ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ ■概要 ELM613DA は５５０kHz 固定周波数 PWM 同期整流降圧 DCDC コンバータです。 この IC は入力電圧範囲が 4.75V から２０V で動作し、出力設定電圧が０．９２３V から１８V まで調整可能です。 出力電流は最大２A です。 スイッ チング用に内蔵されている 2 個の MOSFET のオン抵抗は 85m Ωです。 ELM613DA は電流モード制御を採用しており、 高速な過渡応答特性とスイッチサイクルごとの過電流保護を実 現しています。 シャットダウン電流は Typ.1μA です。 ソフトスタート機能は外付け容量により立ち上がり時間が調 整可能で、 突入電流を適切な値に制限できます。 過熱保護機能も内蔵されています。 ■特長 ■用途 • 外部調整機能付きソフトスタート • 分散型システム電源 • 短絡保護 • ネットワーク 機器 • 過熱保護 • コンピュータ • 入力電圧範囲 : 4.75V ～ 20V • 出力電圧範囲 : 0.923V ～ 18V • 最大出力電流 : 2A • 高効率 • 家電機器 : Max.93% • 内蔵 MOS スイッチオン抵抗 : 85mΩ • シャットダウン電流 : Typ.1μA • 固定周波数 : Typ.550kHz • パッケージ : SOP-8 ■絶対最大定格値 項目 電源電圧 SW 端子印加電圧 BS 端子印加電圧 FB 端子印加電圧 COMP 端子印加電圧 EN 端子印加電圧 SS 端子印加電圧 容許損失 動作温度 保存温度 記号 Vin Vsw Vbs Vfb Vcomp Ven Vss Pd Top Tstg 規格値 -0.3 ～ +21 -0.3 ～ Vin+0.3 Vsw-0.3 ～ Vsw+6 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 630 -40 ～ +85 -65 ～ +150 単位 V V V V V V V mW ℃ ℃ 注意 : 上記定格を超えるストレスは、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。 ■セレクションガイド ELM613DA-N 記号 a b c パッケージ 製品バージョン テーピング方向 D: SOP-8 A N: パッケージ ファイル参照 ELM613 D A - N ↑↑ ↑ a b c ( 注) テーピング方向は一種類のみ 11 - 1 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ ■端子配列図 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 3 4 5 6 7 8 端子記号 BS VIN SW GND FB COMP EN SS ピン説明 ハイサイドゲート駆動ブートストラップ入力 電源入力 パワースイッチ端子 グランド端子 帰還電圧入力端子 位相補償端子 イネーブル端子 ソフトスタート制御端子 ■標準回路図 Input 2 R4=100k Cin= 10μF/25V Ceramic 7 8 1 VIN C3=10nF BS SW EN ELM613DA FB COMP SS GND 4 C2= 0.1μF L=10μH 3 Output= 3.3V/2A R1=12.1kΩ 5 1% Cout= 22μF/6.3V Ceramic × 2 6 C1=3.3nF C4 Option R2=4.7kΩ 1% R3=15kΩ 注 ： EN ピンは 5.6V でクランプされます。 Input 電源にプル アップする場合は、 EN 電流 <200μAになるように R4(100kΩ程度)を付加して下さい。 ■ブロック図 1.1V FB 5 0.3V SS OVP + - Oscillator 170kHz & 550kHz + - 8 0.923V + + Current sense amplifier + RAMP + R Q 3 SW 4 GND EN 6 1.2V EN BS M2 85mΩ Current comparator OVP COMP 1 M1 85ｍΩ S Q 6μA VIN - CLK Error amplifier 2 5V 7 1.5V + IN<4.10V IN Internal regulators Shutdown comparator 11 - 2 5V Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ ■電気的特性 項目 電源電圧 出力電圧 出力電流 シャットダウン電流 電源電流 フィードバック電圧 フィードバック過電圧閥値 エラーアンプ電圧利得 