NPN 硅外延晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R 3DG9014 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 100mA VCEO 45V PC 450mW 封装 Package 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源 z High frequency switching power supply z High frequency power transform z 高频功率变换 z 一般功率放大电路 z Commonly power amplifier circuit TO-92 产品特性 z 硅外延 z 高开关速度 z 与 3DG9015 互补 z 环保（RoHS）产品 FEATURES z Epitaxial silicon z High switching speed z Complementary to 3DG9015 z RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 无卤素 Halogen Free 封 装 Package 包 装 Packaging 3DG9014-O-T-N-C 9014 否 NO TO-92 袋装 Bag 3DG9014-O-T-N-A 9014 否 NO TO-92 编带 Brede 版本：201501A 1/5 3DG9014 R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 数 值 Value 单 位 Unit VCBO 50 V VCEO 45 V 符 号 Parameter Symbol 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage（ IE=0） 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage（IC=0） VEBO 5 V 最大集电极直流电流 Collector Current（DC） IC 100 mA 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) PC 450 mW 最高结温 Junction Temperature Tj 150 ℃ 贮存温度 Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC 项 目 测试条件 Tests conditions Parameter 最小值 Value(min) 典型值 最大值 Value(typ) Value(max) 单位 Unit V(BR)CBO IC=100uA,IE=0 50 - - V V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 45 - - V V(BR)EBO IE=100uA,IC=0 5 - - V ICBO VCB=50V, IE=0 - - 50 nA IEBO VEB=5V, IC=0 - - 50 nA hFE VCE =5V, 250 350 450 VCE(sat) IC=100mA, IB=5mA - 0.14 0.3 V VBE(sat) IC=100mA, IB=5mA - 0.84 1.0 V fT VCE=5V, IC=10mA 150 270 - MHz 符 号 Symbol 最小值 最大值 单 位 Unit IC=1mA 删除的内容: Hfe 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 结到环境的热阻 TO-92 Thermal Resistance Junction Ambient TO-92 版本：201501A Rth(j-a) Value(min) Value(max) - 278 2/5 ℃/W 3DG9014 R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) VBE（sat）- IC hFE VBEsat hFE – IC PC-TC 版本：201501A POWER DERATING FACTOR VCEsat VCE(sat)- IC 3/5 3DG9014 R 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-92 版本：201501A 单位 Unit ：mm A 3.30-3.90 B 0.35-0.55 b 0.35-0.55 c 0.31-0.51 D 4.30-4.90 E 4.30-4.90 e 1.17-1.37 F 1.00-1.60 L 12.50-15.50 Q 1.00-1.60 Z 2O Z1 5O 4/5 3DG9014 R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为 直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司 本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额 定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知。 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel：86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86-432-64671533 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411 传真: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 旧版本 Last Rev. 2015-1-27 版本：201501A 新版本 New Rev. 201501A 修订内容 Description of Changes 新版本 5/5