R5K3

誘導雷サージ保護用表面実装部品
R5K3 SERIES
SPD
（Surge Protective Device）
特 長
●3極小型面実装タイプでリフローはんだに対応
●インパルス電流耐量 8/20μs-5,000A
●急峻なサージに対し、応答速度が速い
●絶縁抵抗が高く静電容量が小さい 1.0pF max.
●ITU-T準拠品
用 途
●各種ホームゲートウェイ
●移動体無線の基地局
●光伝送システム機器
●CATV機器、CS・BS機器
●火災報知器、
ホームセキュリティ
● 外形寸法
Impulse waveform 1.2/50μs-20,000V
670V
R5K3-231Q65U 吸収波形
(印加箇所L1-L2)
(0.4)
1.0μs/div
10,000V/div
4.7
5±0.3
6.6±0.3
500V/div
10,000V/div
●インパルス吸収特性
(0.8)
(0.4)
5±0.3
1.2/50μs, 20,000V インパルス原波形
500V/div
単位：mm
1,320V R36-231-BPL 吸収波形
(印加箇所L1-L2)
1.0μs/div
電気的特性
型 名 ※1
直流放電開始電圧
（V）
R5K3-750□65U
R5K3-900□65U
R5K3-151□65U
R5K3-231□65U
R5K3-251□65U
R5K3-351□65U
R5K3-421□65U
R5K3-501□65U
R5K3-601□65U
75
90
150
230
250
350
420
500
600
絶縁抵抗
（MΩ）min.
静電容量
1MHz
（pF）max.
インパルス電流寿命
インパルス電流耐量
※2
インパルス耐電圧
※2
1.0
8/20μs, 100A
300回
8/20μs, 5000A
正/負 各5回
10/700μs
15,000V
(R=40Ω)
正/負 各5回
1,000
（DC50V）
1,000
（DC100V）
※1 □：直流放電開始電圧許容差±20％＝P、
直流放電開始電圧許容差±30％＝Q
※2 ITU-T K.20、
K.21 Enhanced test対応
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R5K3 SERIES
誘導雷サージ保護用表面実装部品
SPD
（Surge Protective Device）
●推奨ランドパターン
（代表値）
●型名構成
2 3 1
シリーズ名
直流放電
開始電圧
231
6 5
U
1.4 1.45 2.4 1.45 1.4
包装形態
エンボステーピング
23X101=230V
U
直流放電開始
電圧の許容差
P ±20%
Q ±30%
5.4
R 5 K 3
形状
65
ランドパターン
6.6
（L）
×5.0
（W）
サージ電流耐性向上の為、
銅箔厚みは70μmを推奨します。
単位：mm
●エンボステーピング
t2
P0
t1
P2
D0
寸 法 (mm)
単位：mm
A
B
W
F
E
P1
P2
P0
D0
D1
t1
t2
5.6±0.3
7.3±0.3
16.0±0.4
7.5±0.2
1.75±0.2
8.0±0.2
2.0±0.2
4.0±0.2
φ 1.55±0.1
φ 1.5 min.
0.40±0.2
5.35±0.2
単位：mm
A
B
C
D
E
W
t
r
寸 法 (mm)
φ 380±3
φ 80±2
φ 13.0±0.5
φ 21±1
2±1
17.5±2.0
2.0±0.5
1.0±0.2
E
D1
B
W
F
A
P1
部品を装着した場合
●テーピングリール
（2,000個／リール）
C
B
E
D
r
t
A
W
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