誤差アンプトランスコンダクタンス ハイサイドスイッチオン抵抗 ローサイドスイッチオン抵抗 ハイサイドスイッチリーク電流 アッパー電流制限スイッチ ローワー電流制限スイッチ COMP 電流センス 相互コンダクタンス 発振周波数 ショート発振周波数 最大デューティ比 最小オン時間 EN シャットダウン閥値電圧 EN シャットダウンヒステリシス EN ロックアウト閥値電圧 EN ロックアウトヒステリシス 低入力電圧ロックアウト閥値 低入力電圧ロックアウトヒステリシス ソフトスタート電流 ソフトスタート期間 サーマルシャットダウン 記号 Vin Vout Iout Is Iss Vfb Vfbo-th Aea Gea Rds(on)1 Rds(on)2 Ileak Ilim_usw Ilim_lsw Gcs Fosc1 Fosc2 Dmax To Vens_th Vens_hys Venl_th Venl_hys Vth Vth_hys Isoft Psoft Tsd 特に指定なき場合、 Vin=+12V、 Top=+25℃ Min. Typ. Max. 単位 4.75 20.00 V 0.923 18.000 V 2.0 A Ven=0V 1.0 3.0 μA Ven=2.0V, Vfb=1.0V 1.3 1.5 mA 4.75V ≦ Vin ≦ 20V 0.900 0.923 0.946 V 1.1 V 400 V/V △Ic= ± 10μA 800 μA/V 85 mΩ 85 mΩ Ven=0V, Vsw=0V 10 μA 最小デューティ比 2.4 4.0 A ドレインからソースへ 1.1 A 3.5 A/V 500 550 600 kHz Vfb=0V 120 170 220 kHz Vfb=0.78 ｍV 90 % 140 ns Ven 立ち上がり 1.39 V 210 mV 1.64 V 210 mV Vin 立ち上がり 4.10 V 210 mV Vss=0V 6 μA Vss=0.1μF 15 ms 160 ℃ 条件 11 - 3 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ ■動作説明 ELM613DA は同期整流型、 電流モード制御の降圧コンバータです。 入力電圧 4.75V ～ 20V から最低電圧 0.923V まで降圧可能です。 かつ電流は最大２A まで供給可能です。 ELM613DA は電流モードで出力電圧を制 御します。 出力電圧は抵抗分割による電圧値を FB 端子で測定し、 内部エラーアンプを使って増幅します。 COMP 端子の電圧は、出力電圧を制御するために内部で測定されるスイッチ電流と比較されます。 コンバータは内蔵 N チャ ンネル MSOFET を使って入力電圧を降圧し出力電圧をレギュレートします。 高電位側の MOSFET は入力電圧より 高いゲート電圧が必要です。 SW 端子と BS 端子との間に接続されたブースコンデンサは、 高電位側のゲートをド ライブするために必要です。 ブーストコンデンサは、 SW が low の時、 内部 5V 電源から充電されます。 FB 端子電位が 0.923V を 20% 超えた時、 過電圧コンパレータが動作し COMP 端子と SS 端子は GND 電位に なり、 高電位側の MOSFET のスイッチをオフにします。 1. 端子について BS 端子 ： 電源側 MOS スイッチゲート駆動用ブートストラップ端子。 電源側の N チャンネル MOS スイッチのゲート駆動電源電圧を供給します。 SW 端子と BS 端子間に 0.01μF 以 上のコンデンサを接続します。 VIN 端子 ： 電源入力端子。 VIN 端子から ELM613DA に電源が供給されます。 4.75V から 20V を入力できます。 VIN 端子と GND 端子間 にはスイッチノイズを吸収するために適切な大きさのコンデンサを接続します。 SW 端子 ： パワースイッチ端子。 パワースイッチ端子はインダクタ電流をスイッチすることで電力を出力に供給します。 LC フィルタを出力負荷と SW 端子間に接続します。 SW 端子と BS 端子間にはコンデンサが必要です。 GND 端子 ： グランド端子です。 高周波インピーダンスの低い PCB 配線に接続します。 FB 端子 ： 制御電圧帰還端子です。 FB 端子により出力電圧を検出して定電圧制御を行います。 FB 端子が 0.923V になるように制御されます。 FB 端子は出力とグランド間の分圧抵抗ネットワークを介して接続されます。 COMP 端子 ： 位相補償端子です。 定電圧制御ループの位相補償に使われます。 COMP 端子と GND 端子間に直列 CR を接続します。 条件によっ ては COMP 端子と CND 端子間にコンデンサの追加が必要です。 