全新高压LED 技术

全新高压 LED 技术
面对日光灯等传统照明技术的竞争, LED 照明灯具需要更高性能的解决方案来满足高效率和低
成本的市场需求。为此,设计师们在降低成本和减小尺寸上做了很多努力。首尔半导体的 MJT
LED 正是为解决这样的问题而开发的,它不仅能在更高的电压下驱动,提供更高的光输出密度,
并且能够全面降低系统成本。
多结 LED
与一个 die 一个 P/N 结的标准 LED(通常是 3.0v 左右正向电压)不同的是, MJT(多结技术)
LED 的一个 die 是由多个 P/N 结构成。通过改变单个芯片内 P/N 结的数量,LED 依旧可以使用单个
die 进行封装,但却可以实现更高的正向电压和输出。
获得专利的 MJT Die 结构
该项技术的关键在于芯片,金属层用来实现独立 LED cell 间芯片上的互联。该工艺被首尔半导
体公司用来生产 Acrich MJT。
具有竞争力的高压 LED(如 COB)是将多个 die 放置在一个封装的列阵中,使用金线相互通联。
虽然用这种方法能实现高电压或者高流明,不过此方案结构过于庞大复杂,较多的连接线和芯片
使得该结构要面对成本以及可靠性方面的风险。
高压 DC Acrich MJT 的效率
Acrich MJT LED 拥有多种封装尺寸、多种流明输出、多种正向电压以及多种功率供选择。这些
产品不仅是用 Acrich IC 进行 off-line AC 设计的理想选择,同时也可用高电压/低电流运行进
行 DC 设计。Acrich MJT LED 在低电流/高电压模式下能发挥最大效率。好处有几点:首先,因为
是在低电流状态下运行,所以这些 LED 由于低电流密度而拥有较高的效率。其次,由于这些是高
压 LED,接近于输入电压形式来驱动,能大幅减少 AC-DC 转换时的效率损失。除此之外,由于输
入电压和 LED 串联后电压更接近,低功率被动元件可用在驱动电路中,因此能减小整个灯具的尺
寸和成本。
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MJT 特性
优势
低电流运行
提高 LED 内部量子效率,减少布线尺寸
高电压芯片
高电压运行利于提高驱动效率 减少 LED 封装数量
多种流明和电压选择
模组选择灵活,同一个封装可用在不同的应用上
凭借 Acrich 多结技术(MJT)
,首尔半导体公司继续保持在高压 LED 技术中的主导地位。
产品型号
SAW8KG0B
SAW8P42A
色温
光通量
[lm]
3700-7000K
53
2600-3700
49
3700-7000K
30
3700-7000K
SAW8WA2A
SAW09H0A
lf
(mA)
22
20
13
20
132
2600~-3700
124
3700-7000K
165
2600~-3700
VF
128
40
32.5
40
20
64
20
尺寸
产品图片
5.6x3.0x0.75
(5630)
6.5 x 4.0 x 0.80
(6540)
3.5 x 2.8 x 1.9
(3528)
4.0 x 4.0 x 2.2
(4040)
更详细的 Acrich MJT 解决方案,请至首尔半导体官网查询。→ Acrich MJT solutions
本文作者:首尔半导体 Dave Neal
Dave Neal 是首尔半导体公司应用工程部总监,负责北美地区通用照明客
户。
Dave 在半导体工程设计和应用支持方面有二十多年的丰富经验。自 2001 年
起便进入 LED 和固态照明行业。在加入首尔半导体北美分公司前,Dave 先
后在安富利电子元件、洛克希德马丁以及通用公司的设计、应用和管理部门
担任要职。
Dave 拥有马萨诸塞大学电气工程科学学士学位,并且是电气与电子工程师
协会和照明工程学会的会员。
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