NPN 型中压功率开关晶体管 MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13003W1D 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 3A VCEO 200V PC(TO-92) 1W 用途 APPLICATIONS z z z z z Energy-saving light 节能灯 电子镇流器 电子变压器 一般功率放大电路 封装 Package TO-92 z Electronic ballasts z Electronic transformer z Commonly power amplifier circuit 产品特性 FEATURES z 中耐压 z 高电流容量 z 高开关速度 z 高可靠性 z 环保（RoHS）产品 z Middling breakdown voltage z High current capability z High switching speed z High reliability z RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 Order codes Marking Halogen Free 3DD13003W1D-O-T-B-A 13003W1D 否 3DD13003W1D-O-T-N-C 13003W1D 否 版本：201501A 记 无卤素 封 装 包 装 Package Packaging NO TO-92 编带 Brede NO TO-92 袋装 Bag 1/5 3DD13003W1D R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES 350 V 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） VCEO 200 V 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage VEBO 7 V 最大集电极直流电流 Collector Current（DC） IC 3 A 最大集电极脉冲电流 Collector Current（pulse） ICP 6 A 最大基极直流电流 Base Current（DC） IB 1 A 最大基极脉冲电流 Base Current（pulse） IBP 2 A 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) PC 1 W 最高结温 Junction Temperature Tj 150 ℃ 贮存温度 Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ 注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%. 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC 项 目 测试条件 Tests conditions Parameter 最小值 Value(min) 典型值 最大值 Value(typ) Value(max) 单位 Unit V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 200 - - V V(BR)CBO IC=1mA,IE=0 350 - - V V(BR)EBO IE=1mA,IC=0 7 - - V ICBO VCB=350V, IE=0 - - 100 μA ICEO VCE=200V,IB=0 - - 50 μA IEBO VEB=7V, IC=0 - - 10 μA Hfe(1) VCE =5V, IC=0.5A 8 - 50 Hfe(2) VCE =5V, IC=2A 7 - - VCE(sat)(1) IC=1A, IB=0.2A - - 0.8 V VCE(sat)(2) IC=3A, IB=0.6A - - 1.6 V VBE(sat) IC=2A, IB=0. 5A - - 1.5 V - - 0.7 μS - - 4 μS 4 - - MHz tf ts fT VCC=24V IC=0.5A,IB1=-IB2=0.1A VCE=10V, IC=0.5A 版本：201501A 2/5 3DD13003W1D R 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 结到环境的热阻 TO-92 Thermal Resistance Junction Ambient TO-92 特征曲线 Rth(j-a) 最小值 最大值 Value(min) Value(max) - 125 ℃/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) VBE（sat）- IC VBEsat hFE hFE – IC PC-TC 版本：201501A POWER DERATING FACTOR VCEsat VCE(sat)- IC 单 位 Unit 3/5 R 3DD13003W1D 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-92 版本：201501A 单位 Unit ：mm 符号 Symbol 尺寸（mm） Size（mm） A 3.30-3.90 b 0.35-0.55 c 0.31-0.51 D 4.30-4.90 E 4.30-4.90 e 1.17-1.37 L 12.50-15.50 Q1 0.74-0.89 符号 Symbol 尺寸（mm） Size（mm） A 4.30-4.90 A1 4.30-4.90 A2 3.30-3.90 c TYP 0.45 F1/F2 2.20-2.80 W1 17.5-18.5 W2 5.50-6.50 H1 22.0-27.0 H2 18.0-20.0 H3 15.0-17.0 H4 8.50-9.50 P1 12.5-12.9 P2 6.00-6.70 P3 12.5-12.9 T 0.40-0.45 ∮D 3.80-4.20 △H 0.00-1.00 4/5 3DD13003W1D R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为 直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司 本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额 定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel：86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 销售业务部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）： 修订记录（Revision History） 日期 Date 2015-1-20 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 修订内容 Description of Changes 无 201501A 新建 版本：201501A 5/5