EN 端子 ： イネーブル入力端子です。 ELM613DA を オ ン / オ フ さ せ る デ ジ タ ル 入 力 端 子 で す。 Input 電 源 に プ ル ア ッ プ す る 場 合 は、 EN 電 流 <200μAになるように100kΩpull up抵抗を入れて下さい。ハイイネーブル、 ハイ入力で動作し、 ロー入力でスタン バイ状態となります。 SS 端子 ： ソフトスタート制御端子です。 ソフトスタートの時間を設定することができます。 0.15μF のコンデンサを接続すると 15msec のソフトスタート期 間となります。 SS 端子をオープンにすればソフトスタート機能なしとなります。 2. 出力電圧の設定 出力電圧の設定は分圧抵抗により出力電圧を分圧して FB 端子に戻すことが可能です。 出力電圧 Vout と FB 端子電圧 Vfb の関係は以下の式になります ： Vfb = Vout × R2 / (R1 + R2) 11 - 4 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ 従って、 Vfb が 0.923V であると ： Vout = 0.923 × (R1 + R2) / R2 R2 は最大 100kΩですが、 10kΩを推奨されます。 推奨値を使用すれば、 R2 の値は R1 によって決定されます ： R1 = 10.83 × (Vout － 0.932)(kΩ) 3. インダクタ インダクタは入力電源からスイッチで駆動されたときに定電流源として負荷を駆動します。 大きな値のインダクタ は少ないリップル電流を生成して結果として出力リップル電圧を小さくします。 しかし大きな値のインダクタはサイズ が大きく直列抵抗が高く飽和電流値も小さくなります。 使用するインダクタの値を決める良い方法は最大スイッチ 電流の 30％にピークツーピークのリップル電流がなるようにインダクタを設定することです。 最大インダクタ電流は ELM613DA の最大スイッチ電流より小さくなければなりません。 インダクタの値は次の式で計算できます : L = [(Vout / (fs ×ΔIL)] × (1 ‐ Vout / Vin) Vout は出力電圧、 Vin は入力電圧、 fs はスイッチ周波数、 ΔIL はインダクタのピークツーピークのリップル電流 インダクタのピーク電流時に磁気飽和しないインダクタを選択する必要があります。 インダクタのピーク電流は Ilp 以下の式で計算できます : Ilp ＝ Iload ＋ [Vout / ( ２×ｆｓ× L)] × (1 － Vour / Vin) ここで Iload は負荷電流で、 どのような形状のインダクタを選択するかは価格、 大きさ、 EMI 規格などを考慮して 決定します。 4. オプションのショットキーダイオード 電源側 MOS スイッチとグランド側 MOS スイッチの ON から OFF への過渡状態においてグランド側 MOS スイッ チの寄生ダイオードがインダクタ電流により導通します。 この寄生ダイオードの順方向電圧は高いので、 電力損失 が発生します。 追加のショットキーダイオードを SW 端子と GND 端子間に並列に接続することで、 このショットキー ダイオードの低い順方向電圧でインダクタ電流をバイパスし変換効率を向上することができます。 表 1 に使用できる ショットキーダイオードの例を挙げます ： 表1： 推奨ダイオード 品番 B130 SK13 MBRS130 電圧 , 電流 30V, 1A 30V, 1A 30V, 1A メーカ Diodes Inc. Diodes Inc. International Rectifier 5. 入力コンデンサ 降圧 DC/DC コンバータの入力電流は断続的に流れます。 DC 入力電圧を安定化するために、 AC 電流を供給す るコンデンサが DC/DC コンバータの入力端子に必要です。 性能を確保するためには低 ESR のコンデンサが必要 です。 セラミックコンデンサが推奨されます。 タンタルコンデンサまたは低 ESR の電解コンデンサも使用できます。 セラミックコンデンサを使用する場合は誘電体特性に注意が必要です。 温度特性、 電圧特性を確認してください。 X5R、 X7R などを推奨します。 入力コンデンサは入力スイッチ電流を吸収するので適切なリップル電流耐量が必要 です。 入力電流の RMS Icin 値は ： Icin ＝ Iload × [(Vout / Vin) × ( １－ Vout / Vin)] 1/2 最悪条件は Vin = 2Vout の場合で、 Icin = Iload/2 です。 単純に言うと最大負荷電流の半分の RMS リップル 電流が許容できるコンデンサを選択する必要があります。 