NIEC PCH20012

THYRISTOR 200A Avg 1200∼1600 Volts
■回路図 CIRCUIT
K2 G2
PDT
PDH
PCH20012
PAT
PAH
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
(単位 Dimension:mm)
PDT
1
PDT
PDH
PCH20016
PAT
PAH
2
3
4
K1 G1
PDH
1
2
3
4
K1 G1
PCH
1
2
3
4
K1 G1
K2 G2
PAT
1
2
3
4
K1 G1
PAH
1
2
3
4
K1 G1
■最大定格 Maximum Ratings
項 目
Parameter
くり返しピークオフ電圧
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しピークオフ電圧
Non Repetitive Peak Off-State Voltage
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non Repetitive Peak Reverse Voltage
耐圧クラス Grade
記号
Symbol
PDT/PDH/PCH/PAT/PAH20012
PDT/PDH/PCH/PAT/PAH20016
単位
Unit
VDRM
1200
1600
V
VDSM
1300
1700
V
VRRM
1200
1600
V
VRSM
1300
1700
V
項 目
Parameter
記号
Symbol
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効オン電流
RMS On-State Current
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間積
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
Mounting Torque
主端子部
Terminal
I0(AV)
条 件
Conditions
商用周波数 180°通電
Half Sine Wave
定格値
Max. Rated Value
Tc=75℃
IT(RMS)
ITSM
I2t
di/dt
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2∼10ms
VD=2/3VDRM,ITM=2・IO,Tj=125℃
IG=300mA,diG/dt=0.2A/μs
単位
Unit
200
A
314
A
4000
A
80000
A2s
100
A/μs
PGM
5
W
P(
G AV)
1
W
IGM
2
A
VGM
10
V
VRGM
5
V
Tjw
−40∼+125
℃
Tstg
−40∼+125
℃
2500
V
M6
2.5∼3.5
N・m
M8
9.0∼10.0
N・m
Viso
F
端子−ベース間,AC1分間
Terminal to Base, AC1min.
サーマルコンパウンド塗布
Greased
1アーム当りの値 Value Per 1 Arm.
─ 203 ─
■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピークオン電圧
Peak On-State Voltage
記号
Symbol
特性値(最大)
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
条 件
Conditions
単位
Unit
IDM
Tj=125℃,VDM=VDRM
80
mA
IRM
Tj=125℃,VRM=VRRM
80
mA
VTM
Tj=25℃,ITM=600A
1.28
V
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
IGT
VD=6V,IT=1A
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
VD=6V,IT=1A
300
150
80
5
3
2
mA
mA
mA
V
V
V
VGD
Tj=125℃,VD=2/3VDRM
0.25
V
dv/dt
Tj=125℃,VD=2/3VDRM
500
V/μs
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
遅れ時間
Delay Time
立上がり時間
Rise Time
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance
接触熱抵抗
Thermal Resistance
tq
Tj=−40℃
Tj= 25℃
Tj= 125℃
Tj=−40℃
Tj= 25℃
Tj= 125℃
Tj=125℃,ITM=IO,VD=2/3VDRM
dv/dt=20V/μs,VR=100V,
−di/dt=20A/μs
tgt
td
Tj=25℃,VD=2/3VDRM
IG=300mA,diG/dt=0.2A/μs
tr
100
μs
6
μs
2
μs
4
μs
IL
Tj=25℃
150
mA
IH
Tj=25℃
100
mA
Rth(j-c)
Rth(c-f)
接合部−ケース間
Junction to Case
ケース−フィン間,サーマルコンパウンド塗布
Case to Fin, Greased
質量…約480g
Approximate Weight
0.2
℃/W
0.1
℃/W
1アーム当りの値 Value Per 1 Arm.
サ
イ
リ
ス
タ
モ
ジ
ュ
ー
ル
─ 204 ─
■定格・特性曲線
─ 205 ─
サ
イ
リ
ス
タ
モ
ジ
ュ
ー
ル
─ 206 ─