单音1.9W / 立体音300mW 功率放大器低工作电压,无POP噪讯,待机

MS6853
MOSA
单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
单音1.9W / 立体音300mW 功率放大器
低工作电压,
低工作电压,无POP噪讯,
噪讯,待机功能
特性
产品应用
‧ 工作电压: 2.4V ~ 6.5V。
‧ 待机电流 18uA(5V)。
‧ THD+N = 1% 之输出功率。
‧
‧
‧
‧
‧
模式
BTL
SE
负载
3Ω
4Ω
8Ω
8Ω
32Ω
5V
2.1W
1.9W
1.2W
0.3W
90mW
3.3V
0.83W
0.54W
125mW
43mW
2.7V
500mW
350mW
85mW
25mW
桌上型计算机声卡。
可携式音频装置。
PDA。
掌上型游戏机。
电子字典。
‧ 相容IC:SSM2250, LM4853。
‧ 封装种类有MSOP10(带有散热片)与
TSSOP14。
‧ 耳机侦测。
‧ 稳定的增益,无POP噪讯。
‧ 待机与一般操作转换无延迟时间。
描述
MS6853是一颗低失真功率放大器,能驱动一个单音4奥姆喇叭(BTL模式),功率可达1.9瓦,或一组32奥姆立体
声耳机(2*90毫瓦 SE模式)。能利用耳机侦测功能自动侦测BTL模式与SE模式。BTL结构不需要在输出端加上
外部耦合电容。待机与一般操作转换无延迟时间。MS6853的增益取决于外部电阻。
MS6853适合于可携式装置的优异特性,包含低工作电压、低功率消耗、待机模式,封装有MSOP10(带有散热
片)、TSSOP14。
方块图
VDD
L-IN
+
A1
L-OUT / BTL OUT-
BYPASS
+
A2
BTL OUT+
VDD
R-IN
-
A3
R-OUT
+
Mono / Stereo Mode
Switching Circuitry
VDD
GND
版本 6
Click/Pop
Reduction
Bias
HP-IN
SHUTDOWN
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
脚位配置
符号
L-IN
MSOP10脚位
脚位
1
TSSOP14脚位
脚位
2
描述
SHUTDOWN
HP-IN
GND
2
3
4
3
4
5
待机控制脚位(TTL 输入准位)
耳机输入侦测脚位(Low : BTL模式,High : SE模式)
接地
R-IN
5
6
右声道输入
R-OUT
6
9
右声道输出
BY PASS
7
10
参考电压(CBP需为0.1µF ~ 10µF)
BTL OUT+
8
11
BTL正端输出
VDD
L-OUT/BTL
OUTnc
9
12
供给电源
10
13
左声道输出或BTL负端输出
-
1,7,8,14
左声道输入
空脚
TSSOP14
MSOP10
L-IN
1
10
L-OUT / BTL OUT-
SHUTDOWN
2
9
VDD
HP-IN
3
8
BTL OUT +
GND
4
7
BYPASS
R-IN
5
6
R-OUT
Thermal
Pad
nc
1
14
nc
L-IN
2
13
L-OUT / BTL OUT-
SHUTDOWN
3
12
VDD
HP-IN
4
11
BTL OUT +
GND
5
10
BYPASS
R-IN
6
9
R-OUT
nc
7
8
nc
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MS6853
订购信息
封装形式
10-Pin MSOP (lead free)
产品编号
MS6853MGTR
封装正印
6853G
运送包装
3.5k Units Tape and Reel
10-Pin MSOP (lead free)
MS6853MGU
6853G
80 Units Tube
14Pin TSSOP (lead free)
MS6853TGTR
MS6853G
2.5Units Tape and Reel
14Pin TSSOP (lead free)
MS6853TGU
MS6853G
98Units Tube
遵循RoHS规范
版本 6
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
最大容许规格
符号
VDD
参数
额定值
6.5
单位
V
工作电压
VESD
抗静电处理
-3000 to 3000
V
TSTG
TA
储存温度
-65 to 150
℃
工作环境温度
-40 to 85
TJ
℃
最大接合温度
150
℃
TS
焊接温度(10秒)
260
℃
RTHJA
接面热阻(介质:空气)
MSOP10 (附加散热片)
TSSOP14
50
150
℃/W
5V电气特性
电气特性
