3CT12B - 吉林华微电子股份有限公司

反向阻断三极晶闸管
Rever Blocking Triode Thyristors(SCR)
R
3CT12B
封装 Package
MAIN CHARACTERISTICS
主要参数
IT(AV)
12A
VDRM/VRRM
800V
IGT
1-25mA
序号
Pin
1
2
3
用途
APPLICATIONS
z 半交流开关
z Half AC switching
z 相位控制
z Phase control
产品特性
FEATURES
z 玻璃钝化芯片,
高可靠性和一
致性
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z Glass-passivated mesa
chip for reliability and
uniform
z Low on-state voltage and
High ITSM
z 环保 RoHS 产品
z RoHS products
引线名称
Description
K
阴极
A
阳极
G
门极
TO-263
订货信息 ORDER MESSAGES
订 货 型 号
印
Order code
Marking
Package
Packaging
3CT12B-O-S-N-A
3CT12B
TO-263
编带 Tape
绝对最大额定值
项
记
封
装
包
装
ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃)
目
Parameter
符
号
试 验 条 件
数 值
单位
Condition
Value
Unit
Symbol
断态重复峰值电压
Repetitive peak off-state voltage
VDRM
800
V
反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
800
V
通态平均电流 Average on-state current
IT(AV)
half sine wave
12
A
通态方均根电流 On-state RMS current
IT(RMS)
all conduction angles
18
A
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Nonrepetitive surge peak on-state current
ITSM
half sine wave ,t=20ms
150
A
112.5
A2s
2
A
0.5
W
I2t
t=10ms
峰值门极电流
Peak gate current
平均门极功率
Average gate power
PG(AV)
存储温度
Storage temperature
Tstg
-40~150
℃
操作结温 Operation junction temperature
TVJ
125
℃
版本:201508A
IGM
over any 20ms period
1/5
3CT12B
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃)
项
目
符 号
测 试 条 件
最小
典型
最大
单位
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
断态峰值重复电流
Peak Repetitive Blocking IDRM VDM= VDRM(MAX),Tj=125℃
Current
-
-
1.0
mA
反向峰值重复电流
Peak Repetitive Reverse IRRM VRM= VRRM(MAX),Tj=125℃
Current
-
-
1.0
mA
峰值通态电压
Peak on-state voltage
VTM
ITM=40A
-
1.45
1.8
V
门极触发电流
Gate trigger current
IGT
VDM=12V,IT=0.1A
1
-
25
mA
门极触发电压
Gate trigger voltage
VGT
VDM=12V,IT=0.1A
-
0.8
1.5
V
维持电流
Holding current
IH
VDM=12V, IGT=100mA
-
-
50
mA
擎住电流
Holding current
IL
VDM=12V, IGT=100mA
-
-
70
mA
dV/dt VDM=67% VDRM(MAX),Tj=125℃
500
-
-
V/μs
件
最小
典型
最大
单位
Condition
Min
Typ
Max
Unit
断态临界电压上升率
Rise of off- state voltage
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
条
结到基座的热阻
Thermal resistance
junction to case
Rth(j-c)
-
-
结到环境的热阻
Thermal resistance
junction to ambient
Rth(j-a) half cycle
-
60
版本:201508A
1.1 ℃/W
-
℃/W
2/5
3CT12B
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
器件温度 TC (℃)
TC- IT(AV)
通态平均电流 IT(AV) (A)
通态电流 IT
(A)
IT – VTM
通态电压 VTM
版本:201508A
(V)
3/5
R
3CT12B
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-263
版本:201508A
单位 Unit :mm
4/5
3CT12B
R
注意事项
NOTE
1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售
分为直销和销售代理,无论哪种方式,
订货时请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent, thus, for customers, when ordering,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to change
without prior notice.
2. 购买时请认清公司商标,如有疑问请与
公司本部联系。
3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最
大额定值,否则会影响整机的可靠性。
4. 本说明书如有版本变更不另外告知
联系方式
CONTACT
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公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City,
Jilin Province, China.
Post Code: 132013
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销售业务部
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电话:86-432-64675588
64675688
64678411
传真:86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
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64675688
64678411
Fax:
86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期 Date
版本:201508A
旧版本 Last Rev.
新版本 New Rev.
修订内容 Description of Changes
5/5