WS3468

3468
WS
WS3468
WS3468 非隔离降压型 LED 驱动器
特点
概述
■ 内置550V功率MOSFET
WS3468 是一款专用于 LED 非隔离降压型恒流驱动集成电
■ 无需辅助线圈供电
■ 输出功率可高达28W
路，系统工作在谷底开关模式，转换效率高，EMI 低，PF
■ 谷底开关，高效率，低EMI
可调节至 0.9，输出电流自动适应电感量的变化和输出电压
■ PF可调节至0.9
■ 自动补偿电感的感量变化
的变化，从而真正实现了恒流驱动 LED。
■ 自动适应输出电压变化
WS3468 芯片内部集成 550V 功率 MOSFET, 采用 SOP-8
■ LED短路保护
■ 过压保护
封装，输出高达 260mA 的电流,外围只需要很少的器件就可
以达到优异的恒流输出。
■ 芯片过温保护
WS3468 内部集成了丰富的保护功能，包括过压保护，短
■ 开路保护
■ 外围元件少
路保护，逐周期电流保护，温度保护和软启动等。
WS3468 具有极低的启动电流和工作电流，可在全电压交
应用领域
流输入（85VAC~265VAC）范围内高效驱动 LED。
■ LED驱动电源
WS3468 提供 8-Pin 的 DIP-8 和 SOP-8 封装。
典型应用图
5
D
CS
4
6
D
FB
3
7 GND
AC
8 GND
VCC 2
NC
1
LE D +
LE D -
W/T-DS030-Rev.A/ 0 Nov.2013
Copyright@Winsemi Microelectronics Co., Ltd., All right r eserved.
3468
WS
WS3468
引脚定义与器件标识
WS3468 提供了 8-Pin 的 DIP-8 和 SOP-8 封装，如下图所示：
WS3468 : Product code
A: 产品编码
X：内部代码
B：地域代码
YM：年代码，月代码
引脚功能说明
引脚名
引脚号
功能说明
NC
1
NC
VCC
2
芯片电源端
FB
3
反馈信号输入
CS
4
CS
D
5
内部高压 MOS 管的漏极
D
6
内部高压 MOS 管的漏极
GND
7
芯片地
GND
8
芯片地
电路内部结构框图
VCC
FB
2
3
O VP
Inter
s uppl y
UVLO
Zero-Current
Detec t
400m V
Line
c ompens ation
O CP
5, 6
Logic
&
driv er
CS
4
O TP
GND
7, 8
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3468
WS
WS3468
订购信息
封装形式
芯片表面标识
采购器件名称
8-Pin SOP-8, Pb-free
WS3468S8P
WS3468S8P
8-Pin DIP-8, Pb-free
WS3468D8P
WS3468D8P
推荐工作条件
(symbol)
符号(symbol)
parameter
参数（parameter
parameter）
value
值（value
value）
unit
单位（unit
unit）
Pout
输出最大功率
< 28
W
极限参数
(symbol)
符号(symbol)
parameter
参数（parameter
parameter）
极限值
unit
单位（unit
unit）
V CC
电源电压输入
-0.3~10
V
VD
内部功率管的漏端电压
-0.3~550
V
VS
内部功率管的源端电压
-0.3~7
V
V FB
反馈电压输入
-0.3~7
V
PDMAX
功耗
0.5
W
TJ
最大工作结温
150
℃
TSTG
最小/最大储藏温度
-55~150
℃
注意：超过上表中规定的极限参数会导致器件永久损坏。不推荐将该器件工作在以上极限条件，工作在极限条件以上，可能
会影响器件的可靠性。
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3468
WS
WS3468
电气特性参数(若无特殊说明，TA=25℃，VCC=8V)
符号
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源供电部分
V cc_clamp
VCC 钳位电压
Icc_clamp
VCC 钳位电流
V CC_ST
芯片启动电压
VCC 上升
V uvlo_HYS
欠压保护迟滞
VCC 下降
Ist
启动电流
VCC<VCC_ST-0.5V
Iop
工作电流
7.5
V
5
6.7
mA
V
1.5
V
60
