产品规格书 SPECIFICATION 客: 顾 产 品 名 称: MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) 产 品 型 号: 期: MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., 日 Li mi te d 顾客部品号: 顾 客 确 认 . 批 准 研 究 开 发 中 心 审 核 制 定 产品名称:片式发光二极管 产品规格书 MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) MAKOSEMI-0603QGC(翠绿)特点: 管芯材料: InGaN/GaN 绿色 无色透明封装 1.6mm×0.8 mm×0.4 mm 片式发光二极管 光强高,功耗低,可靠性高,寿命长 符合欧盟公布的 RoHS 指令 d 用途: Li mi te 一、 移动电话、LCD 背光源、汽车仪表照明以及用表面贴装结构的 二、 MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., 电子产品等。 极限参数(TA=25℃) : 最小值 参数 正向电流 IF 正向脉冲电流 IFP* 反向电压 VR 工作温度 TOPR 贮存温度 TSTG 功 耗 PD -30 -40 最大值 25 100 5 +85 +85 120 单位 mA mA V ℃ ℃ mW *注:脉冲宽度 0.1ms,占空比 1/10。 三、 光电参数(TA=25℃) : 参数名称 正向电压 VF 反向电流 IR 主波长λD 半波宽度△λ 光 强 IV 条件 IF=20mA VR=5V IF=20mA IF=20mA IF=20mA MAKO Semiconductor Co., Limited 单位 V μA nm nm mcd 4008-378-873 -2- 最小值 典型值 3.3 最大值 4.0 50 520 30 400 www.makosemi.hk 产品规格书 产品名称:片式发光二极管 MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., Li mi te d 五、外形尺寸: (单位:mm) φ59.6 3.0 φ178.4±1.0 φ13.1 5.0 4. 0 2.0 4.0 LABEL 1.25 9.5 MAKO Semiconductor Co., Limited 4008-378-873 -3- www.makosemi.hk 产品名称:片式发光二极管 产品规格书 MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) 图1 〈单位:mm〉 前进方向 4.0 φ 1. 0.22 1.08 8.0 3.5 5.4 1.88 Li mi te d 1.75 5 MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., 0.1 1.04 2.0 Anode 4.0 图2 六、特性曲线: 图2 MAKO Semiconductor Co., Limited 4008-378-873 -4- www.makosemi.hk 产品名称:片式发光二极管 产品规格书 MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) 40 30 20 10 0 2.5 3.5 3.0 5.0 4.5 4.0 10 1 0.1 1 MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r Co RELATIVE LUMINOkUS INTENSITY ., FORDWARD CURRENT DERATING CURVE FORWARD CURRENT (mA) 10 100 FORWARD CURRENT (mA) FORWARD VOLTAGE (V) 100 d 50 LUMINOUS INTENSITY Vs FORWARD CURRENT Li mi te RELATIVE LUMINOUS INTENSITY FORWARD CURRENT (mA) FORDWARD CURRENT Vs FORWARD VOLTAGE LUMINOUS INTENSITY Vs AMBIENT TEMPERATURE 2 80 1 60 0.5 40 0.2 20 0.1 0 0 20 40 60 80 100 -30 AMBIENT TEMPERATURE (℃) -10 0 10 30 50 70 AMBIENT TEMPERATURE (℃) 七、可靠性试验: 序号 试验项目 MAKO Semiconductor Co., Limited 试验条件 4008-378-873 -5- 数量 判据 www.makosemi.hk 产品名称:片式发光二极管 产品规格书 4 5 6 *1 失效判断标准 测试项目 正向电压 反向电流 光强 0/15 润湿良好 0/18 *1 0/15 *1 0/38 *1 0/25 *1 d 3 T=300℃ t =3.5±0.5sec. TA=-40℃,TB=+85℃ 温度快速变化 循环 5 