Ta = 25°C, VDD=5V, f=1kHz, BW<30kHz。
符号
参数
IQ
静态电流
ISD
待机电流
VSDH
待机控制(高准位)
测试条件
BTL模式,VIN=0V, IO=0A
SE模式,VIN=0V, IO=0A
最小值 额定值
2.4
-
待机模式,VSD=VDD
2.4
最大值
-
单位
mA
-
mA
18
2.0
uA
-
-
V
VSDL
待机控制(低准位)
-
-
0.8
V
VHPINH
HP-IN 输入电压(高准位)
-
0.75VDD
-
V
VHPINL
HP-IN 输入电压(低准位)
-
0.65VDD
-
V
CS
声道隔离度
SE模式,RL=32Ω
100
110
-
dB
BTL模式,RL=8Ω
CBP=1uF, f=100Hz
-
73
-
dB
SE模式,RL=32Ω
CBP =10uF, f=100Hz
-
64
-
dB
-
-73
-68
dB
PSRR
电源涟波拒斥比
THD+N
总谐波失真
S/N
信号噪声比
Po
版本 6
输出功率
滞后(Hysteresis)电压
SE模式,RL=32Ω, 60mW
-
0.022
0.04
%
90
95
-
dB
BTL模式,RL = 3Ω
THD+N = 1%
-
2.1
-
W
BTL模式,RL = 4Ω
THD+N = 1%
-
1.9
-
W
BTL模式,RL = 8Ω
THD+N = 1%
-
1.2
-
W
SE模式,RL =8Ω
THD+N = 1%
-
300m
-
W
SE模式,RL = 32Ω
THD+N = 1%
-
90m
-
W
SE模式,A-weighting
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
3.3V电气特性
电气特性
Ta = 25°C,VDD=3.3V,f=1kHz,BW<30kHz。
符号
参数
IQ
静态电流
ISD
CS
PSRR
测试条件
BTL模式,VIN=0V, IO = 0A
最大值
-
单位
mA
SE模式,VIN=0V, IO = 0A
-
2.1
-
mA
待机电流
待机模式,VSD=VDD
-
12
-
uA
声道隔离度
SE模式,RL=32Ω
100
110
-
dB
BTL模式,RL=8Ω
CBP=1uF, f=100Hz
-
73
-
dB
SE模式,RL=32Ω
CBP =10uF, f=100Hz
-
67
-
dB
电源涟波拒斥比
-70
-65
dB
0.032
0.056
%
89
94
-
dB
BTL模式,RL = 4Ω
THD+N = 1%
-
0.83
-
W
BTL模式,RL = 8Ω
THD+N = 1%
-
0.54
-
W
SE模式,RL =8Ω
THD+N = 1%
-
125m
-
W
SE模式,RL = 32Ω
THD+N = 1%
-
43m
-
W
最大值
-
单位
mA
THD+N
总谐波失真
SE模式,RL=32Ω, 25mW
S/N
信号噪声比
SE模式,A-weighting
Po
最小值 额定值
2.1
输出功率
-
2.7V电气特性
电气特性
Ta = 25°C, VDD=2.7V, f=1kHz, BW<30kHz。
参数
符号
IQ
静态电流
ISD
CS
PSRR
测试条件
BTL模式,VIN=0V, IO=0A
SE模式,VIN=0V, IO=0A
-
2
-
mA
待机电流
待机模式,VSD=VDD
-
7.5
-
uA
声道隔离度
SE模式,RL=32Ω
100
110
-
dB
BTL模式,RL=8Ω
CBP=1uF, f=100Hz
-
73
-
dB
SE模式,RL=32Ω
CBP =10uF, f=100Hz
-
67
-
dB
-
-69
-64
dB
0.036
0.063
%
87
92
-
dB
BTL模式,RL = 4Ω
THD+N = 1%
-
0.51
-
W
BTL模式,RL = 8Ω
THD+N = 1%
-
0.35
-
W
SE模式,RL = 8Ω
THD+N = 1%
-
85m
-
W
SE模式,RL = 32Ω
THD+N = 1%
-
25m
-
W
电源涟波拒斥比
THD+N
总谐波失真
SE模式,RL=32Ω,15mW
S/N
信号噪声比
SE模式,A-weighting
Po
版本 6
最小值 额定值
2
输出功率
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
2.4V电气特性
电气特性
Ta = 25°C, VDD=2.4V, f=1kHz, BW<30kHz。
符号
参数
测试条件
最小值 额定值 最大值
-68
-63
单位
dB
0.0398
0.07
%
86
90
-
dB
BTL模式,RL = 4Ω
THD+N = 1%
-
0.37
-
W
BTL模式,RL = 8Ω
