2SA1488/1488A シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3851/3851Aとコンプリメンタリ) −6 V IEBO VEB＝−6V IC −4 A V(BR)CEO IC＝−25mA −80 −60 V μA −100max −80min −60min IB −1 A hFE VCE＝−4V, IC＝−1A 40min PC 25(Tc＝25℃) W VCE(sat) IC＝−2A, IB＝−0.2A −0.5max Tj 150 ℃ fT VCE＝−12V, IE＝0.2A 15typ MHz −55∼＋150 ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 90typ pF V 1.35±0.15 –10 –2 5 B C E 0.25typ 0.75typ V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（ 代 表 例 ） –4 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） A –50m A –30mA –20mA –2 –10mA –1 I B =–5mA –3 –1.0 –0.5 –2 （ケ –40m A –3 –1 I C =–3A 12 –60m コレクタ電流 I C (A) A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 0m (V C E = – 4V) –4 –1.5 –8 コレクタ電流 I C (A) 0.25typ 200 –200 –2A –1A 0 0 –1 –2 製品質量 約2.0g イ．品名 ロ．ロット番号 tf (μs) tstg (μs) –3 –4 –5 0 –0.1 –6 –0.5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –0.1 –0.5 0 –1 0 500 –1.0 –1.5 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 4V) –0.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性（代 表 例 ） ース 温度 ） ース 温度 ˚C（ ） ケー ス温 度） 6 ton (μs) IB2 (mA) IB1 (mA) VBB2 (V) −30 –12 VBB1 (V) IC (A) 2.4±0.2 2.2±0.2 5˚C RL (Ω) 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 2.54 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） VCC (V) 4.0±0.2 1.35±0.15 C（ケ Tstg ø3.3±0.2 イ ロ V 0.8±0.2 VCB＝ VEBO 4.2±0.2 2.8 c0.5 ±0.2 ICBO V 10.1±0.2 μA −100max 3.9 −100max 単位 25˚ −80 −60 規 格 値 2SA1488A 2SA1488 試 験 条 件 16.9±0.3 VCEO 記 号 8.4±0.2 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記号 単 位 2SA1488 2SA1488A VCBO V −80 −60 13.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 外形図 FM20(TO220F) (Ta＝25℃) (V C E = – 4V) 5 200 25 ˚C 100 Typ 100 50 –0.5 –0.1 –1 –4 – 30 ˚C 50 20 –0.02 –0.1 f T – I E 特性（代 表 例 ） 60 0.7 1 10 コレクタ電流 I C (A) 30 20 1000 P c – Ta定 格 30 1m 100ms 50 Typ 100 時間 t(ms) –10 –5 遮断周波数 f T (MH Z ) –4 ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） (V CE = – 12V) 40 –1 1 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) 10 m 自然空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単位はmm s s 最大許容損失 P C (W) 20 –0.01 過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C DC –1 –0.5 放熱板なし 自然空冷 20 無 限 150x150x2 1 00x 1 0 10 0x 大 放 熱 板 付 2 50x50x2 10 –0.1 放熱板なし 2 0 0.005 0.01 –0.05 0.05 0.1 0.5 エミッタ電流 I E (A) 1 3 3 5 10 50 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 100 0 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 19