3-PHASE DIODE BRIDGE ＋ THYRISTOR DFA150CB UL; E76102（M） ■Maximum Ratings 最大定格 Symbol 項 VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage DIODE ダイオード部 ID 6-M6 depth 9㎜ 28 18 23 48.0±0.3 62 R S 22 T 22 G R2 ＋ − 4 21 28.5 23 61 DFA̲CB R S T Unit 単位：mm Ratings 目 Repetitive Peak Reverse Voltage Item 4-φ6.5 − （Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃） VRRM Symbol 記号 ＋ 、交流 Item 記号 IFSM 電源 R2 24.5 複合 、 設計 。 （電極端子─取付 間） 、他 同一 取付 可能 。 〈用途〉 • AC、DC 制御 安定化電源、 108 93.0±0.3 22 22 15.5 12 1.8 〈特長〉 • 非常 • 絶縁 〈Applications〉 • Inverter for motor control, AC stabilized power supply, SMPS 13.5 20 8 G 2 〈Advantages〉 • Compact 3-phase bridge with prevention rush current • Isolated package M4 depth 10.7㎜ 24±0.3 SanRexパワーモジュールDFA150CBシ リーズは、突入防止回路用として設計さ れた絶縁形複合モジュールです。６個の ダイオードを内部で三相ブリッジ接続し ており、１個のサイリスタが直流ライン に接続されております。 DFA150CB is isolated power module designed for the rectification requiring prevention rush current. This module has six diodes connected in 3-phase bridge, and a thyristor connected in series with the DC line. 項 ピーク繰返し逆電圧 ピーク非繰返し逆電圧 定格ピーク繰返しオフ電圧 DFA150CB160 単位 800 1600 V 960 1700 V 800 1600 V 条 Ratings 定格値 Unit 単位 件 Output Current（D.C.） 直流出力電流 Three phase full wave，三相全波整流回路 Tc=113℃ Surge forward current ½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive サージ順電流 Unit DFA150CB80 Conditions 目 定格値 50/60Hz, 商用単相半波1サイクル, 正弦半波, 波高値, 非繰返し 150 A 1460/1600 A －40～＋150 ℃ IRRM Repetitive Peak Reverse Current，max1 逆電流1 VD=700V，Tj=25℃ 0.05 mA IRRM Repetitive Peak Reverse Current，max2 逆電流2 VD=VRRM，Tj=25℃ 0.1 mA IRRM Repetitive Peak Reverse Current，max3 逆電流3 VD=VRRM，Tj=150℃ VFM Forward Voltage Drop，max Tj Operating Junction Temperature Rth（j-c） Thermal Impedance，max IT（AV） THYRISTOR サイリスタ部 ITSM I 2t di/dt Tj 順電圧降下 熱抵抗 Average On-State Current Surge On-State Current 接合部温度 平均オン電流 サージオン電流 15 mA 1.35 V Junction to case（Total） 接合部─ケース間（TOTAL） 0.09 ℃/ W Single phase hulf wave.180°condution，Tc=113℃ 150 A IFM=150A，Inst.measurement 瞬時測定 導通角180° ,単相半波平均値（三相全波整流Tc=113℃） 1cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive 50/60Hz, 商用単相半波1サイクル, 正弦半波, 波高値, 非繰返し I2t（for fusing） 電流二乗時間積 Critica Rate of Rise of On-State Current 臨海オン電流上昇率 Operating Junction Temperature IG=100mA，VD=½VDRM，diG/dt＝0.1A/μs，Tj=25℃ 接合部温度 IDRM IRRM （Repetitive）Peak Off-State Current，max オフ（逆）電流 VDRM，VRRM，Tj=135℃ 70/3 mA/V VD=⅔VDRM，Tj=125℃ 500 VD=⅔VDRM，Tj=126～150℃ 50 Gate Trigger Current，max/Voltage，max ゲートトリガ電流/電圧 GENERAL 全体 Storage Temperature Mounting torque 締付トルク 熱抵抗 Junction to Case 接合部─ケース間 0.18 ℃/ W －40～＋125 ℃ 1.5～2.5（15～25） 2.7 （28） Recommended Value 2.5～3.9（25～40） 4.7 （48） 推奨値 Terminals（M6）端子 推奨値 Terminals（M4）端子 推奨値 Recommended Value 1.0～1.4（10～14） Thermal conductivity of silicone grease=7×10-3（W/ cm・℃），Effective rate of contact. 