NJU7116 小型低消費電流低入力オフセット電圧 シングル CMOS コンパレータ ■ 概 要 NJU7116 は、低消費電流低電圧動作 1 回路の CMOS コンパレ ータで、CMOS 出力となっています。 1.0μA(typ)と非常に小さな消費電流を実現し、1.8～3.6V の低電 圧単一電源動作が可能で、2.5mV(max)の低入力オフセットを有し ています。 また、小型パッケージであるために、バッテリ駆動のポータブル 機器に幅広く応用することができます。 ■ 特 徴 ●超低消費電流 ●単電源低電圧動作 ●低入力オフセット電圧 ●低入力バイアス電流 ●CMOS 出力 ●CMOS 構造 ●外形 ■ 外 形 NJU7116F NJU7116KG1 ■ 端子配列 (IDD=1.0μA typ.) (VDD=1.8～3.6V) (VIO=2.5mV max.@ VDD=3.0V) (IIB=1pA typ.) SOT-23-5 ESON6-G1 (Top View) NJU7116F (Top View) (Bottom View) NJU7116KG1 NJU7116KG1 NC 端子とパッケージ底面の PAD は、いずれも IC の VSS 端子と同電位に なるように最短の経路で接続してください。 ■ 等価回路図 Ver.2015-01-28 -1- NJU7116 ■ 絶対最大定格 (Ta=25˚C) 電 差 同 許 動 保 項 源 動 入 相 入 容 作 存 温 温 目 電 圧 力 電 圧 力 電 圧 損 失 SOT-23-5 ESON6-G1 度 範 囲 度 範 囲 記 号 VDD VID VIC 定 格 7 ± 7 （注 1） -0.3～7 PD 単 位 V V V mW 390 (注 3) / 520 (注 4) 260 (注 5) / 950 (注 6) -40～+105 -55～+125 Topr Tstg ˚C ˚C (注 1) (注 2) (注 3) (注 4) (注 5) (注 6) 電源電圧は、VDD または 7V より小さい方の値を超えて印加しないで下さい。 IC を安定して動作させるために、VDD- VSS 間にデカップリングコンデンサを挿入して下さい。 76.2 x 114.3 x 1.6mm(EIA/JEDEC 規格サイズ、2 層、FR-4)基板実装時 76.2 x 114.3 x 1.6mm(EIA/JEDEC 規格サイズ、4 層、FR-4)基板実装時 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad 使用 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad 使用 (4 層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用) (注 7) NC 端子とパッケージ底面の PAD は、いずれも IC の VSS 端子と同電位になるように最短の経路で接続してください。 (注 8) NC 端子は IC 内部チップと電気的に接続されていません。 (注 9) パッケージ底面の PAD は IC 内部チップの底面と電気的に接続されていますが、VSS 端子としての機能はありません。 ■ 電気的特性 (Ta=25˚C, VDD=3.0V, RL=∞) 動 入 入 入 同 H L 同 電 消 項 目 作 電 力 オ フ セ ッ ト 電 力 オ フ セ ッ ト 電 力 バ イ ア ス 電 相 入 力 電 圧 レ ベ ル 出 力 電 レ ベ ル 出 力 電 相 信 号 除 去 源 電 圧 除 去 費 電 圧 圧 流 流 幅 圧 圧 比 比 流 記 号 VDD VIO IIO IIB VICM VOH VOL CMR SVR IDD 条 件 V I N =1/2V D D I O H =2mA I O L =-2mA V I C M =1/2V D D V D D =1.8～3.6V 無 負 荷 ,V O =0V 最 小 1.8 0～2.5 2.7 50 50 - 標 準 1 1 1 最 大 3.6 2.5 0.3 1.5 単 位 V mV pA pA V V V dB dB μA 最 小 - 標 準 1.2 0.37 3.3 2.6 2.1 15 