THD+N = 1%
-
0.27
-
W
SE模式,RL = 8Ω
THD+N = 1%
-
67m
-
W
SE模式,RL = 32Ω
THD+N = 1%
-
21m
-
W
THD+N
总谐波失真
SE模式,RL=32Ω,15mW
S/N
信号噪声比
SE模式,A-weighting
Po
版本 6
输出功率
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
典型的特性曲线图
Ta = 25°C, BW<30kHz。
VDD=3.3V
BTL mode
RL=4Ω
Po=0.8W
Po=0.5W
THD+N (%)
THD+N (%)
Po=1.9W
VDD=2.7V
BTL mode
RL=4Ω
THD+N (%)
VDD=5V
BTL mode
RL=4Ω
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
THD+N vs. 频率
THD+N vs. 频率
THD+N vs. 频率
VDD=3.3V
BTL mode
RL=8Ω
VDD=5V
BTL mode
RL=8Ω
VDD=2.7V
BTL mode
RL=8Ω
Po=0.5W
Po=0.3W
Po=0.34W
THD+N (%)
Po=1W
THD+N (%)
THD+N (%)
Po=1.2W
Po=0.25W
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
THD+N vs. 频率
THD+N vs. 频率
THD+N vs. 频率
VDD=3.3V
SE mode
RL=32Ω
VDD=5V
SE mode
RL=32Ω
VDD=2.7V
SE mode
RL=32Ω
Po=25mW
版本 6
Po=35mW
THD+N (%)
Po=60mW
Po=25mW
THD+N (%)
THD+N (%)
Po=90mW
Po=15mW
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
THD+N vs. 频率
THD+N vs. 频率
THD+N vs. 频率
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
f=20kHz
f=20kHz
VDD=5V
BTL mode
RL=4Ω
THD+N (%)
f=1kHz
THD+N (%)
THD+N (%)
f=20kHz
f=1kHz
VDD=2.7V
BTL mode
RL=4Ω
VDD=3.3V
BTL mode
RL=4Ω
f=20Hz
f=1kHz
f=20Hz
f=20Hz
OUTPUT POWER (W)
OUTPUT POWER (W)
THD+N vs. 输出功率
THD+N vs. 输出功率
输出功率
f=20kHz
f=20kHz
f=1kHz
f=1kHz
f=1kHz
f=20Hz
VDD=5V
BTL mode
RL=8Ω
THD+N (%)
f=20kHz
THD+N (%)
THD+N (%)
OUTPUT POWER (W)
THD+N vs. 输出功率
f=20Hz
VDD=3.3V
BTL mode
RL=8Ω
f=20Hz
VDD=2.7V
BTL mode
RL=8Ω
OUTPUT POWER (W)
OUTPUT POWER (W)
OUTPUT POWER (W)
THD+N vs. 输出功率
THD+N vs. 输出功率
THD+N vs. 输出功率
f=20kHz
f=20kHz
f=1kHz
f=1kHz
THD+N (%)
f=1kHz
THD+N (%)
THD+N (%)
f=20kHz
f=20Hz
f=20Hz
f=20Hz
VDD=5V
SE mode
RL=32Ω
版本 6
VDD=3.3V
SE mode
RL=32Ω
VDD=2.7V
SE mode
RL=32Ω
OUTPUT POWER (W)
OUTPUT POWER (W)
OUTPUT POWER (W)
THD+N vs. 输出功率
THD+N vs. 输出功率
THD+N vs. 输出功率
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
CBP=10uF
CBP=10uF
CBP=1uF
VDD=5V
SE mode
RL=32Ω
PSRR (dB)
PSRR (dB)
PSRR (dB)
CBP=10uF
CBP=1uF
CBP=1uF
VDD=2.7V
SE mode
RL=32Ω
VDD=3.3V
SE mode
RL=32Ω
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
PSRR vs. 频率
PSRR vs. 频率
