双向晶闸管TRIACS 主要参数MAIN CHARACTERISTICS 用途

双向晶闸管
TRIACS
R
3TT1T
MAIN CHARACTERISTICS
主要参数
IT(RMS)
1.0A
VDRM
600V/800V
IGT
10mA
用途
APPLICATIONS
z 交流开关
z AC switching
z 相位控制
z Phase control
产品特性
FEATURES
z 玻璃钝化芯片,高
可靠性和一致性
z Glass-passivated mesa
chip for reliability and
uniform
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z Low on-state voltage and
High ITSM
z 环保 RoHS 产品
z RoHS products
封装 Package
序号
引线名称
Pin
Description
1
主电极 1 MT1
G
2
门极
3
主电极 2 MT2
TO-92
TO-92 反极
订货信息 ORDER MESSAGES
订 货 型 号
印
Order code
Marking
Package
3TT1T-O-T-N-C
3TT1T
TO-92
袋装
Bag
3TT1T-O-T-B-A
3TT1T
TO-92 反极
编带
Tape
版本:201109A
记
封
装
包
装
Packaging
1/6
3TT1T
R
绝对最大额定值
项
ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃)
目
Parameter
符
号
数 值
单位
Condition
Value
Unit
Symbol
重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
VDRM
通态方均根电流 On-state RMS current
IT(RMS)
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Nonrepetitive surge peak on-state current
ITSM
±600
±800
V
full sine wave
1.0
A
full sine wave ,t=20ms
12.5
A
full sine wave ,t=16.7ms
13.7
A
t=10ms
0.78
A2s
100
A/μs
IGM
1
A
2
It
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering
试 验 条 件
MT1(-),MT2(+),G(+);
dI/dt
MT1(-),MT2(+),G(-);
MT1(+),MT2(-),G(-)
峰值门极电流
Peak gate current
平均门极功率
Average gate power
PG(AV)
0.1
W
存储温度
Storage temperature
Tstg
-40~150
℃
操作结温 Operation junction temperature
TVJ
125
℃
版本:201109A
2/6
3TT1T
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃)
项
目
符 号
测 试 条 件
最小
典型
最大
单位
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
-
-
0.5
mA
-
-
1.7
V
MT1(-),MT2(+),G(+)
-
-
10
mA
MT1(-),MT2(+),G(-)
-
-
10
mA
MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
10
mA
峰值重复断态电流
Peak Repetitive Blocking IDRM
Current
峰值通态电压
Peak on-state voltage
门极触发电流
Gate trigger current
门极触发电压
Gate trigger voltage
VTM
IGT
VDM=VDRM, Tj=125℃,
gate open
ITM=2A
VDM=12V,
RL=100Ω
VGT
VDM=12V,RL=100Ω
-
-
1.5
V
维持电流
Holding current
IH
VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
12
mA
擎住电流
Latching current
IL
VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
20
mA
200
-
-
V/μs
件
最小
典型
最大
单位
Condition
Min
Typ
Max
Unit
断态临界电压上升率
Rise of off- state voltage
dV/dt
VDM=67% VDRM(MAX),
Tj=125℃, gate open
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
条
结到引线的热阻
Thermal resistance
junction to lead
Rth(j-l) full cycle(TO-92)
-
-
60
℃/W
结到环境的热阻
Thermal resistance
junction to ambient
Rth(j-a)
-
150
-
℃/W
版本:201109A
3/6
3TT1T
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
通态峰值耗散功率 Ptot(W)
Ptot- IT(RMS)
通态方均根电流 IT(RMS) (A)
通态电流 IT
(A)
IT – VTM
通态电压 VTM
版本:201109A
(V)
4/6
R
3TT1T
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-92/TO-92 反极
版本:201109A
单位 Unit :mm
5/6
3TT1T
R
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NOTE
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分为直销和销售代理,无论哪种方式,
订货时请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
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agent, thus, for customers, when ordering,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please don’t
be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
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without prior notice.
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公司本部联系。
3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最
大额定值,否则会影响整机的可靠性。
4. 本说明书如有版本变更不另外告知
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公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
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市场营销部
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电话:86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真:86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
Post Code: 132013
Tel:
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax:
86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期 Date
版本:201109A
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新版本 New Rev.
修订内容 Description of Changes
6/6