Z1210NC/F

双向晶闸管
TRIACS
R
Z1210NC/F
MAIN CHARACTERISTICS
主要参数
IT(RMS)
12A
VDRM
800V
IGT
10mA
用途
APPLICATIONS
z 交流开关
z AC switching
z 相位控制
z Phase control
封装 Package
序号
引线名称
Pin
Description
1
主电极 1 MT1
2
主电极 2 MT2
G
3
门极
TO-220C
产品特性
FEATURES
z 平面钝化芯片高
可靠性、一致性
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z Planar chip for reliability
and uniform
z Low on-state voltage and
High ITSM
z 环保 RoHS 产品
z RoHS products
TO-220HF
订货信息 ORDER MESSAGES
订 货 型 号
印
Order code
Marking
Package
Packaging
Z1210NC-O-C-N-B
Z1210NC
TO-220C
条管
Tube
Z1210NF-O-HF-N-B
Z1210NF
TO-220HF
条管
Tube
版本:201412A
记
封
装
包
装
1/7
Z1210NC/F
R
绝对最大额定值
项
ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃)
目
Parameter
符
号
数 值
单位
Condition
Value
Unit
±800
V
full sine wave
12
A
full sine wave ,t=20ms
95
A
full sine wave ,t=16.7ms
105
A
t=10ms
45
A2s
50
A/μs
Symbol
重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
VDRM
通态方均根电流 On-state RMS current
IT(RMS)
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Nonrepetitive surge peak on-state current
ITSM
2
It
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering
试 验 条 件
dI/dt
ITM=20A, IG=0.2A,
dIG/dt=0.2A/μs
峰值门极电流
Peak gate current
IGM
2
A
峰值门极电压
Peak gate voltage
VGM
5
V
峰值门极功率
Peak gate power
PGM
5
W
平均门极功率
Average gate power
PG(AV)
0.5
W
存储温度
Storage temperature
Tstg
-40~150
℃
操作结温 Operation junction temperature
TVJ
125
℃
版本:201412A
over any 20ms period
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Z1210NC/F
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃)
项
目
符 号
测 试 条 件
最小
典型
最大
单位
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
-
-
0.8
mA
-
1.4
1.65
V
MT1(-),MT2(+),G(+)
-
2.5
10
mA
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
-
4.0
10
mA
RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)
-
5.0
10
mA
MT1(+),MT2(-),G(+)
-
11
25
mA
MT1(-),MT2(+),G(+)
-
-
1.5
V
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
-
-
1.5
V
RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
1.5
V
MT1(+),MT2(-),G(+)
-
-
1.5
V
-
4.0
30
mA
MT1(-),MT2(+),G(+)
-
3.2
25
mA
MT1(-),MT2(+),G(-)
-
16
35
mA
MT1(+),MT2(-),G(-)
-
4.0
25
mA
-
50
-
V/μs
件
最小
典型
最大
单位
Condition
Min
Typ
Max
Unit
峰值重复断态电流
Peak Repetitive Blocking IDRM
Current
峰值通态电压
Peak on-state voltage
门极触发电流
Gate trigger current
门极触发电压
Gate trigger voltage
VTM
IGT
VGT
维持电流
Holding current
IH
擎住电流
Latching current
断态临界电压上升率
Rise of off- state voltage
VDM=VDRM, Tj=125℃,
gate open
ITM=15A
VDM=12V, IGT=0.1A
VDM=12V,
IL
IGT=0.1A
dV/dt
VDM=67% VDRM(MAX),
Tj=125℃, gate open
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance
junction to case
版本:201412A
符
号
Symbol
Rth(j-c)
条
full cycle(TO-220C)
1.5 ℃/W
full cycle(TO-220HF)
2.8 ℃/W
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Z1210NC/F
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IT(RMS) - TC
态峰值耗散功率 Ptot(W)
通态方均根电流 IT(RMS)(A)
Ptot- IT(RMS)
通态方均根电流 IT(RMS)(A)
管壳温度 TC (℃)
IT(RMS)- ts
通态浪涌电流 ITSM(A)
通态方均根电流 IT(RMS)(A)
ITSM - tp
脉冲宽度 tp(ms)
冲击持续时间 ts(s)
VTM - IT
电流 IT(A)
比值 IGT(Tj)/IGT(25℃)
IGT(Tj)/IGT(25℃) - Tj
结温 Tj(℃)
版本:201412A
通态压降 VTM(V)
4/7
R
Z1210NC/F
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
版本:201412A
单位 Unit :mm
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R
Z1210NC/F
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220HF
版本:201412A
单位 Unit :mm
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Z1210NC/F
R
注意事项
NOTE
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分为直销和销售代理,无论哪种方式,
订货时请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to change
without prior notice.
2. 购买时请认清公司商标,如有疑问请与
公司本部联系。
3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最
大额定值,否则会影响整机的可靠性。
4. 本说明书如有版本变更不另外告知
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公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City,
Jilin Province, China.
Post Code: 132013
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Web Site: www.hwdz.com.cn
邮编:132013
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市场业务部
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电话:86-432-64675588
64675688
64678411
传真:86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
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Jilin Province, China.
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86-432-64675588
64675688
64678411
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附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期 Date
版本:201412A
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新版本 New Rev.
修订内容 Description of Changes
7/7