ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ ■回路図 250Ａ Ａvg 1600 Ｖolts CIRCUIT ■外形寸法図 PHT250N16 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ (注)アノードとカソード間の空間距離は 5mm であり、UL1557,400V 系にて使用 される場合、十分な空間距離を満足させて ください. The striking distance between the anode and the cathode of this module is 5mm, filing with UL1557, but when used by the system of 400V AC, take an enough striking distance and wire. ■最大定格 Ｍaximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage 非くり返しピークオフ電圧 Non Repetitive Peak Off-State Voltage くり返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage 非くり返しピーク逆電圧 Non Repetitive Peak Reverse Voltage 項 目 Parameter 平均オン電流 Average On-State Current 実効オン電流 RMS On-State Current サージオン電流 Surge On-State Current 電流二乗時間積 I Squared t 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current ピークゲート電力損失 Peak Gate Power 平均ゲート電力損失 Average Gate Power ピークゲート電流 Peak Gate Current ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 Isolation Voltage ベース部 Mounting 締付トルク Mounting Torque 主端子部 Terminal 記号 Symbol 耐圧クラス Grade PHT250N16 単位 Unit VDRM 1600 V VDSM 1700 V VRRM 1600 V VRSM 1700 V 記号 Symbol 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit 250 A 390 A 50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 4000 A 2～10ms 80000 A2ｓ 100 A/μs PGM 5 W PG(AV) 1 W IGM 2 A VGM 10 V VRGM 5 V Tjw -40 ～ +125 ℃ Tstg -40 ～ +125 ℃ 2500 V M5 2.4 ～ 2.8 N・m M5 2.4 ～ 2.8 N・m Io (AV) 条 件 Conditions 商用周波数180°通電 Half Sine Wave Tc=84℃ IT(RMS) ITSM I2t di/dt Viso Ｆ VD=2/3 VDRM, ITM=2・Io, Tj=125℃ IG=300mA, diG/dt =0.2A/μs 端子－ベース間，AC 1 分間 Terminal to Base, AC 1min. ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Greased ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter ピークオフ電流 Peak Off-State Current ピーク逆電流 Peak Reverse Current ピークオン電圧 Peak Off-State Voltage 記号 Symbol 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min Typ Max 条 件 Conditions 単位 Unit IDM Tj = 125℃, VDM= VDRM 80 mA IRM Tj = 125℃, VRM= VRRM 80 mA VTM Tj = 25℃, ITM= 800A 1.5 V トリガゲート電流 Gate Current to Trigger IGT VD= 6 V, IT= 1A トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger VGT VD= 6 V, IT= 1A VGD Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM 0.25 V dv/dt Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM 500 V/μs 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage ターンオフ時間 Turn-Off Time ターンオン時間 Turn-On Time 遅れ時間 Delay Time 立ち上がり時間 Rise Time ラッチング電流 Latching Current 保持電流 Holding Current 熱抵抗 Thermal Resistance 接触熱抵抗 Thermal Resistance 質 量 －－－ 約250 g Approximate Weight tq Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs t gt td Tj =－40℃ Tj = 25℃ Tj = 125℃ Tj =－40℃ Tj = 25℃ Tj = 125℃ Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs tr 300 150 80 5 3 2 mA V 200 μs 6 μs 2 μs 4 μs IL Tj =25℃ 150 mA IH Tj =25℃ 100 mA Rth(j-c) Rth(c-f) 接合部－ケース間 Junction to Case ｹｰｽ-ﾌｨﾝ間，ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Case to Fin, Greased 0.1 ℃/W 0.1 ℃/W １アーム当りの値 Value Per 1 Arm. ■定格・特性曲線