高速 CMOS 逻辑 IC ELM7SH86xB 2 输入异或门 (ExclusiveOR) ■概要 ELM7SH86xB 是 CMOS 2 输入异或门 (Exclusive OR) 集成电路。该 IC 由于工作电压低和超高速运行 (2ns), 所以特别适用于笔记本电脑。同时功率低也延长了电池的使用寿命从而适用于长时间工作的设备。内部 电路由三段逻辑门构成并带有缓冲器 , 所以能够提供高抗噪性能和非常稳定的输出。 ■特点 · 与 74VHC 系列具有同样的电特性 · 消耗电流低 : Idd=1.0μA(最大)(Top=25℃) · 电源电压范围广 : 2.0V～5.5V · 输入电压范围广 · 工作速度快 · 封装小 : Vih=5.5V(最大)(Vdd=0～5.5V) : Tpd=2ns(典型)(Vdd=5.0V) : SOT-25、SC-70-5(SOT-353) · 与 ELM7S 系列具有同样的功能，同样的引脚位置 ■用途 · 手提电话、数字式照相机、PDA 等便携式设备 · 个人电脑及外围设备 · 液晶电视机、DVD 录像机或放像机、STB 等数字式家庭电器 · 修改印刷电路板上的电路、调整信号脉冲、防止噪声 · 从 5V 系电源转换到 3V 系电源的电压转换 ■产品型号构成 ELM7SH86xB-EL 记号 a b c d 项目 功能 描述 86 : 2 输入异或门 (Exclusive OR) M : SOT-25 封装 T : SC-70-5(SOT-353) 产品版本 B 包装卷带中 IC 引脚置向 EL : 参考封装资料 ELM7SH 8 6 x B - EL ↑ ↑↑ ↑ a b c d ■绝对最大定格数据 项目 电源电压 输入电压 输出电压 输入保护二极管电流 输出寄生二极管电流 输出电流 VDD/GND 电流 容许功耗 保存温度 记号 Vdd Vin Vout Iik Iok Iout Idd, Ignd Pd Tstg 规格范围 -0.5～+6.0 -0.5～+6.0 -0.5～Vdd+0.5 -20 ±20 ±25 ±50 150 -65～+150 3-1 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 单位 V V V mA mA mA mA mW ℃ 高速 CMOS 逻辑 IC ELM7SH86xB 2 输入异或门 (Exclusive OR) ■推荐工作条件 电源电压 输入电压 输出电压 工作温度 项目 记号 Vdd Vin Vout Top 迁移时间 tr, tf 规格范围 2.0～5.5 0～5.5 0～Vdd -40～+85 ± Vdd=3.3 0.3V Vdd=5.0 ± 0.5V 单位 V V V ℃ 0～200 0～100 ns ■引脚配置图 俯视图 5 1 4 2 引脚编号 1 2 3 4 5 3 引脚名称 INB INA GND OUTX VDD 输入 INA Low Low High High INB Low High Low High 输出 OUTX Low High High Low ■直流电特性 项目 记号 Vih 输入电压 Vil Voh 输出电压 Vol 输入电流 静态消耗电流 Iin Idd Vdd 2.0 3.0 5.5 2.0 3.0 5.5 2.0 3.0 4.5 3.0 4.5 2.0 3.0 4.5 3.0 4.5 5.5 5.5 Top=25℃ Top=-40～+85℃ 单位 条件 最小值 典型值 最大值 最小值 最大值 1.50 1.50 2.10 2.10 V 3.85 3.85 0.50 0.50 0.90 0.90 V 1.65 1.65 1.90 2.00 1.90 2.90 3.00 2.90 Ioh=-50μA Vin= 4.40 4.50 4.40 V Vil 或 Vih Ioh=-4mA 2.58 2.48 3.94 3.80 Ioh=-8mA 0.10 0.10 0.10 0.10 Iol=50μA Vin= 0.10 0.10 V Vil 或 Vih Iol=4mA 0.36 0.44 0.36 0.44 Iol=8mA -0.1 0.1 -1.0 1.0 μA Vin=Vdd 或 GND 1.0 10.0 μA Vin=Vdd 或 GND 3-2 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 高速 CMOS 逻辑 IC ELM7SH86xB 2 输入异或门 (Exclusive OR) ■交流电特性 项目 记号 tPLH tPHL tPLH tPHL tPLH tPHL tPLH tPHL Cin Cpd 传播延迟时间 输入电容 内部等效电容 Vdd CL 3.3 ± 0.3 15 3.3 ± 0.3 50 5.0 ± 0.5 15 5.0 ± 0.5 50 5.0 tr=tf=3ns Top=25℃ Top=-40～+85℃ 单位 条件 最小值 典型值 最大值 最小值 最大值 4.4 11.0 1.0 13.0 4.0 11.0 1.0 13.0 6.1 14.5 1.0 16.5 5.6 14.5 1.0 16.5 ns 参照试验电路图 3.3 6.8 1.0 8.0 2.9 6.8 1.0 8.0 4.4 8.8 1.0 10.0 4.1 8.8 1.0 10.0 4.0 10.0 10.0 pF Vin=Vdd 或 GND 12.0 pF f=1MHz * Cpd 为内部等效电容。是根据下面的试验电路在无负载的情况下所消耗电流而计算出来的。无负载工作时消耗电流 的平均值可以右面的公式计算：Idd(opr) = Cpd × Vdd × fin + Idd ■试验电路图 ■测试波形图 3ns Vdd Pulse Oscillator INPUT OUTPUT INPUT 10% 90% 50% 90% 50% Vdd 10% Voh 50% 50% OUTPUT Vol * 测试消耗功率时 , 是在输出为无负荷的情况下进行的 ■封装印字说明 SC-70-5 a b c SOT-25 a GND tPHL tPLH CL 50� 3ns b 记号 a b c c 印字 F 8 A～Z ( I, O, X 除外 ) 3-3 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 表示内容 ELM7SH 系列 ELM7SH86xB 生产批号