MB2S ... MB10S MB2S ... MB10S “Slim” Profile Surface Mount Si-Bridge-Rectifiers Si-Brückengleichrichter für die Oberflächenmontage mit „schlanker“ Bauhöhe Nominal current Nennstrom 0.2 1.6±0.1 1.5 ±0.1 Version 2013-01-29 2.54 5.1 +0.2 6.5+0.2 4.7±0.1 XXXX Alternating input voltage Eingangswechselspannung 140...700 V Plastic case slim profile 1.6mm Kunststoffgehäuse schlanke Bauhöhe 1.6mm ~ ~ TO-269AA MiniDIL Weight approx. – Gewicht ca. 3.9-0.1 ~ 0.5 A 0.22 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 0.7 + Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Green Molding Halogen-Free Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VVRMS [V] VRRM [V] 2) Marking Kennzeichnung 1) Laser 3) Print MB2S 140 200 MC YM MB2S MB4S 280 400 ME YM MB4S MB6S 420 600 MJ YM MB6S MB8S 560 800 MK YM MB8S MB10S 700 1000 MM YM MB10S Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6.4 A 4) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 32/35 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 5.1 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Bar denotes “DC side”; type and date coding at laser marking or print marking of only type name Balken kennzeichnet „Gleichstromseite“; Typ- und Datumskodierung bei Laserbeschriftung oder Bestempelung mit nur dem Typennamen Valid per diode – Gültig pro Diode “YM” designates two digit datecode – „YM“ bezeichnet den zweistelligen Datumscode Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MB2S ... MB10S Characteristics Kennwerte Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom TA = 40°C Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C IFAV IFAV 0.5 A 1) 0.8 A 2) IF = 0.4 A VF < 1 V 3) VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA Typical Junction Capacitance Typ. Sperrschichtkapazität CJ 120 < 75 K/W1) 15 pF 3) 10 2 [%] [A] 100 10 80 Tj = 150°C 60 1 40 Tj = 25°C 10 20 IF IFAV 0 10 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 1 2 3 2 -1 30a-(1a-1.1v) -2 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on Alumina Substrate 2500mm² with 1 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Aluminium-Substrat 2500mm² mit 1 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG