EM78F661N/F561N 勘误文件 规格修订历史 文件版本 版本描述 1.0 首次发行 2.0 2. 增加 CPU 操作在绿色/空闲模式，也增加 TBRD 指令。 日期 2009/06/17 1. 删除 ICE652N 信息 2009/09/08 3. 表明用 ICE660N 模拟 EM78F661N。 1. 重新定义 CPU 操作模式信息。 2.1 2.2 2. 在 Bank 1 R8<7,6> 和 Word 1<12>增加 IRC 模式选择 信息 1. 修改引脚描述的格式和唤醒信号表格。 2. EM78F561N 和 EM78F661N 规格书合二为一。 2010/01/06 2010/04/10 1. 增加 LVR 参数值 DC 电气特性。 2. 修改指令集的说明。 3. 修改韩国和上海的地址信息。 2.3 4. 增加定购以及制造信息。 5. 修改产品代码描述。 2013/09/02 6. 在特性章节更改 LVR，从 CPU 配置值外部配置。 7. 删除机器代码。 8. 增加 EM78Fx61N 14 引脚 SOP 封装类型。 2.4 1. 增加 EEPROM 的功率损耗。 2. 增加代码选项字 1 位元 9 的 HLP。 版本 2.3 至版本 2.4 A. 附加项目 N.A. 2014/08/28 B. 修改项目 章节9 1 68页 增加EEPROM的功率损耗 数据EEPROM 电气特性 (用适用于 用适用于EM78F661N) 数据 用适用于 符号 Tprog 参数 数据保持 Tendu 持续时间 Iread 最小值 典型值 最大值 单位 − 4.0 4.2 ms − 10 − years − 1000K − cycles Vdd<=3.3V - 0.6 - mA Vdd<=5.5V - 1.0 - mA Vdd<=3.3V - 1.0 - mA Vdd<=5.5V - 2.5 - mA 擦/写周期时间 Treten Iprg 条件 可编程 读 Vdd = 2.5~ 5.5V 温度 = -40°C ~ 85°C 1 页59 增加代码选项字1位元9的HLP 章节6.12.2 6.12.2 代码选项寄存器(Word 1) Word 1 Bit Bit 12 Bit 11 Bit 10 Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 助记符 COBS0 – – HLP C4 C3 C2 C1 C0 RCM1 RCM0 LVR1 LVR0 1 寄存器 – – 高 高 高 高 高 高 高 高 高 高 0 选项 – – 低 低 低 低 低 低 低 低 低 低 Bit 12 (COBS0): IRC 模式选择位元 0: 从代码选项中选择IRC频率（缺省值） 1: 从寄存器中选择IRC频率 Bit 11: 未使用，总是设置为0 Bit 10: 未使用，总是设置为1 Bit 9 (HLP): 功耗选择 0: 正常功耗 1: 低功耗 C. 删除项目 N.A.