D1FS6A データシート

Title:diode-A.ec9
Page:20
Date: 2011/02/17
Thu
14:01:31
Schot
t
kyBar
r
i
erDi
ode
Si
ngl
e
■外観図
D1FS6A
OUTLI
NE
Package:1F
60V2.
5A
t
:mm
Uni
①
煙小型 SMD
煙超低 I
R
品名略号
Type No.
Feat
ur
e
lSMD
煙Smal
煙Ul
t
r
aLowI
R
②
ロット記号(例)
Date code
2.5
特 長
6A
00
00
カソードマーク
Cathode mark
①
②
(例)
管理番号
Control No.
2.0
5.0
捺印表示については捺
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。
印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
oourweb s
i
t
e.Asf
ort
he
ki
ng,r
ef
ert
ot
hes
peci
f
i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
mar
■定格表 RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
ageT
emper
at
ur
e
接合部温度
at
i
onJunct
i
onT
emper
at
ur
e
Oper
せん頭逆電圧
Maxi
mum Rev
er
s
eVol
t
age
Tl
=2
5
℃)
条 件
Condi
t
i
ons
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-5
5~ 1
5
0
℃
Tj
1
5
0
℃
6
0
V
VRM
プリント基板実装
Ta=2
5
℃ Ongl
assepoxysubst
r
at
e
出力電流
er
ageRect
i
f
i
edFor
war
dCur
r
ent
Av
I
o
1
5
0
Hz正弦波,抵抗負荷
5
℃ アルミナ基板実装
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad Ta=2
50Hzs
Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e
1
.
5
2
.
5
Tl
=103℃
せん頭サージ順電流
PeakSur
geFor
war
dCur
r
ent
●電気的・熱的特性
I
FSM
5
0
Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj
=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Nonr
epet
i
t
i
v
e1cy
cl
epeakv
al
ue,Tj
=25˚
C
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合
6
0
Tl
=2
5
℃)
I
A,
F=1
MAX 0
.
4
7
I
.
5
A,
F=2
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX 0
.
5
7
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX
2
0
0
μA
pF
VF
逆電流
Rev
er
s
eCur
r
ent
I
R
VR=6
0
V,
接合容量
Junct
i
onCapaci
t
ance
Cj
f
=1
MHz
,
VR= 1
0
V
TYP
8
0
接合部・リード間
Junct
i
ont
ol
ead
MAX
2
3
接合部・周囲間,アルミナ基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e
MAX
1
0
8
接合部・周囲間,プリント基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Ongl
as
s
epoxys
ubs
t
r
at
e
MAX
1
5
7
熱抵抗
Ther
malRes
i
s
t
ance
532P
(J
〈2011.2〉)
θj
a
A
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
順電圧
For
war
dVol
t
age
θj
l
A
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
V
℃/
W
Title:diode-A.ec9
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Date: 2011/02/17
Thu
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D1FS6A
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
順方向特性
逆方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Reverse Current
Forward Power Dissipation
2.5
1000
Forward Power Dissipation PF〔W〕
100
1
0.
1
Tl=150℃
(MAX)
Tl=150℃
(TYP)
(MAX)
Tl= 25℃
Tl= 25℃
(TYP)
0.
01
Tl=150°
C(TYP)
10
Tl=125°
C(TYP)
Tl=100°
C(TYP)
1
Tl=75°
C(TYP)
0.1
C(TYP)
Tl=50°
Tl=25°
C(TYP)
0.01
0.001
Pulse measurement
1
1.
5
Forward Voltage VF〔V〕
Reverse Power Dissipation PR〔W〕
DC
D=0.
05
0.
1
VR
tp
4
T
Tj=150℃
D=tp/T
0.
2
0.
3
3
0.
5
2
SIN
0.
8
1
0
0
10
20
30
40
3
DC
2
1 0.
0.
1
0.
05
60
80
100 120 140
Ambient Temperature Ta〔 ℃〕
0.
1
05
1 0.
40
60
80
100 120 140
40
30
20
10
2
5
10
20
Trancient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕
θjl
Trancient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕
θjl
10
1
On alumina substrate
100
25
.
3
35
.
4
IO
0
0
VR
2
T
On alumina substrate
DC
1.5 D=0.
8
1
D=tp/T
tp
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness
VR=30V
SIN
0.
5
0.
3
0.5 0.
2
0.
1
0.
05
0
0
20
40
60
80
100 120 140
Ambient Temperature Ta〔 ℃〕
160
f=1MHz
Tl=25℃
TYP
100
10
01
. 02
.
0.5
1
2
5
10
20
Reverse Voltage VR〔V〕
60
101
θja
θja
102
θ
jl
θjl
10
1
On alumina substrate
0.1
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness
10-1
50
Number of Cycles〔cycle〕
100
θjl
θjl
Time t〔s〕
2
1000
θja
θja
10-2
15
.
100
Transient Thermal Impedance
00
. 1 -4
10 10-3
1
1000
Non-repetitive
Tj=25℃
50
過渡熱抵抗
01
.
05
.
Junction Capacitance
10ms 10ms
1cycle
60
Transient Thermal Impedance
1000
160
Sine wave
70
0
1
0.5
接合容量
80
160
1
Derating Curve Ta-Io
VR=30V
Lead Temperature Tl 〔℃〕
0.
05
0.
5
SIN
0.
3
0.
1
ディレーティングカーブ Ta-Io
2 0.
2
20
0.
2
1.5
IO
SIN
0.
3
0
0
D=tp/T
T
Tj=150℃
VR
3 0.
5
過渡熱抵抗
100
T
D=0.
8
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
D=tp/T
Peak Surge Forward Current Capability
VR=30V
40
tp
tp
2
DC
IO
0
0
0
60
0
0
せん頭サージ順電流耐量
0.
3
20
50
IO
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
0.
5
SIN
0
0
40
Reverse Voltage VR〔V〕
VR
T
On alumina substrate
2
05
.
30
4 DC
D=0.
8
70
D=tp/T
tp
0.
8
15
.
60
0
0
Derating Curve Ta-Io
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
50
Reverse Voltage VR〔V〕
ディレーティングカーブ Ta-Io
25
.
20
5
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Reverse Power Dissipation
0
10
ディレーティングカーブ Tl -Io
Derating Curve Tl -Io
逆電力損失曲線
5
Pulse measurement
0.0001
0
2
IFSM
0.
5
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
0.
001
0
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Reverse Current IR〔mA〕
Forward Current IF〔A〕
10
Junction Capacitance Cj〔pF〕
20
103
00
. 1 -4
10 10-3
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
*Si
newa
veは5
0
Hzで測定しています。
*50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
532P
(J
〈2011.2〉)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負
いません。
6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの
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7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同
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【Special applications】
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control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
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