100
400
uA
uA
电流采样部分
Vcs_th
电流检测阈值
TLEB
电流采样消隐时间
370
380
390
mV
650
ns
内部驱动
TOFF_MIN
最小退磁时间
3
us
TON_MAX
最大开通时间
30
us
反馈输入部分
V FB
OVP 阈值电压
1.2
V
高压功率管部分
RDSON
高压 MOS 导通电阻
V DS
MOS 漏源击穿电压
6.5
550
Ω
V
过温保护
TSD
过热关断温度
160
℃
TSD_HYS
过热保护迟滞
30
℃
TADJ
过热调节温度
130
℃
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3468
WS
WS3468
功能描述
WS3468是一款专用于LED非隔离降压型控制器，系统工作
WS3468是非隔离降压型恒流驱动集成电路,内部集成高压
在谷底开关模式,只需要很少的外围器件即可实现高精度的
550V MOSFET,采用DIP-8 和SOP-8 两种封装,LED 电流可
恒流输出。芯片逐周期的检测电感上的峰值电流，CS端连
以输出高达260mA，WS3468采用谷底开关模式,自适应电
接芯片内部，并与内部380mV的电压进行比较，当CS达到
感感量和输出电压的变化,只需要很少的外围器件来实现恒
内部阈值时，系统会关掉内部功率管。
流驱动LED。
电感峰值电流的计算公式：
启动
I PK =
0.38
Rcs
其中Rcs为电流检测电阻阻值
启动电流很低，典型值为 60uA（最大值为 100uA），
LED输出电流的公式为：
如果设计系统交流 85V 启动时，启动电阻为：
R=
I LED = 0.5 * I PK
85 * 2
= 1.2M
100
如果用于单电压,可取 2M。
电感设计
芯片供电
WS3468是采用谷底开关模式，系统上电后内部功率管导
通，电感电流逐渐上升，当电感电流上升到IPK时，内部功
WS3468启动后，需要输出电压给芯片供电，整流二极管D6
需选用快恢复二极管。
率管关断。
内部功率管的导通时间如下：
限流电阻R4的计算公式为：
Ton =
R 4 = (1 − D) *
VLED − 9
400uA
其中，L为电感的电感量，VIN 是输入交流整流后的直流电
压，VLED是输出LED的正向压降
其中D为占空比，400uA为芯片正常工作电流，Vled为输出
负载电压，该电阻功耗：
PR 4 =
L * Ipk
Vin − Vled
当内部功率管关断后，电感上电流从峰值开始逐渐下降，当
电感上电流下降到0时，内部功率管开启。
功率管的关断时间如下：
(VLED − 9) 2
* (1 − D)
R4
Toff =
举例如下：
L * Ipk
Vled
则电感的计算公式如下：
方案需求：输入电压为180~260，输出36~80V，输出电流
240mA。
设计上述方案电阻R4时，应满足：
L=
最低输入交流电压180V，最低输出电压3 6V时芯片的供电问
题 （ 此 时 供 电 最 弱 ）， D=36/180/1.414=0.141,
(Vin − Vled ) * Vled
f * Vin * Ipk
其中f为系统的工作频率，当L、VLED、IPK一定时，工作频
R4=(1-0.141)*(36-9)/400uA=58K;
率随VIN的升高而升高。所以设计系统工作频率，在最小VIN
最高输入交流电压260V，最高输出电压80V
（此时供电最强）
时，不 能让系统进 入音频范围 内(一般不 要低于
时，该电阻的功耗问题，此时D=80/260/1.414=0.218，该
电阻上的功耗为：P=（80-9）*（80-9）/58 * (1-0.218)=68
mW。
20k~25kHz)，在最高VIN时又不能使系统的工作频率太高，
不要高于100kHz（频率太高，功率管功耗太大）。建议工作
频率范围在30-100KHz，当输出大电流大功率时，频率尽量
控制在60KHz以下。
采样电阻
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3468
WS
WS3468
WS3468 具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐渐减小输
FB 电压检测
出电流，从而控制输出功率和温升，使电源温度保持在设定
值，以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度点为
FB 端的电压决定了系统的工作状态，当 FB 端电压大于
130℃。
