XBP06V4E2HR-G JTR2902-004 過渡電圧サプレッサ(TVS) ■特長 ■用途 2 素子搭載(アノード共通) ESD 保護用 高 ESD ■絶対最大定格 項目 ピークパルス電力 (*1) 記号 規格値 単位 Ppk 70 W 120 1000(*2) 許容損失 Pd 接合部温度 Tj 150 ℃ Tstg -55～+150 ℃ Vpp 30 kV 保存温度範囲 ESD 耐量 (*3)(*4) Contact Discharge (*1) : (*2) : (*3) : (*4) : ■外形寸法図 Ta=25℃ mW ｔp=8/20μs 基板実装時 試験方法 IEC61000-4-2。 判定基準：素子破壊なき事。 ■マーキング ① ② ③ ①②③：BP1(製品番号) ④ ⑤ ④⑤：製造ロット ■内部接続図 1 2 1. Cathode 2. Cathode 3. Anode ■製品名 3 3 製品名 パッケージ 発注単位 USP-3 3,000/Reel * XBP06V4E2HR-G BOTTOM VIEW *ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。 ■ 電気的特性 項目 Ta=25℃ 記号 測定条件 MIN. 規格値 TYP. MAX. 単位 降伏電圧 VBR IR =5mA 6.4 6.8 7.2 V 漏れ電流 IRM VRM=5V - - 1.0 μA 順電圧 VF IF=10mA - - 1.25 V 端子間容量 Ct VR=0V, f=1MHz - 40 - pF 1/4 XBP06V4E2HR-G ■特性例 (1) Reverse Current vs. Breakdown Voltage (2) Reverse Current vs. Reverse Voltage 100 1 Reverse Current IR (uA) Reverse Current IR (mA) 10 75℃ 1 25℃ Ta=125℃ 0.1 -25℃ 0.01 0.001 0.1 Ta=125℃ 0.01 -25℃ 0.001 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 0 1 Breakdown Voltage VBR (V) 3 4 5 6 (4) Reverse Current vs. Operating Temperature 10 8.0 7.5 Reverse Current IR (uA) Breakdown Voltage VBR (V) 2 Reverse Voltage VR (V) (3) Breakdown Voltage vs. Operating Temperature IR=5mA 7.0 6.5 6.0 1 VR=5.25V 0.1 5V 0.01 3V 5.5 5.0 -50 0 50 100 150 0.001 -50 (5) Inter-Terminal Capacity vs. Reverse Voltage 100 100 150 100 Forward Current IF (mA) 80 70 60 50 40 30 50 (6) Forward Current vs. Forward Voltage f=1MHz 90 0 Operating Temperature Ta (℃) Operating Temperature Ta (℃) Inter-Terminal Capacity Ct (pF) 25℃ 0.0001 5.0 Ta=25℃ 20 Ta=125℃ 10 75℃ 1 25℃ -25℃ 0.1 10 0.01 0 0 1 2 3 4 Reverse Voltage VR (V) 2/4 75℃ 5 6 0 0.2 0.4 0.6 0.8 Forward Voltage VF (V) 1 1.2 XBP06V4E2HR-G ● USP-3パッケージ許容損失 USP-3パッケージにおける許容損失特性例となります。 許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。 40.0 1.測定条件（参考データ） 測定条件： 基板実装状態 雰囲気： 自然対流 実装： Pbフリーはんだ 実装基板： 基板40mm×40mm（片面1600mm2）に対して 銅箔面積 表面 約50%-裏面 約50% 放熱板と周りの銅箔接続 基板材質： ガラスエポキシ（FR-4） 板厚： 1.6mm ｽﾙｰﾎｰﾙ： ホール径 0.8mm 4個 2.54 40.0 28.9 28.9 1.4 評価基板レイアウト（単位：mm） 2.許容損失-周囲温度特性 基板実装(Tjmax = 150℃) 周囲温度（℃） 25 150 許容損失Pd（mW） 1000 0 熱抵抗(℃/W) 125.00 Pd-Ta特性グラフ 許容損失Pd（mW） 1200 1000 800 600 400 200 0 25 50 75 100 周囲温度Ta（℃） 125 150 3/4 XBP06V4E2HR-G 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 4/4