THYRISTOR 200A Avg 1200∼1600 Volts ■回路図 CIRCUIT K2 G2 PDT PDH PCH20012 PAT PAH ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） PDT 1 PDT PDH PCH20016 PAT PAH 2 3 4 K1 G1 PDH 1 2 3 4 K1 G1 PCH 1 2 3 4 K1 G1 K2 G2 PAT 1 2 3 4 K1 G1 PAH 1 2 3 4 K1 G1 ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage 非くり返しピークオフ電圧 Non Repetitive Peak Off-State Voltage くり返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage 非くり返しピーク逆電圧 Non Repetitive Peak Reverse Voltage 耐圧クラス Grade 記号 Symbol PDT/PDH/PCH/PAT/PAH20012 PDT/PDH/PCH/PAT/PAH20016 単位 Unit VDRM 1200 1600 V VDSM 1300 1700 V VRRM 1200 1600 V VRSM 1300 1700 V 項 目 Parameter 記号 Symbol 平均整流電流 Average Rectified Output Current 実効オン電流 RMS On-State Current サージオン電流 Surge On-State Current 電流二乗時間積 I Squared t 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current ピークゲート電力損失 Peak Gate Power 平均ゲート電力損失 Average Gate Power ピークゲート電流 Peak Gate Current ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 Isolation Voltage ベース部 Mounting 締付トルク Mounting Torque 主端子部 Terminal I0（AV） 条 件 Conditions 商用周波数 180°通電 Half Sine Wave 定格値 Max. Rated Value Tc＝75℃ IT（RMS） ITSM I2t di/dt 50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive ２∼10ms VD=2/3VDRM，ITM=2・IO，Tj＝125℃ IG=300mA，diG/dt=0.2A/μs 単位 Unit 200 A 314 A 4000 A 80000 A2s 100 A/μs PGM 5 W P（ G AV） 1 W IGM 2 A VGM 10 V VRGM 5 V Tjw −40∼＋125 ℃ Tstg −40∼＋125 ℃ 2500 V M6 2.5∼3.5 N・m M8 9.0∼10.0 N・m Viso F 端子−ベース間，AC１分間 Terminal to Base, AC１min. サーマルコンパウンド塗布 Greased １アーム当りの値 Value Per 1 Arm. ─ 203 ─ ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter ピークオフ電流 Peak Off-State Current ピーク逆電流 Peak Reverse Current ピークオン電圧 Peak On-State Voltage 記号 Symbol 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 条 件 Conditions 単位 Unit IDM Tj=125℃，VDM=VDRM 80 mA IRM Tj=125℃，VRM=VRRM 80 mA VTM Tj=25℃，ITM=600A 1.28 V トリガゲート電流 Gate Current to Trigger IGT VD=6V，IT=1A トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger VGT VD=6V，IT=1A 300 150 80 5 3 2 mA mA mA V V V VGD Tj=125℃，VD=2/3VDRM 0.25 V dv/dt Tj=125℃，VD=2/3VDRM 500 V/μs 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage ターンオフ時間 Turn-Off Time ターンオン時間 Turn-On Time 遅れ時間 Delay Time 立上がり時間 Rise Time ラッチング電流 Latching Current 保持電流 Holding Current 熱抵抗 Thermal Resistance 接触熱抵抗 Thermal Resistance tq Tj=−40℃ Tj= 25℃ Tj= 125℃ Tj=−40℃ Tj= 25℃ Tj= 125℃ Tj=125℃，ITM=IO，VD=2/3VDRM dv/dt=20V/μs，VR=100V， −di/dt=20A/μs tgt td Tj=25℃，VD=2/3VDRM IG=300mA，diG/dt=0.2A/μs tr 100 μs 6 μs 2 μs 4 μs IL Tj=25℃ 150 mA IH Tj=25℃ 100 mA Rth（j-c） Rth（c-f） 接合部−ケース間 Junction to Case ケース−フィン間，サーマルコンパウンド塗布 Case to Fin, Greased 質量…約480g Approximate Weight 0.2 ℃/W 0.1 ℃/W １アーム当りの値 Value Per 1 Arm. サ イ リ ス タ モ ジ ュ ー ル ─ 204 ─ ■定格・特性曲線 ─ 205 ─ サ イ リ ス タ モ ジ ュ ー ル ─ 206 ─