0.6 Thermal Impedanc，max VISO Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） 絶縁耐力（実効値） A.C., 1minute Mass Typical value 接触熱抵抗 V/μs Recommended Value Rth（c-f） 質量 瞬時測定 保存温度 Mounting（M5）取付 ℃ IT=1A，VD=6V，Tj=25℃ IGT/VGT Tstg A/μs V ITM=150A，Inst. measurement Rth（j-c） Thermal Impedance，max 150 －40～＋150 mA オン電圧 Critical Rate of Rise of Off-state Voltage，min A 2s 100 Peak On-State Voltage，max 臨界オフ電圧上昇率 A 10670 1.35 VTM dv/dt 1460/1600 シリコングリスの熱伝導率=7×10-3（W/cm・℃） ，接触有効率0.6 主端子─ベース間，A. C. 1分間 標準値 1.5 （15） N･m （kgf･cm） 0.07 ℃/ W 2500 V 460 g （DFA150CB-S79-1303） DFA150CB DIODE Maximum Forward Characteristics ダイオード部 最大順特性 0 Gate Voltage（V） θj-c 0.01 オン電流 Tj＝25℃ 100 IT （A） 1.0 Peak Gate Power（10W） 定格ピークゲート損失 Average Gate Power（３W） −10℃ −20℃ −30℃ 25℃ 10 SCR Maximum Forward Characteristics サイリスタ部 最大オン特性 Tj＝150℃ Peak Forward Gate Voltage（10V） 定格ピークゲート順電圧 0.1 10 過渡熱インピーダンス 1000 1 定格平均ゲート損失 Maximum Gate Non-Trigger Voltage 最小非トリガ電圧 100 1000 SCR Transient Thermal Impedance サイリスタ部 過渡熱インピーダンス特性 junction to case 接合部─ケース間 0.1 0.01 Maximum 最大値 θj-c 150 1.0 1.5 2.0 2.5 On-State Voltage Drop VTM（V） オン電圧 VTM（V） per one Module モジュール当たり 450 Three Phase 三相全波 0.01 0.1 Time（sec） 時 間 t（秒） 1 10 Output Current vs. Power Dissipation ダイオード部 最大電力損失特性 Power Dissipation 120 110 電力損失 最大許容ケース温度 400 130 350 300 250 200 PAV （W）150 100 （℃） 90 80 0.001 Output Current vs. Allowable Case Temperature ダイオード部 出力電流対最大許容ケース温度 140 10000 Gate Current（mA） ゲート電流 （mA） （℃/W） 10 0.5 100 SCR Gate Characteristics サイリスタ部 ゲートトリガ特性 135℃ Transient Thermal Impedance θ（j-c）（℃/W） 0.1 10 Times 通電サイクル数 n（cycles） 10 per one Module モジュール当たり Time 間 t（sec） 1 （V） 1 Maximum 最大値 時 On-State Peak Current I T（A） 200 100 0.1 Ｓ ｉ ｎｇ ｌ ｅｐｈａｓｅｈａ ｌ ｆｗａｖｅ Tj=25℃ start 400 2.5 Junction to Case 接合部─ケース間 0.01 50Hz Peak Gate Current（３A） 定格ピークゲート順電流 2.0 （℃/W） Allowable Case Temperature 800 ゲート電圧 Transient Thermal Impedance 1.5 Forward Voltage Drop VF（V） 順電圧降下 VF（V） 0.001 60Hz 1000 IFSM 600 （A） Tj＝25℃ 1.0 1200 DIODE Transient Thermal Impedance ダイオード部 過渡熱インピーダンス特性 1.0 過渡熱抵抗 θj-c（℃/W） 10 0.5 Per one element 単位エレメント当り 1400 Surge Forward Current 100 Tj＝150℃ 1600 サージ順電流 順電流 Forward Current IF（A） Max. IF （A） DIODE Surge Forward Current Rating〈Non-Repetitive〉 ダイオード部 サージ順電流耐量〈非繰返し〉 1800 IFSM（A） 1000 Three Phase 三相全波 100 50 0 20 40 60 80 100 Output Current 出力電流 ID（A） 120 140 160 0 0 20 40 60 80 100 Output Current 出力電流 ID（A） 120 140 160 Three Phase 三相全波 140 120 110 SCR Output Current vs Power Dissipation サイリスタ部 最大電力損失 200 電力損失 130 150 PAV 100 （W） 100 （℃） 90 80 250 Power Dissipation（W） 150 SCR Output Current vs Maximum Allowable Case Temperature サイリスタ部 出力電流対最大許容ケース温度 最大許容ケース温度 Maximum Allowable Case Temperature（℃） DFA150CB 0 20 40 60 80 100 Output Current（A） 出力電流（A） 120 140 160 50 0 0 20 40 60 80 100 120 Output Current（A） 出力電流（A） 140 160 180