Cree® UltraThin™ LED 技术数据表 CxxxUT200-Sxxxx Cree 的 UltraThin LED 将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料和 Cree 专有的 G·SiC® 基板相结合，成就了具有卓越性价比的蓝光 LED。 LED 芯片为垂直结构，尺寸小，对正向电压的要求较低。 Cree 的 UT™ 系列芯片经检验符合光学和电气规格要求，并且能 够耐受 1000V 静电放电电压。它们适用于包括按键背光之类需要超小型化和更薄外形尺寸的应用。 特点 应用 • 小芯片 – 200 x 200 x 85 μm • 移动电话按键 • UT LED 性能 • 音频产品显示屏照明 –– • 移动设备按键 • 汽车应用 • 最小 5.5 mW (455–475 nm) 蓝 正向电压低 –– 在 5 mA 时为 2.9 V（典型值） • 单焊线结构 • 2 级 ESD 额定值 CxxxUT200-Sxxxx 芯片示意图 R3DE Rev. 技术数据表： CP 俯视图 仰视图 G•SiC LED 芯片 200 x 200 μm 台面 (结) 150 x 150 μm 祼芯片横截面 碳化硅 (SiC) 基板 底面 115 x 115 μm 氮化铟镓 (InGaN) 阳极 (+) 碳化硅 (SiC) 基板 h = 85 μm 金焊盘 90 μm 直径 背面 金属化 80 x 80 μm 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 阴极 (-) 1 最大额定值，TA = 25°C 注 1&3 CxxxUT200-Sxxxx 30 mA 直流正向电流 峰值正向电流 (1kHz，1/10 周期) 100 mA LED 结温 125°C 反向电压 5V -40°C 至 +100°C 工作温度范围 -40°C 至 +100°C 储存温度范围 静电放电阈值 (HBM) 注 1000 V 2 2级 防静电等级 (依照 MIL-STD-883E) 注 2 典型电气/光学特征，TA = 25°C，If = 5 mA 注 3 正向电压 (Vf, V) 部件号 反向电流 [I(Vr=5 V), μA] 半高全宽 (FWHM) (λD, nm) 最小 典型 最大 最大 典型 C460UT200-Sxxxx 2.7 2.9 3.1 2 21 C470UT200-Sxxxx 2.7 2.9 3.1 2 22 CxxxUT200-Sxxxx 机械规格 说明 尺寸 公差 P-N 结面积 (μm) 150 x 150 ± 25 顶面积 (μm) 200 x 200 ± 25 底面积 (基板) (μm) 115 x 115 ± 25 85 ± 10 金焊盘直径 (μm) 90 -5, +15 金焊盘厚度 (μm) 1.2 ± 0.5 80 x 80 ± 25 芯片厚度 (μm) 背接触金属面积 (μm) 注： 1. 2. 3. 4. 最大额定值取决于封装。上述额定值是用 T-1 3/4 封装测定的 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂)。其他封装的额定值可能不同。正向电流 (直流和峰 值) 不受裸芯片的限制，但会受到封装上 LED 结温的影响。125°C 的结温限制是对 T-1 3/4 封装的限制；应当在特定封装中了解结温的特性，以确 定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。 根据人体模型，产品的抗静电放电 (ESD) 能力通过使用快速雪崩能量测试 (RAET) 模拟 ESD 进行测量。 RAET 程序是为了粗略估计所示的最小 ESD 额定值。2 级 ESD 等级基于依照 MIL-STD-883E 标准进行的抽样测试确定。 当组装后的产品在电流为 5 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时，所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高， 效率越低。提供的典型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内，仅供参考。所有测量均使用 T-1 3/4 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧 树脂) 的灯完成。光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。 注意：为了获得最优的输出效率，所用的环氧树脂量应当基于特定的应用确定。 版权所有 © 2006 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree，Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标，UltraThin 和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。 2 CPR3DE Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] CxxxUT200-Sxxxx LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxUT200-Sxxxx) 订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxUT200-xxxx) 交付。所有辐射通量值和主波长值分别是在 If = 20 mA 和 If = 5 mA 条件下测定的。 UT-5.5 C460UT200-S0550 辐射通量 8.0 mW C460UT200-0201 5.5 mW 455 nm C460UT200-0202 457.5 nm C460UT200-0203 460 nm 主波长 C460UT200-0204 462.5 nm 465 nm C470UT200-S0550 辐射通量 8.0 mW C470UT200-0201 5.5 mW 465 nm C470UT200-0202 467.5 nm C470UT200-0203 470 nm 主波长 C470UT200-0204 472.5 nm 475 nm UT-8.0 辐射通量 C460UT200-S0800 C460UT200-0205 8.0 mW 455 nm C460UT200-0206 457.5 nm C460UT200-0207 460 nm 主波长 C460UT200-0208 462.5 nm 465 nm 辐射通量 C470UT200-S0800 C470UT200-0205 8.0 mW 465 nm C470UT200-0206 467.5 nm C470UT200-0207 470 nm 主波长 C470UT200-0208 472.5 nm 版权所有 © 2006 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree，Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标，UltraThin 和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。 3 CPR3DE Rev. - 475 nm 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 特征曲线 这些是 UT200 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档，实际的值将稍有不同。 版权所有 © 2006 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree，Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标，UltraThin 和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。 4 CPR3DE Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 辐射场型 这是 UltraThin 芯片 LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。 版权所有 © 2006 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree，Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标，UltraThin 和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。 5 CPR3DE Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]