CPW4-1200S008B–碳化硅肖特基二极管芯片 Z-Rec 整流器 TM VRRM = 1200 V IF= 7.5 A 特点 • • • • • • • Qc 芯片轮廓 = 49 nC 1200 伏肖特基整流器 零反向恢复 零正向恢复 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 正向电压 (VF) 的正温度系数 部件号 阳极 阴极 封装 标记 CPW4-1200S008B Al Ni/Ag 金属箔上切割 金属箔上的晶片编号 Rev. W4-1200S008 技术数据表：CP 最大额定值 符号 参数 值 单位 VRRM 反向重复峰值电压 1200 V VRSM 反向浪涌峰值电压 1300 V VDC 直流阻断电压 1200 V IF(AVG) 平均正向电流 7.5 A TJ=175˚C 38.5 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 1 64 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 1 -55 至 +175 ˚C IFRM 正向重复峰值浪涌电流 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 TJ，Tstg 工作结温和存储温度 测试条件 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/power 注 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 VF 正向电压 1.5 2.2 1.8 3 V IF = 7.5 A TJ=25°C IF = 7.5 A TJ=175°C IR 反向电流 35 100 250 350 μA VR = 1200 V TJ=25°C VR = 1200 V TJ=175°C QC 总电容电荷 49 nC VR = 1200 V, IF = 7.5 A di/dt = 200 A/μs TJ = 25°C C 总电容 560 37 27 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 800 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz 注： 1.假定 θJC 热阻 1.1˚C/W 或以下 机械参数 参数 典型 单位 裸芯片尺寸 2.00 x 2.00 mm 阳极板尺寸 1.72 x 1.72 mm 阳极板开口 1.44 x 1.44 mm 厚度 377 ± 10% μm 100 mm 4 μm 1.8 μm 晶片尺寸 阳极金属化 (Al) 阴极金属化 (Ni/Ag) 前端钝化 2 聚酰亚胺 CPW4-1200S008 Rev. - 注 芯片尺寸 B 符号 C A D 尺寸 mm in A 2.00 0.079 B 2.00 0.079 C 1.44 0.057 D 1.44 0.057 部件号 阳极 阴极 封装 标记 CPW4-1200S008B Al Ni/Ag 金属箔上切割 金属箔上的晶片编号 用将裸芯片置于胶带上的方法来交付这些 SiC 裸芯片，只能作为一种临时性的存储方式。由于附着力随时间而增强，裸芯片如果 存储时间过长，可能会在胶带上粘贴得过牢。收货后，应当尽快将这些裸芯片存储在可调温的充氮防潮箱内。Cree 进一步建议， 将所有裸芯片从胶带上取下，放入一个叠压芯片盒或类似的存储介质中，或者在交付后的 2 - 3 周内就用于生产，以确保所有裸 芯片 100% 剥离而不会产生问题。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 ©2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标，Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 3 CPW4-1200S008 Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]