入力コンデンサはアルミ電解コンデンサ、 タンタルコンデ 11 - 5 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ ンサ、 セラミックコンデンサが使用できます。 アルミ電解コンデンサとタンタルコンデンサを使う場合は、 高周波特 性の良い 0.1μF のセラミックコンデンサを IC に出来るだけ近くに並列接続してください。 セラミックコンデンサを使 う場合は、 入力端子のリップル電圧を抑えられるように十分な容量を確保してください。 低 ESR コンデンサにおけ る入力リップルの値ΔVin は以下の式で計算されます ： ΔVin = [ Iload / (Cin × fs) ] × (Vout / Vin) × (1- Vout / Vin) ここで Cin は入力コンデンサの容量値です。 6. 出力コンデンサ 出力コンデンサは DC 出力電圧を確保するために使われます。 セラミックコンデンサ、 タンタルコンデンサ、 低 ESR アルミ電解コンデンサが推奨されます。 低 ESR コンデンサは出力リップル電圧を低くすることができます。 出 力リップル電圧ΔVout は以下の式で表されます : ΔVout = [ Vout / (fs × L) ] × (1- Vout / Vin) × [ Resr + 1 / (8 × fs × Cout) ] ここで Cout は出力コンデンサの容量値、 Resr は出力コンデンサの等価直列抵抗値です。 セラミックコンデンサの場合は、 スイッチング周波数における高周波インピーダンスの容量値によりほぼ決まります。 すなわち出力電圧リップルは容量値で決まります。 出力電圧リップル値は以下の式になります ： ΔVout = [ Vout/8 × fs2 × L × Cout) ] × (1 – Vout / Vin) タンタルコンデンサ、 アルミ電解コンデンサの場合は ESR が主にスイッチング周波数付近におけるインピーダンス を決定します。 以下の式で表せます : ΔVout = [ Vout / (fs × L) ] × (1-Vout / Vin) × Resr 出力コンデンサの容量値は DCDC コンバータの安定性にも影響します。 ELM613DA は広範囲の容量値と ESR に対して安定動作するように設計されています。 7. 位相補償回路 ELM613DA は電流モード制御を採用し簡単な位相補償と高速な過渡応答を実現しています。 システムの安定性 と過渡応答特性は COMP 端子で制御されます。 COMP 端子は IC 内部のトランスコンダクタンス誤差アンプの出 力端子です。 抵抗とコンデンサの直列回路が位相補償のためのゼロと極を作ります。 電圧帰還ループの DC ゲイ ン Avdc は以下の式になります : Avdc = Rload × Gcs × Aea × Vfb / Vout Aea は誤差アンプの電圧利得、 Gcs は電流検出の相互コンダクタンス、 Rload は負荷抵抗値。 制御ループは重要な 2 つの極を持っています。 １つは補償容量 C1 と誤差アンプの出力抵抗によるもの、 もう一 つは出力コンデンサと出力抵抗で生成されるものです。 これらの極は ： fp1 = Gea / (2π× C1 × Aea), fp2 = 1 / (2π× Cout × Rload) ここで Gae は誤差アンプの相互コンダクタンスです。 また制御系は位相補償コンデンサと位相補償抵抗が生成する、 １つのゼロを持ちます。 ゼロは : fz1 = 1/ (2π× C1 × R3) さらにもう一つのゼロがあります。 出力コンデンサが大容量でかつ高い ESR 値を持つ場合出力容量値と ESR が 生成するゼロが無視できません : fesr = 1/ (2π× Cout × Resr) この場合 3 つ目のゼロ、 ESR ゼロを補償するために補償容量 C4 と抵抗 R3 により極を生成します。 この極は : fp3 = 1/ (2π× C4 × R3) 位相補償の目的は DCDC コンバータの伝達関数を安定に必要な形にすることです。 11 - 6 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ 帰還ループのユニティゲイン周波数はクロスオーバー周波数として重要です。 低いクロスオーバー周波数はライン レギュレーションとロードレギュレーションの反応を遅くしますが、 高いクロスオーバー周波数は制御系の不安定を招 きます。 一つの目安はクロスオーバー周波数をスイッチング周波数の１/ １０に設定することです。 位相補償の最適化は次の手順で行います ： １) 補償抵抗 R3 を必要なクロスオーバー周波数に応じてきめます。 