次,暴露时间:10min 转移时间:(2~3)min 继之以循环湿 T=25~55℃, RH=(90~95)% 热 2 次循环 48h 恢复时间 2 h 耐焊接热试验 红外回流焊法 见图 3 IF=25mA 电耐久性试验 t =1000h Tstg=+85℃ 高温贮存试验 t=1000h T=25~55℃, RH=(90~95)% 循环湿热 6 次循环 144 h 恢复时间 2 h Li mi te 2 可焊性试验 MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., 1 MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) 符号 VF IR IV 测试条件 IF=20mA VR=5V IF=20mA 0/18 *1 失效判断标准 ≥U×1.1 ≥U×2 ≤S×0.7 U:上限值,S:初始值 八、包装: 1) 包装材料:编带(请参照图 1) 2) 标识:在编带上贴有标签(产品合格证) 3)SMD 载带的具体细节: MAKO Semiconductor Co., Limited 4008-378-873 -6- www.makosemi.hk 产品名称:片式发光二极管 产品规格书 MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) (结束) (开始) 安装 SMD LED 编带空载 编带空载 160 ~ 200mm 4)每编带负载数量:4000 只 (见图 2) 九、使用注意事项: 1) 静电: d 本产品对静电敏感,所以在使用本产品时必须采取有效的防护措 Li mi te 施。尤其是静电产生的高压电流超过产品的最大额定值,会引起产品 MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., 的损坏,或者可能使到产品完全失效。必须避免直接触摸管脚。客户 使用产品时,应采取安全的防止静电和电涌的对应措施。 使用防静电手环,防静电垫子,防静电工作服和工作鞋,手套和 防静电容器,都是有效的防止静电和电涌的对应措施。烙铁点应正确 接地。 2) 焊接: ① 使用烙铁人手焊接: 推荐使用小于 20W 的烙铁,而且烙铁的温度必须保持不高于 300℃,一次焊接时间不超过 3 秒。 ② 回流焊: a. 推荐图表 3 中的温度图; 1~5℃/sec. Temperature MAKO Semiconductor Co., Limited 10sec.Max. 260℃Max. 4008-378-873 www.makosemi.hk Pre-heating 180~200℃ -7Above 200℃ 60sec.Max. 1~5℃/sec. 120sec.Max. 产品规格书 产品名称:片式发光二极管 MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) 图3 b.在焊接后,产品的温度下降到正常室温时,小心注意处理产品。 Li mi te d 3) 清洗: 在焊接后必须按照以下条件进行清洗: ② ③ 清洗溶剂:氟利昂 TF 或相等溶剂,或者用酒精; MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., ① 温度:30 秒 最高 50℃ 或者 3 分钟 最高 30℃; 超声波清洗:最大功率 300W。 4) 其他事项: a. 当 SMD LED 暴露在高温状态下,注意不要压其环氧部分; b. 注意不要使用硬物和带尖锐边的物体刮、擦 SMD LED 的环氧 部分,例如喷砂设备和金属钩。因为环氧树脂是相当脆弱和容易被 破坏。 X 主波长*1 λD(nm) 517.5 ~ 520 520 ~ 522.5 522 5 ~ 525 对应 代号 E F G 附表:分档标准: MAKO Semiconductor Co., Limited 4008-378-873 -8- www.makosemi.hk 产品名称:片式发光二极管 产品规格书 X XX MAKOSEMI-0603QGC(翠绿) XX 压降(V) 光强(mcd) 主波长(λD) XX d 对应 光强*2 对应 代号 IV(mcd) 代号 N1 270 ~ 330 O1 N0 O0 N2 330 ~ 400 O2 P1 P0 P2 不分档 XX MA 40 KO ww 08 Se w. -3 mi ma 78 co ko -8 nd se 73 uc mi to .h r k Co ., 光强* IV(mcd) 180 ~ 220 220 ~ 270 400 ~ 500 500 ~ 600 Li mi te 2 压降*3 VF(V) 3.0 ~ 3.1 3.1 ~ 3.2 3.4 ~ 3.5 3.5 ~ 3.6 对应 压降*3 代号 VF(V) J1 3.2 ~ 3.3 J0 J2 3.3 ~ 3.4 L1 L0 L2 不分档 对应 代号 K1 K0 K2 XX 注:测试条件:IF=20mA *1:仪器测试误差:±1nm *2:仪器测试误差:±20% *3:仪器测试误差:±0.05V MAKO Semiconductor Co., Limited 4008-378-873 -9- www.makosemi.hk