14tf-B-3 電源用パワーデバイス（パワーMOSFET & SiC SBD） Power MOSFET & SiC SBD for Switching Mode Power Supply トップクラスの特性で各種電源の高効率化を実現し、幅広いラインアップで電源システム全体を総合的にサポートします ▼例）サーバ向け電源システムと提案製品群 ブレードサーバ ● シングルエピタキシャル技術導入により業界トップクラスのRonAを実現 ● 高温時の低オン抵抗特性 88 ● Coss低減による軽負荷時の効率改善 ● 高速ボディダイオード品、高速スイッチング特性品などの 86 幅広いラインアップ AC入力 PFC ∼ 12V Bus DC-DC 300-400V DC Non-Isolated DC-DC (VRM) 1.xV Non-Isolated DC-DC (POL) 1.8V CPU Memory PFC ダイオード 650V SiC SBD DC-DC MOSFET HVMOS DTMOS IV 600V/650V 1次側 HVMOS DTMOS IV (HSD) 600V/650V VRM / POL 2次側（同期整流） ORing ハイサイド ローサイド LVMOS U-MOS VIII-H 25-30V LVMOS LVMOS U-MOSVIII-H/IX-H U-MOS VIII-H 25-30V 40∼100V LVMOS U-MOS VIII-H 25-30V E-Fuse RonA (mΩcm2) 40 B社 A社 DTMOS I C社 DTMOS III 30 A社 A社 B社 （240W電源PFC部） DTMOS V 20 A社 A社99mΩ品 DTMOS IV（TK31E60W） DTMOS IV-H（TK31E60X） 76 最新世代品 DTMOS IV I 0 '00 80 78 (目標値) (目標値 目標値) 10 82 次世代品 DTMOS II LVMOS U-MOS VIII-H 25-30V 電源効率比較 84 50 電源効率（%） AC-DC電源 HVMOS : DTMOS IV (VDSS=600V/650V) '02 '04 '06 '08 '10 74 '12 '14 '16 0 50 LVMOS : U-MOS IX-H (VDSS=40V) ● 業界トップレベルの高温時の低VF特性 ● 高温時の低リーク電流 ● 温度依存性の無いリカバリ特性 ● 業界トップレベルの低オン抵抗と低Qoss特性 ● 両面放熱パッケージをラインアップ VRRM (V) D2PAK TO-220FP TO-247 (2Leads) (1pin N.C.) (2Leads) (Center Tap) TO-3P(N) IF (A) 150 200 250 電源出力（W） SiC SBD TO-220 100 品名 パッケージ VDSS RDS(ON)(max) @VGS=10V RON・QOSS TPHR8504PL SOP Advance 40V 0.85mΩ 60mΩ・nC TPWR8004PL DSOP Advance 40V 0.80mΩ 56mΩ・nC 160 650 12 16 20 24 1200 20 MP : OK TRS10E65C MP : OK TRS12E65C MP : OK TRS8G65C ES : OK MP : 14年9月予定 TRS10G65C ES : OK MP : 14年9月予定 TRS12G65C ES : OK MP : 14年9月予定 Competitor B MP : OK 140 TRS8A65C MP : OK TRS10A65C MP : OK TRS12A65C TRS12N65D MP : OK MP : OK TRS16A65C TRS16N65D MP : OK MP : OK 120 110 No.1 Performance MP : OK 90 TRS24N65D （Vin=48V, Vout=12V） Next Best Competitor TPHR8504PL TOSHIBA SiC SBD 100 TRS20N65D 96 120 Competitor C 130 300W Half Bridge DC-DC 二次側FET効率比較 Ron・Qoss - VDS EFFICIENCY (%) 10 TRS8E65C ES : OK MP : 14年9月予定 Competitor A 150 TRS6A65C Ron・Qoss (mΩ・nC) 8 MP : OK TRS6G65C Normalized VF (%) 6 TRS6E65C 80 40 95 Next Best Competitor UMOS IX-H, TPHR8504PL 東芝のSiC SBDはVFの温度係数が他社品よりも小さくなっています MP : OK 80 TRS20J120C MP :OK 0 50 100 Tc Case Temperature (℃) 150 200 0 0.1 94 1 10 Drain-Source voltage VDS (V) 100 5 10 15 OUTPUT CURRENT (A) 20 25