R3 は以下の式で計算します : R3 = [(2π× Cout × fc)/(Gea × Gcs) × (Vout/Vfb)]<[(2π× Cout × 0.1 × fs)/(Ga × Gcs)] × (Vout/Vfb) Fc は要求されるクロスオーバー周波数です。 通常スイッチ周波数の１/10 にします。 ２) 補償容量 C1 を必要な位相余裕を得られるように決めます。 通常のインダクタの値の場合は、 補償ゼロを作る ために、 fz1 は十分な位相余裕を取るためにクロスオーバー周波数の１/10 に設定します。 C1 の値は以下の式で 求めます : C1 > 4 / (2π× R3 × fc) R3 は補償抵抗です。 ３) 必要な場合は 2 番目の補償容量 C4 を決めます。 出力コンデンサによる ESR ゼロがスイッチ周波数の半分の 周波数に有る場合、 あるいは以下の条件をみたす場合に : 1/(2π× Cout × Resr) < fs/2 その場合は 2 番目の補償容量 C4 を以下の式から求めます : C4 = (Cout × Resr) / R3 8. 外部ブーツストラップダイオード 外部ブーツストラップダイオードの追加は DCDC コンバータの効率を改善します : Vout = 5V または 3.3V でかつデューティ比が高い (D = Vout/Vin > 65%) の条件では外部ブーツストラップダイ オードを追加すると良い結果が得られます。 External BS diode IN4148 ◄ BS Cbs 0.1～1μF ELM613DA SW L 5V or 3.3V Cout 図１ ： DCDC コンバータの出力端子から BS ピンに接続します。 推奨ダイオードは 100V、 1A クラスのシリコンダイオード (例1N4148) です。 BS コンデンサは 0.1μF から 1μF です。 Vin が 6V より小さいときに効率を上げるために外部にショットキーダイオードを追加することができます。 Vin 端子 と BS 端子の間に接続します。 Schottky (B0520LW) 5V ～ 6V ▲ BS VIN ELM613DA SW Vout GND 図 2 ： Vin ≦ 6V の効率化を促進するショットキダイオードを追加します。 11 - 7 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ 9. PCB レイアウト時の注意点 安定動作をさせるためには PCB レイアウトは重要です。 以下のガイドラインを参考にしてください。 １) スイッチ電流の流れる経路はできるだけ短く、 入力コンデンサ、 電源ピングランドピン、 SW ピンを接続する配線 ループの面積は最小にしてください。 ２) セラミックのバイパスコンデンサは Vin ピンのできるだけ近くに配置してください。 ３) すべての帰還ループの配線は最短で直結してください。 帰還抵抗と位相補償の素子は IC チップのできるだけ近 くに配置してください。 ４) SW 端子の配線はノイズを拾いやすい FB 端子などへのアナログ配線から離してください。 ５) VIN 端子、 SW 端子、 そして特に GND 端子はできるだけ広い銅パターンに接続するようにしてください。 これにより動作時のチップの温度を下げ長期的な信頼性を向上できます。 表 2 ： ELM613DA 部品設定値 Vout=5.0V L 10μH R1 15K R2 6.8K R3 16K Cout 22μF C1 3.3nF 15K Vout=3.3V 10μH 12K 100 4.7K 15K 22μF 3.3nF Vout=2.5V 10μH 9.1K 470 5.6K 13K 22μF 3.3nF Vout=1.8V 10μH 6.8K 1K 8.2K 6.8K 22μF 3.3nF Vout=1.2V 4.7μH 1.5K 1.5K 10K 5.1K 22μF 3.3nF Vout=1.0V 3.3μH 1K 1K 24K 4.7K 22μF 3.3nF ■マーキング SOP-8 �������� ����������� ��������� マーク LV1482SN 内容 製品 ID a～ｋ 組み立てロット番号 ： 0 ～ 9 と A ～ Z 繰り返し 11 - 8 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ ■標準特性曲線 • Vout=1.8V : Cin=10μF, Cout=22μF, L=10μH, R1=9.5k, R2=10k, R3=15k • V=1.8V C1=3.3nF, C2=0.1μF, C3=10nF, Top=25°C EFFICIENCY-Iout 100 2 80 EFFICIENCY (%) Vout (V) Vout-Vin 2.5 1.5 Iout=10mA 1 Iout=1000mA