40 最 大 2.0 5.0 3.0 - 単 位 ■ スイッチング特性 (Ta=25˚C, VDD=3.0V, f=1kHz, CL=15pF) 項 目 立ち下がり 伝搬遅延時間 立ち上がり 伝搬遅延時間 伝搬遅延時間差 出力立ち下がり 出力立ち上がり -2- 記 号 tPHL tPLH tPD t T HL tTLH 条 件 オーバードライブ=100mV TTL ステップ入力 オーバードライブ=100mV TTL ステップ入力 tPLH-tPHL オーバードライブ=100mV オーバードライブ=100mV VIC= 0V VIC= 0V μs μs μs ns ns Ver.2015-01-28 NJU7116 ■ 特性例 消費電流 対 電源電圧 特性例 消費電流 対 周囲温度 特性例 VSS=0V, VIN+=VDD/2 1.3 VSS=0V, VIN+=VDD/2 3 消費電流 [μA] 消費電流 [μA] 1.2 1.1 1 2 VDD=3V 1 0.9 VDD=1.8V 0.8 0 1.8 2.4 3.6 -50 50 100 周囲温度 [ºC] 入力オフセット電圧 対 周囲温度 特性例 入力オフセット電圧 対 周囲温度 特性例 VSS=0V, VIN+=VDD/2 150 VSS=0V, VIN+=0V 16 14 入力オフセット電圧 [mV] 2 VDD=1.8V 1 0 VDD=3V -1 -2 12 10 8 VDD=1.8V 6 VDD=3V 4 2 0 -3 -2 -50 0 50 100 150 -50 周囲温度 [ºC] 50 100 150 入力オフセット電圧 対 電源電圧 特性例 VSS=0V, VIN+=VDD/2 VSS=0V, VIN+=0V 18 入力オフセット電圧 [mV] 8 6 Ta=-40ºC Ta=105ºC 4 0 周囲温度 [ºC] 入力オフセット電圧 対 電源電圧 特性例 10 入力オフセット電圧 [mV] 0 電源電圧 VDD [V] 3 入力オフセット電圧 [mV] 3 Ta=25ºC 2 0 -2 14 10 Ta=-40ºC 6 Ta=25ºC Ta=105ºC 2 -2 1.8 2.4 3 電源電圧 VDD [V] Ver.2015-01-28 3.6 1.8 2.4 3 3.6 電源電圧 VDD [V] -3- NJU7116 ■ 特性例 出力ソース電流 対 周囲温度 特性例 6 VSS=0V, VOL=VSS+0.3V 6 5 5 4 4 出力電流 [mA] 出力電流 [mA] 出力シンク電流 対 周囲温度 特性例 VSS=0V, VOH=VDD-0.3V VDD=3V 3 2 1 VDD=3V 3 2 1 VDD=1.8V VDD=1.8V 0 -50 50 0 100 150 0 50 100 150 周囲温度 [ºC] 立ち上がり伝搬遅延時間 対 周囲温度 特性例 立ち下がり伝搬遅延時間 対 周囲温度 特性例 VDD=3.0V, VSS=0V, VIN-=VDD/2, Vod=100mV, CL=15pF VDD=3.0V, VSS=0V, VIN-=VDD/2, Vod=100mV, CL=15pF 立ち下がり伝搬遅延時間 [μs] 2 6 5 4 3 2 1 0 -50 0 50 周囲温度 [ºC] -4- -50 周囲温度 [ºC] 7 立ち上がり伝搬遅 延時間 [μs] 0 100 150 -50 0 50 100 150 周囲温度 [ºC] Ver.2015-01-28 NJU7116 ■ スイッチング特性測定回路 ■ タイミング波形 Ver.2015-01-28 -5- NJU7116 ■パッケージ外形図 2.9±0.2 0°~15° 1 2 2.8 ±0.2 0.6 4 +0.2 1.6 - 0.1 5 0.2MIN 1.9±0.2 3 0.95±0.1 +0.1 0.1-0.03 0.4±0.1 0.1 単位: mm 0.1MAX 1.1±0.1 0.6MAX SOT-23-5 パッケージ -6- Ver.2015-01-28 NJU7116 ■パッケージ外形図 単位: mm ESON6-G1 パッケージ Ver.2015-01-28 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 -7-