery Time trr 测试条件 Test Conditions VDS=-10V VGS=-4.5V ID=-4.4A VDS=-20V VGS=-4.5V ID=-1.0Ω Rg=6.0Ω IF=-1.7A dIS/dt=100A/μs 最小值 典型值 最大值 Min Typ Max 7.5 单位 Unit 15 1.4 nC 2.9 10 25 ns 18 45 ns 30 50 μs 31 50 μs 30 ns Notes: 2.Indicates Pulse Test: P.W. =300μs max, Duty Cycle = 2%. 3.Handling precautions to protect against electrostatic discharge is mandatory. http://www.fsbrec.com 3/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 电参数曲线图 DATA SHEET / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 4/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 电参数曲线图 DATA SHEET / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 5/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 测试电路和波形 DATA SHEET / Test circuit and waveform http://www.fsbrec.com 6/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 外形尺寸图 DATA SHEET / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 7/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 印章说明 / DATA SHEET Marking Instructions 3443 **** 说明： 3443： 为型号代码 ****： 为生产批号代码，随生产批号变化。 Note: 3443: ****: http://www.fsbrec.com Product Type. Lot No. Code, code change with Lot No. 8/9 BRCS3443MF Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 说明： Note: 1、预热温度 25～150℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 245±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：260±5℃ 包装规格 Time:10±1 sec / REEL Package Type 封装形式 使用说明 Temp:260±5℃ / Packaging SPEC. 卷盘包装 SOT23-5/6 时间：10±1 sec. Units 包装数量 Dimension 包装尺寸 3 (unit：mm ) Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 3,000 10 30,000 4 120,000 7〞 ×8 210×205×205 445×230×435 / Notices http://www.fsbrec.com 9/9