1.2V(典型值) ，WS3468 会自动判断为输出过压保护，系
统会进入极为省电的打嗝模式，输出过压保护电压如下：
VOVP = 1.2 *
R2 + R3
R3
输入滤波电容
输入滤波电容应确保整流电压值始终高于 LED 串电压，一
R2，R3 请参考典型应用图，其中 R3=40K,（不要高于 60K，
个简单判断该电容太小的办法是，当输入电压逐渐降低，恒
不要低于 32K），上述公式中常数 1.2 在设计系统时用 1，
流效果变差，此时应变大该电容。
假设 Vovp=90V，从上述公式中可以算出 R2=3560K，这里
我们可以取 4M 电阻(尽量选大的标称值) 。由于 VFB2 在
功率因素调整
1.0-1.4 之间，选择 C4 电容耐压时，应选用 1.4 来计算，
Vovp =1.4*（40+4M）/40 =141.4V，而 C4 耐压选择必须
当系统有功率因素要求时，可采用一个简单的无源功率因素
高于该电压，这里可以选取 200V 电容。
校正电路(填谷式)，该电路包含 3 个二极管 2 个电容可将系
WS3468 在进入打嗝模式后，自动检测输出电压,当输出电
统功率因素提高到 0.85 以上。
压低于 Vovp 时，系统会重新进入正常工作状态。
PCB 设计
输出开（短）路保护
在设计 WS3468 PCB 时，需要遵循以下指南：
WS3468内部集成了输出开(短)路保护，一旦检测到输出开
(短)路，系统会自动进入打嗝模式, 直到开(短)路保护条件
除去。
旁路电容：VCC 的旁路电容需要紧靠芯片 VCC 和 GND 引
脚。
地线 ：电流采样电阻的功率地线尽可能短，且要和芯片的
地线及其它小信号的地线分头接到 Bulk 电容的地端。
功率环路 ：功率环路的面积要尽量小，以减小 EMI 辐射。
过热自动调节输出电流
芯片远离续流二极管等发热元件。
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3468
WS
WS3468
封装信息
DIP8
DIP8封装外观图
D2
θ1
C1
C
C4
θ2
C2
C3
θ3
A2
A5
A1
D1
A3
D
A4
B
A
Winsemi
Symbol
Dimensions in Millimeters
Dimensions in Inches
Min
Max
Min
Max
A
9.00
9.50
0.354
0.374
B
6.10
6.60
0.240
0.260
C
3.0
3.4
0.118
0.134
A1
1.474
1.574
0.058
0.062
A2
0.41
0.53
0.016
0.021
A3
2.44
2.64
0.096
0.104
A4
0.51TYP
0.02TYP
A5
0.99TYP
0.04TYP
C1
6.6
C2
7.30
0.260
0.50TYP
0.287
0.02TYP
C3
3.00
3.40
0.118
0.134
C4
1.47
1.65
0.058
0.065
D
7.62
9.3
0.300
0.366
D1
0.24
0.32
0.009
0.013
D2
7.62TYP
SOP-8 封装信息
W/T-DS030-Rev.A/ 0 Nov.2013
Copyright@Winsemi Microelectronics Co., Ltd., All right r eserved.
0.3TYP
3468
WS
WS3468
B2
0 . 5 * 0.125±0. 05
球形标记
A1
A2
D
D1
B
B1
A
C4
A3
R2
C
C1
θ4
C2
θ2
R1
θ1
C3
θ3
Winsemi
Symbol
Dimensions in Millimeters
Dimensions in Inches
Min
Max
Min
Max
A
4.70
5.10
0.185
0.201
B
3.70
4.10
0.146
0.161
C
1.30
1.50
0.051
0.059
A1
0.35
0.48
0.014
0.019
A2
1.27TYP
0.05TYP
A3
0.345TYP
0.014TYP
B1
5.80
B2
6.20
0.228
5.00TYP
0.244
0.197TYP
C1
0.55
0.70
0.022
0.028
C2
0.55
0.70
0.022
0.028
C3
0.05
0.225
0.002
0.009
C4
0.203TYP
0.008TYP
D
1.05TYP
0.041TYP
D1
0.40
0.80
0.016
0.031
8/8
Steady, keep you advance