PSRR vs. 频率
CBP=1uF
CBP=1uF
CBP=10uF
CBP=10uF
VDD=5V
BTL mode
RL=8Ω
PSRR (dB)
PSRR (dB)
PSRR (dB)
CBP=10uF
CBP=1uF
VDD=3.3V
BTL mode
RL=8Ω
VDD=2.7V
BTL mode
RL=8Ω
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
PSRR vs. 频率
PSRR vs. 频率
PSRR vs. 频率
VDD=5V
Po=90mW
VDD=3.3V
Po=40mW
VDD=2.7V
Po=25mW
MODE
QUIESCENT CURRENT (mA)
CHANNEL SEPARATION (dB)
VIN=0V
No load
SE mode
RL=32Ω
版本 6
SUPPLY VOLTAGE (V)
FREQUENCY (Hz)
HP-IN VOLTAGE (V)
静态电流 vs. 供应电压
声道隔离度 vs. 频率
输出模式 vs. HP-IN电压
电压
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单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
应用信息
基本应用范例
20k
RF
MS6853
1uF
100uF
20k
L-IN
VDD
RIN
L-OUT/BTL OUT-
100k
VINL
VDD
VDD
SHUTDOWN
1uF
100k
VDD
HP-IN
RL
8Ω
1k
BTL OUT+
Headphone Jack
1uF
1uF
GND
BYPASS
R-IN
R-OUT
100uF
20k
RIN
1k
VINR
20k
RF
DC Gain = -RF / RIN = -1
图一 音频放大器应用电路(
连接到右声道)
音频放大器应用电路(HP-IN连接到右声道
连接到右声道)
20k
RF
MS6853
1uF
100uF
20k
RIN
L-IN
VDD
L-OUT/BTL OUT-
100k
VINL
VDD
VDD
SHUTDOWN
1uF
RL
8Ω
1k
100k
VDD
HP-IN
BTL OUT+
0.1uF
1uF
GND
1uF
Headphone Jack
100k
BYPASS
100uF
20k
R-IN
R-OUT
RIN
VINR
1k
20k
RF
DC Gain = -RF / RIN = -1
图二 音频放大器应用电路(
连接到左声道)
音频放大器应用电路(HP-IN连接到左声道
连接到左声道)
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MOSA
单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
SE 模式与 BTL 模式操作
如方块图(第一页)与图一所示,在SE模式时,MS6853中的A1与A3为独立的放大器,其增益由外部电阻RF与
RIN决定,AV = - RF/RIN。A2待机为高输出阻抗。
在BTL模式,A3待机至高阻抗状态,R-IN与L-IN在内部相接在一起,因此音频讯号VINL与VINR在A1的输入端相
加。A2则由两个固定的内部电组构成AV = -1之闭回路增益。A1与A2的输出即用来驱动单音BTL输出。
HP-IN 操作
MS6853可以很容易的切换单音BTL模式与立体音SE模式。两种模式的切换取决于耳机控制脚位HP-IN。当耳机
插入耳机座时,HP-IN提升至高准位至SE模式,而没有接上耳机时,HP-IN为低准位,工作在BTL模式。
此处需注意,HP-IN输入是一个迟滞电压,控制范围是0.65VDD ~ 0.75VDD,如果系统之准位不符合,则需作一
简单准位位移电路来解决此问题。以下图为例,MS6853电源VDD = 5V,即HP-IN控制范围为3.25V(0.65VDD)
到3.75V(0.75VDD),MCU工作电压为3V,因此需加上一准位位移电路以准确控制MS6853之模式转换。
5V
100k
VDD=3V
VDD=5V
HP-IN
MS6853
pMOS
MCU
散热片的使用方法
MS6853封装具有底部散热片。散热片必须焊于PC板的接地,使IC产生的热能传导至PC板的裸铜面,增加的散
热面积与周围进行热对流有效提高散热效率。
PC板上层若无裸铜面,则可以于散热片底部增加9个直径13mil的贯孔,将热传导至PC板底层,若贯孔充满锡
膏,可增加热传导效率。
版本 6
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MOSA
