ABS2 ... ABS10 ABS2 ... ABS10 Surface Mount Si-Bridge-Rectifiers with 4mm Pitch Si-Brückengleichrichter für die Oberflächenmontage mit 4mm Raster Version 2015-02-05 ±0.1 1.5 1.4 ±0.1 Nominal current – Nennstrom ±0.1 0.2 ±0.2 4.0 +0.2 6.2 + 140...700 V ABS Weight approx. Gewicht ca. Type Typ 4.4±0.2 Alternating input voltage Eingangswechselspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 5.0±0.2 0.1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 0.6±0.1 ~ 0.8 A ~ Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Green Molding Halogen-Free Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenzwerte Max. altern. input voltage Max. Eingangswechselspg. Rep. peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspg. Marking Kennzeichnung 1) VVRMS [V] VRRM [V] 2) Code Type ABS2 140 200 AC ABS2 ABS4 280 400 AE ABS4 ABS6 420 600 AJ ABS6 ABS8 560 800 AK ABS8 ABS10 700 1000 AM ABS10 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5.4 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 27/30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.6 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Code or type are marked alternatively. Additionally a date code might be present Alternativ Code oder Typ markiert. Zusätzlich kann eine Datumscode vorhanden sein Valid per diode – Gültig pro Diode Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ABS2 ... ABS10 Characteristics Kennwerte 0.8 A 1) 1 A 2) Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom TA = 40°C IFAV IFAV Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 0.4 A IF = 0.8 A VF VF < 0.95 V 3) < 1.1 V 3) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA RthA < 80 K/W 1) < 62 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 25 K/W 120 102 [%] [A] 100 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 -2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 1 2 3 2 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on Alumina Substrate 2500mm² with 1 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Aluminium-Substrat 2500mm² mit 1 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG