双向晶闸管 TRIACS R 3TT1T MAIN CHARACTERISTICS 主要参数 IT(RMS) 1.0A VDRM 600V/800V IGT 10mA 用途 APPLICATIONS z 交流开关 z AC switching z 相位控制 z Phase control 产品特性 FEATURES z 玻璃钝化芯片，高 可靠性和一致性 z Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform z 低通态电流和高 浪涌电流能力 z Low on-state voltage and High ITSM z 环保 RoHS 产品 z RoHS products 封装 Package 序号 引线名称 Pin Description 1 主电极 1 MT1 G 2 门极 3 主电极 2 MT2 TO-92FJ 订货信息 ORDER MESSAGES 订 货 型 号 印 Order code Marking Package Packaging 3TT1T-O-T-B-A-FJ 3TT1T TO-92FJ 编带 版本：201301B 记 封 装 包 装 Tape 1/6 3TT1T R 绝对最大额定值 项 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃) 目 Parameter 符 号 数 值 单位 Condition Value Unit Symbol 重复峰值断态电压 Repetitive peak off-state voltage VDRM 通态方均根电流 On-state RMS current IT(RMS) 非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Nonrepetitive surge peak on-state current ITSM ±600 ±800 V full sine wave 1.0 A full sine wave ,t=20ms 12.5 A full sine wave ,t=16.7ms 13.7 A t=10ms 0.78 A2s MT1(-),MT2(+),G(+)； MT1(-),MT2(+),G(-)； MT1(+),MT2(-),G(-) 100 A/μs IGM 1 A 2 It 通态电流临界上升率 Repetitive rate of rise of on-state current after triggering 试 验 条 件 dI/dt 峰值门极电流 Peak gate current 平均门极功率 Average gate power PG(AV) 0.1 W 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温 Operation junction temperature TVJ 125 ℃ 版本：201301B 2/6 3TT1T R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 项 目 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit - - 0.5 mA - - 1.7 V MT1(-),MT2(+),G(+) - - 10 mA MT1(-),MT2(+),G(-) - - 10 mA MT1(+),MT2(-),G(-) - - 10 mA 峰值重复断态电流 Peak Repetitive Blocking IDRM Current 峰值通态电压 Peak on-state voltage 门极触发电流 Gate trigger current 门极触发电压 Gate trigger voltage VTM IGT VDM=VDRM, Tj=125℃, gate open ITM=2A VDM=12V, RL=100Ω VGT VDM=12V,RL=100Ω - - 1.5 V 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A - - 12 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A - - 20 mA 200 - - V/μs 件 最小 典型 最大 单位 Condition Min Typ Max Unit 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃, gate open 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 结到引线的热阻 Thermal resistance junction to lead Rth(j-l) full cycle（TO-92FJ） - - 60 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal resistance junction to ambient Rth(j-a) - 150 - ℃/W 版本：201301B 3/6 3TT1T R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 通态峰值耗散功率 Ptot(W) Ptot- IT(RMS) 通态方均根电流 IT（RMS） （A） 通态电流 IT (A) IT – VTM 通态电压 VTM 版本：201301B （V） 4/6 R 3TT1T 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-92FJ 版本：201301B 单位 Unit ：mm 5/6 3TT1T R 注意事项 NOTE 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售 分为直销和销售代理，无论哪种方式， 订货时请与公司核实。 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent, thus, for customers, when ordering, please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与 公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最 大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax： 86-432-64665812 Web Site： www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话：86-432-64675588 64675688 64678411 传真：86-432-64671533 MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 修订内容 Description of Changes 2013-1-17 201109A 201301B 删除 TO-92 封装形式 版本：201301B 6/6