XBS303V17R-G - トレックス・セミコンダクター

XBS303V17R-G
JTR1614-001a
ショットキーバリアダイオード
■特長
■用途
順電圧
: VF=0.355V (TYP.)
●整流用
順電流
: IF(AVE)=3A
●バッテリー逆接防止用
繰返し尖頭逆電圧
: VRM=30V
■絶対最大定格
Ta=25℃
項目
繰返し尖頭逆電圧
記号
定格値
単位
V
VRM
30
逆電圧(直流値)
VR
30
V
順電流(平均値)
IF(AVE)
3
A
非繰返し尖頭サージ電流
*1
IFSM
60
A
Tj
125
℃
Tstg
-55~+150
℃
接合部温度
保存温度範囲
■外形寸法図
注)*1:60Hz 正弦半波 1 サイクル波高値。
本製品の使用方法において、高負荷 (高温・大電流・高電圧等)
条件下で連続使用される場合、絶対最大定格内であっても信頼
性が著しく低下する恐れがあります。
設計時は適切なディレーティングをお願いします。
■マーキング
①②③④⑤⑥: 303V17(製品番号)
⑦⑧
: 製造ロット
■製品名
製品名
収納形態
XBS303V17R-G
SMA(ハロゲン&アンチモンフリー)
XBS303V17R
SMA
*末尾に”-G”が付く場合は、ハロゲン&アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。
*エンボステープポケットへのデバイス挿入方向は定まっております。
■電気的特性
Ta=25℃
項目
順電圧
記号
測定条件
特性値
MIN.
TYP.
MAX.
単位
VF1
IF=0.5A
-
0.265
0.34
V
VF2
IF=1A
-
0.295
0.36
V
VF3
IF=3A
-
0.355
0.39
V
逆電流
IR
VR=30V
-
0.35
3
mA
端子間容量
Ct
VR=1V , f=1MHz
-
385
-
pF
trr
IF=IR=10mA , irr=1mA
-
90
-
ns
逆回復時間
*2
注)*2:trr 測定回路
被測定ダイオード
バイアス
パルス発生器
オシロスコープ
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XBS303V17R-G
■特性例
(1) Forward Current vs. Forward Voltage
(2) Reverse Current vs. Reverse Voltage
100
10
Reverse Current IR (mA)
Forward Current IF (A)
Ta=125℃
1
Ta=125℃
-25℃
75℃
0.1
25℃
100℃
10
75℃
1
25℃
0.1
0.01
0.01
0
0.2
0.4
0
0.6
20
30
Reverse Voltage V R (V)
Forward Voltage VF (V)
(3) Forward Voltage vs. Operating Temperature
(4) Reverse Current vs. Operating Temperature
100
0.4
IF=3A
0.2
1.5A
0.5A
Reverse Current IR (mA)
0.6
Forward Voltage VF (V)
10
VR=20V
10V
5V
1V
10
1
0.1
0.1A
0.0
0.01
-50
0
50
100
150
0
50
100
150
Operating Temperature Ta (℃)
Operating Temperature Ta (℃)
(5) Inter-Terminal Capacity vs. Reverse Voltage
(6) Average Forward Current vs. Operating Temperature
4.0
1000
Average Forward Current IFAV (A)
Inter-Terminal Capacity Ct (pF)
Ta=25℃
800
600
400
200
2.0
1.0
0.0
0
0
10
20
Reverse Voltage VR (V)
2/3
3.0
30
0
50
100
Operating Temperature Ta (℃)
150
XBS303V17R-G
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トレックス・セミコンダクター株式会社
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