PowerMOSFET ■外観図 F20S60C3 OUTLI NE Package：STO220 10.2 ロット記号 （例） Date code ④ （例） 管理番号 Control No. 特 長 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 煙面実装タイプ 品名略号 Type No. 00 00 13.2 600V20A t ：mm Uni 20S60C3 Feat ur e 4.7 煙LowRON 煙Fas tSwi t chi ng 煙SMDPackage ①: G ②:D ③: S ④:D ① ② ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or a geT e mpe r a t ur e チャネル温度 Cha nne l T e mpe r a t ur e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ゲート・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( DC) ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( Pe a k ) ソース電流（直流） Cont i nuousSour c eCur r e nt( DC) 全損失 T ot a l Powe rDi s s i pa t i on ●電気的・熱的特性 項 ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i nSour c eBr e a k downV ol t a ge ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV ol t a geDr a i nCur r e nt ゲート漏れ電流 Ga t e Sour c eLe a k a geCur r e nt 順伝達コンダクタンス F or wa r dT r a ns c onduc t a nc e ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai nSour ceOns t at eRes i s t ance ゲートしきい値電圧 Ga t eThr e s s hol dV ol t a ge ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour c e Dr a i nDi odeF or wa deV ol t a ge 熱抵抗 The r ma l Re s i s t a nc e ゲート全電荷量 T ot a l Ga t eCha r ge 入力容量 I nputCa pa c i t a nc e 帰還容量 Re v e r s eT r a ns f e rCa pa c i t a nc e 出力容量 Out putCa pa c i t a nc e ターンオン遅延時間 T ur nonde l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T ur nof fde l a yt i me 下降時間 F a l l t i me 06〉） （MOSFET 〈2010. 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 Tc h 1 5 0 VDSS 6 0 0 VGSS ±3 0 I D I DP ℃ V 2 0 パルス幅 10 μs ,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 6 0 A I S 2 0 PT 5 0 W 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 単位 Uni t El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em Tc＝2 5 ℃） 記号 Sy mbol Tc＝ 2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons V mA, VGS＝0 V （BR） DSS I D＝1 6 0 0 ─ ─ V I DSS VDS＝6 0 0 V, VGS＝0 V ─ ─ 2 5 I GSS VGS＝ ±3 0 V, VDS＝0 V ─ ─ ±0 . 1 gf s I 0 A, VDS＝1 0 V D＝ 1 8 . 7 1 7 . 5 ─ S ─ 0 . 1 6 0 . 1 9 Ω R 0 A, VGS＝1 0 V （DS） ON I D＝ 1 μA VTH I mA, VDS＝1 0 V D＝ 1 2 . 1 3 . 0 3 . 9 VSD I 0 A, VGS＝0 V S＝ 1 ─ ─ 1 . 5 θj c 接合部・ケース間 J unc t i ont oc a s e ─ ─ 2 . 5 ℃/ W Qg VGS＝1 0 V, I 0 A, VDD＝4 0 0 V D＝2 nC ─ 8 7 ─ Ci s s ─ 2 4 0 0 ─ Cr s s VDS＝ 2 5 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz ─ 5 0 ─ Co s s ─ 7 8 0 ─ t d （o n） ─ 3 2 ─ t r ─ 6 0 ─ ─ 3 5 5 ─ ─ 6 0 ─ I 0 A, VDD＝1 5 0 V, RL＝1 5Ω D＝ 1 0 V, VGS V （＋）＝ 1 （－）＝0 t d （o f f ） VGS t f www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V pF ns F20S60C3 ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流 伝達特性 Typical Output Characteristics Transfer Characteristics ４０ ３５ ６Ｖ Tc=25℃ TYP ３０ Pulse measurement ２５ ２０ ５Ｖ １５ １０ ５ ５ １０ １５ １５０℃ ３０ ２５ ２０ １５ １０ VDS=20V TYP Pulse measurement ０ ０ ２５ ２０ Drain Source Voltage VDS〔V〕 １００℃ ５ VＧS ＧS=４Ｖ ０ ０ Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current Ｔｃ=−５５℃ ２５℃ ３５ Drain Current ID〔A〕 Drain Current ID〔A〕 ４０ １０Ｖ ８Ｖ ５ １０ １５ ２０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 ゲートしきい値電圧─ケース温度 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ID=10A ０． １ ０． ０１ ５ Pulse measurement −５５ ０ VGS＝10V Pulse test TYP １００ １５０ ５０ ２ １ ０． ５ ０． ２ ０． １ ０． ０１ ０． １ ０． ２ ０． ５ １ ２ ５ １０ Drain Current ID〔A〕 Pulse measurement １００ ６０ ４０ 10μs ２０ ２ １０ on） RDS（on） Restricted space 100μs 200μs ０． １ 1ms 10ms DC ０． ０１ １ VDS＝１０V ID=1mA TYP −５５ ０ １００ ５０ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ Tc＝２５℃ Single pulse ０． ００１ ０ １０ １００ 全損失減少率─ケース温度 Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature １００ １００００ Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 Ｃｉ ｓ ｓ ８０ １０００ ０.１ ０.０１ ０.００１ -５ １０ １０-４ １０-３ １０-２ １０-１ Time t〔s〕 １００ １０１ Power Derating〔%〕 Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 キャパシタンス特性 １ ６００ Drain Source Voltage VDS〔V〕 Transient Thermal Impedance θjc θjc ５０ Safe Operating Area 過渡熱抵抗 １０ ２０ 安全動作領域 ３ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 VGS＝１０V Tc＝２５℃ TYP Pulse measurement ５ ０． ０２ ４ ０ １０ ０． ０５ Drain Current ID〔A〕 １ Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON）〔Ω〕 ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度 Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕 出力特性 Ｃoｓ ｓ １００ Ｃrｓ ｓ １０ ６０ ４０ ２０ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP １ 1 ２０ ４０ ６０ ８０ Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕 １００ ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ ゲートチャージ特性 Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５００ ４００ ３００ ID=２０A TYP ２０ VDS １５ VDD=４ =４００Ｖ ２００Ｖ １００Ｖ VＧS ＧS １０ ２００ ５ １００ ０ ０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 Gate Charge Characteristics ４０ ８０ １２０ １６０ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ ２００ ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 06〉） （MOSFET 〈2010. ご 注 意 1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております。 【標準用途】 コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 工作機器、パーソナル機器、産業用機器等 【特別用途】 輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療 機器等 【特定用途】 原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい。 4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 いません。 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。 Notes 1. If you wish to use any such product, please be sure to refer to the specifications issued by Shindengen. 2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped into the following three applications according the quality grade. 【Standard applications】 Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 【Special applications】 Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc. 【Specific applications】 Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support equipment and systems, etc. 3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company s offices or distributors to obtain the latest information. 5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website. 6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party s patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights. 7. 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