反向阻断三极晶闸管 REVER BLOCKING TRIODE THYRISTORS(SCR) R 3CT08B 封装 Package MAIN CHARACTERISTICS 主要参数 IT(RMS) 0.8A VDRM/VRRM 800V IGT 10-100μA 序号 Pin 1 2 3 用途 APPLICATIONS z 半交流开关 z Half AC switching z 相位控制 z Phase control 产品特性 FEATURES z 玻璃钝化芯片， 高可靠性和一 致性 z 低通态电流和高 浪涌电流能力 z Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform z Low on-state voltage and High ITSM z 环保 RoHS 产品 z RoHS products 引线名称 Description K 阴极 G 门极 A 阳极 TO-92 订货信息 ORDER MESSAGES 订 货 型 号 印 Order code Marking Halogen Free Package 3CT08B -O-T-N-C 3CT08B 否 NO TO-92 袋装 3CT08B -O-T-B-A 3CT08B 否 NO TO-92 编带 Brede 绝对最大额定值 记 无卤素 封 装 包 装 Packaging Bag ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃) 项 目 Parameter 断态（反向）重复峰值电压 符 号 Symbol 试 验 条 件 数 值 单位 Condition Value Unit Repetitive peak off-state （reverse） voltage VDRM /VRRM 800 V 通态平均电流 Average on-state current IT（AV） 0.5 A 通态方均根电流 On-state RMS current IT（RMS） 0.8 A 非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Nonrepetitive surge peak on-state current ITSM half sine wave ,t=20ms 12 A I2t half sine wave，t=10ms 0.72 A2s 1 A 0.1 W ℃ 熔断 I2t I2t for fusing 峰值门极电流 Peak gate current 平均门极功率 Average gate power PG(AV) 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 操作结温 Operation junction temperature TVJ -40~125 ℃ 版本：201404B IGM over any 20ms period 1/6 3CT08B R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 项 目 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit - - 0.1 mA - - 0.1 mA - － 1.7 V 断态峰值重复电流 Peak Repetitive Blocking IDRM Current 反向峰值重复电流 Peak Repetitive Reverse IRRM Current VDM=VDRM, Tj=125℃, RGK=1KΩ VRM=VRRM, Tj=125℃, RGK=1KΩ 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=1A 门极触发电流 Gate trigger current IGT VDM=12V,IT=0.1A 10 - 100 μA 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VDM=12V,IT=0.1A - 0.65 0.8 V VDM=12V, IGT=1mA - - 1 mA - V/μs 维持电流 Holding current 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage IH dV/dt 换向关断时间 Circuit commutaded turn-off time VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃,RGK=1KΩ 10 VDM=67VDRM，Tj=125℃，VR=35V， tq - 100 - μs 件 最小 典型 最大 单位 Condition Min Typ Max Unit ITM=1.6A， dITM/dt=30A/μs， dV/dt=2V/μs，RGK=1KΩ 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 结到引线的热阻 Thermal resistance junction to lead Rth(j-l) - - 60 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal resistance junction to ambient Rth(j-a) half cycle - 150 - ℃/W 版本：201404B 2/6 R 3CT08B tq测试示意图 tq circuit principle 版本：201404B 3/6 3CT08B R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 器件温度 TC （℃） TC- IT（AV） 通态平均电流 IT（AV） （A） 通态电流 IT (A) IT – VTM 通态电压 VTM （V） 通态浪涌电流 ITSM(A) ITSM - tp 脉冲宽度 tp(ms) 版本：201404B 4/6 R 3CT08B 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-92 版本：201404B 单位 Unit ：mm 5/6 3CT08B R 注意事项 NOTE 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售 分为直销和销售代理，无论哪种方式， 订货时请与公司核实。 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent, thus, for customers, when ordering, please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与 公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最 大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax： 86-432-64665812 Web Site： www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 海外业务部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话：86-432-64675588 64675688 64678411 传真：86-432-64671533 MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 2014-4-8 108A 404B 版本：201404B 修订内容 Description of Changes 增加 ITSM 曲线 6/6