单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
封装尺寸
MSOP10 (Thermal Pad)
Thermal Pad
Dimension in mm
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
H
E
W1
H
W2
E
Min
Nom
0.81
0.05
0.76
0.15
0.13
2.90
4.70
2.90
0.92
0.86
0.20
0.15
3.00
4.90
3.00
0.50 BASIC
0.40
0.53
0o
1.27
1.02
-
e
L
θ
W1
W2
Dimension in inches
Max
Min
1.12
0.15
0.97
0.30
0.23
3.10
5.10
3.10
0.032
0.002
0.030
0.006
0.005
0.114
0.185
0.114
0.66
6o
1.52
1.27
Nom
Max
0.036
0.044
0.006
0.034
0.038
0.008
0.012
0.006
0.009
0.118
0.122
0.193
0.201
0.118
0.122
0.02 BASIC
0.016
0.021
0.026
0o
6o
0.050
0.060
0.040
0.050
D
A2
A
θ
e
A1
L
B
C
TSSOP14
D
Dimension in mm
Symbol
A
A1
A2
b
C
D
E
E1
E1 E
e
L
θ
Min
Nom
0.05
0.80
0.19
0.09
4.90
4.3
Max
1.20
0.15
1.00
1.05
0.30
0.20
5.00
5.10
6.40
4.4
4.5
0.650 BASIC
0.45
0.60
0.75
0o
8o
Dimension in inches
Min
Nom
Max
0.047
0.002
0.006
0.031
0.039
0.041
0.007
0.012
0.0035
0.008
0.193
0.197
0.201
0.026
0.170
0.173
0.177
0.026 BASIC
0.0177 0.024 0.0295
0o
8o
A2 A
θ
e
版本 6
b
A1
L
11/14
C
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MS6853
MOSA
单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
卷带式包装(
)(单位 : mm)
卷带式包装(TAPE & REEL)
MSOP10
2.0
0.30
0.05
0.05
1.5+0.1/-0.0 DIA
4.0
1.75
0.3R MAX
5.5
0.05
12.0
0.3
5.4
3.0
3.6
8.0
1.5 MIN
6.9
0.5 Radius Typical
2.0 1.7
版本 6
12/14
www.mosanalog.com
MS6853
MOSA
单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
展示版
MSOP10 (Thermal Pad)
1
3
2
4
5
TSSOP14
1
3
2
4
5
版本 6
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MS6853
MOSA
单音 1.9W / 立体音 300mW 功率放大器
功能描述
1. 电源输入
输入电压范围为2.4V ~ 6.5V。
2. 输入端
连接至音频讯号。.
3. 扬声器输出
连接至8奥姆或4奥姆之扬声器。
4. 耳机座
使用3.5mm 的32奥姆耳机
5. 待机模式控制
当短路环短路时系统为工作模式,当短路环开路时则进入待机模式。
SE 模式与 BTL 模式操作
当耳机接上耳机座系统自动切至SE模式,而耳机座未接上耳机时则为BTL模式。
电路
JP3
1
2
Lin
JP4
1
2
C1
1uF
C2
1uF
+
Rin
+
R1
20K
R2
20K
JP1
C7
0.1uF
+
C3
1uF
R5
1
2
SHUTDOWN
+
100K
JP2
C5
R3
R6
20K
100K
100uF
LS1
U1
1
2
3
4
5
L_IN L_O/B_O
SD
VDD
HP_IN B_O+
GND
BP
R_IN
R_O
10
9
8
7
6
R7
1K
JP5
SPEAKER
C4
J1
+
1
2
VDD
MS6853
OUTPUT
1uF
R4
20K
1
2
3
C6
HEADPHONE
+
100uF
R8
1K
版本 6
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