UltraThin™ LED CxxxUT230-S0100 Cree 的 UltraThin LED 将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料和 Cree 专有的 G·SiC® 基板相结合，成就了具有卓越性价比的蓝光 LED。LED 芯片为垂直结构，尺寸小，对正向电压的要求较低。 Cree 的 UT™ 系列芯片经检验符合光学和电气规格要求，并且能 够耐受 1000V 静电放电电压。它们适用于包括按键背光之类需要超小型化和更薄外形尺寸的应用。 特点 应用 • 小芯片 – 230 x 230 x 85 μm • 正向电压低 –– 白光 LED –– –– 蓝光 LED • • 在 20 mA 时为 3.3 V（典型值） 移动电话按键 UT LED 性能 • 音频产品显示屏照明 –– • 移动设备按键 最小 8.0 mW (455–475 nm) 蓝 • 单焊线结构 • 2 级 ESD 额定值 CxxxUT230-S0100 芯片示意图 R3CC Rev. C 技术数据表： CP 俯视图 仰视图 G•SiC LED 芯片 230 x 230 μm 祼芯片横截面 碳化硅 (SiC) 基板 底面 150 x 150 μm 台面（结） 176 x 176 μm 金焊盘 105 μm 直径 氮化铟镓 (InGaN) 阳极 (+) 碳化硅 (SiC) 基板 h = 85 μm 背面 金属化 80 x 80 μm 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 阴极 (-) 1 最大额定值，TA = 25°C 注 1&3 CxxxUT230-S0100 30 mA 直流正向电流 100 mA 峰值正向电流（1kHz，1/10 周期） LED 结温 125°C 反向电压 5V -40°C 至 +100°C 工作温度范围 -40°C 至 +100°C 储存温度范围 静电放电阈值 (HBM) 注 1000 V 2 2级 防静电等级（依照 MIL-STD-883E）注 2 典型电气/光学特征，TA = 25°C，If = 20 mA 注 3 正向电压 (Vf, V) 部件号 反向电流 [I(Vr=5V), μA] 半高全宽 (FWHM) (λD, nm) 最小 典型 最大 最大 典型 C460UT230-S0100 2.7 3.3 3.7 1 21 C460UT230-S0100 2.7 3.3 3.7 1 22 CxxxUT230-S0100 机械规格 说明 尺寸 公差 P-N 结面积 (μm) 176 x 176 ± 25 顶面积 (μm) 230 x 230 ± 25 底面积 (基板) (μm) 150 x 150 ± 25 85 ± 10 金焊盘直径 (μm) 105 -5, +15 金焊盘厚度 (μm) 1.2 ± 0.5 80 x 80 ± 25 芯片厚度 (μm) 背接触金属面积 (μm) 注： 1. 2. 3. 4. 最大额定值取决于封装。上述额定值是用 T-1 3/4 封装测定的 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂)。其他封装的额定值可能不同。正向电流 (直流和峰值) 不受裸芯片的限制，但会受到封装上 LED 结温的影响。125°C 的结温限制是对 T-1 3/4 封装的限制；应当在特定封装中了解结温的特性， 以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。 根据人体模型，产品的抗静电放电 (ESD) 能力通过使用快速雪崩能量测试 (RAET) 模拟 ESD 进行测量。 RAET 程序是为了粗略估计所示的最小 ESD 额定值。2 级 ESD 等级基于依照 MIL-STD-883E 标准进行的抽样测试确定。 当组装后的产品在电流为 20 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时，所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高， 效率越低。提供的典型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内，仅供参考。所有测量均使用 T-1 3/4 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧 树脂) 的灯完成。光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。 注意：为了获得最优的输出效率，所用的环氧树脂量应当基于特定的应用确定。 版权所有 © 2004-2006 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。 Cree，Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标，UltraThin 和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。 2 CPR3CC Rev. C 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] CxxxUT230-S0100 标准分档 LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxUT230-S0100) 订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxUT230-00100) 交付。所有辐射通量值和主波长值都是在 If = 20 mA 条件下测 定的。 C460UT230-S0100 辐射通量 C460UT230-0105 8.0 mW 455 nm C460UT230-0106 457.5 nm C460UT230-0107 460 nm 主波长 – If = 20 mA C460UT230-0108 462.5 nm 465 nm 辐射通量 C470UT230-S0100 C470UT230-0105 8.0 mW 465 nm C470UT230-0106 467.5 nm C470UT230-0107 470 nm 主波长 – If = 20 mA C470UT230-0108 472.5 nm 版权所有 © 2004-2006 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。 Cree，Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标，UltraThin 和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。 3 CPR3CC Rev. C 475 nm 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 特征曲线 这些是 UltraThin 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档，实际的值将稍有不同。 版权所有 © 2004-2006 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。 Cree，Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标，UltraThin 和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。 4 CPR3CC Rev. C 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]