Iout=100mA 0.5 0 5 10 15 20 Vin (V) 60 Vin=12V 40 20 0 0.1 25 Vin=5V 1 10 100 Iout (mA) Vout-Iout 1000 10000 Vfb-Top 2.5 Vin=12V, Iout=100mA) 0.95 2.4 2.3 0.94 2.1 Vfb (V) Vout (V) 2.2 Vin=12V 2.0 1.9 0.93 0.92 1.8 1.7 1.6 1 10 100 Iout (mA) 1000 0.9 -40 10000 Start Response 0 20 Top (°C) 40 60 80 Load Transient Response Vin=12V, Iout=1mA~1A Vout (V) Vin=12V, No load 1 2.5 2.0 1.5 0 1.0 2 1 0 0.5 Ven (V) Vout (V) 2 -20 0 Time (4ms/div) Iout (A) 1.5 0.1 0.91 Vin=5V Time (100µs/div) 11 - 9 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ • Vout=3.3V : Cin=10μF, Cout=22μF, L=10μH, R1=12k, R2=4.7k, R3=15k C1=3.3nF, C2=0.1μF, C3=10nF, Top=25°C • V=3.3V EFFICIENCY-Iout Vout-Vin 100 4.0 3.5 2.5 Iout=1000mA EFFICIENCY (%) Vout (V) 3.0 Iout=10mA 2.0 1.5 1.0 Iout=100mA 5 1 60 Vin=12V 40 20 0.5 0 Vin=5V 80 15 2 Vin (V) 0 0.1 25 1 10 100 Iout (mA) 1000 10000 Vfb-Top Vout-Iout Vin=12V, Iout=100mA 0.95 3.50 3.45 3.40 3.30 Vfb (V) Vout (V) 0.94 Vin=12V 3.35 3.25 3.20 3.15 Vin=5V 0.93 0.92 0.91 3.10 3.05 3.00 0.1 1 10 100 Iout (mA) 1000 0.9 -40 10000 Start Response 0 20 Top (°C) 40 60 80 Load Transient Response Vin=12V, Iout=1mA~1A Vout (V) Vin=12V, No load 3 2 3.5 3.0 0 1.0 2 1 0 0.5 0 Time (4ms/div) Iout (A) 1 Ven (V) Vout (V) 4 -20 Time (100µs/div) 11 - 10 Rev.1.3 ELM613DA ２A ２0V 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ • Vout=5.0V : Cin=10μF, Cout=22μF, L=10μH, R1=30k, R2=6.8K, R3=15k C1=3.3nF, C2=0.1μF, C3=10nF, Top=25°C • V=5.0V EFFICIENCY-Iout 100 80 EFFICIENCY (%) Vout (V) Vout-Vin 6.0 5.5 5.0 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 Iout=10mA Iout=100mA Iout=1000mA 5 0 10 15 Vin (V) 60 40 20 0 0.1 20 Vin=12V 1 10 100 Iout (mA) Vout-Iout 1000 10000 Vfb-Top 5.5 Vin=12V, Iout=100mA 0.95 5.4 5.3 0.94 Vin=12V 5.1 Vfb (V) Vout (V) 5.2 5.0 4.9 0.93 0.92 4.8 4.7 0.91 4.6 1 10 100 Iout (mA) 1000 0.90 -40 10000 Start Response 0 20 40 Top (°C) 60 80 Load Transient Response Vin=12V, No load Vout (V) 6.0 6 4 2 Vin=12V, Iout=1mA~1A 5.5 5.0 4.5 0 1.0 2 1 0 0.5 Ven (V) Vout (V) -20 0 Time (4ms/div) Iout (A) 4.5 0.1 Time (100µs/div) 11 - 11 Rev.1.3