UT2200-50

Cree® UltraThinII™ LED
技术数据表
CxxxUT2200-Sxxxxx
Cree 的 UltraThin LED 将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料和 Cree 专有的 G·SiC® 基板相结合,成就了具有卓越性价比的蓝光
LED。LED 芯片为垂直结构,尺寸小,对正向电压的要求较低。Cree 的 UT™ 系列芯片经检验符合光学和电气规格要求。它们适用
于包括按键背光之类需要超小型化和更薄外形尺寸的应用。
特点
应用
•
小芯片 – 200 x 200 x 50 μm
•
移动电话按键
•
UT LED 性能
•
音频产品显示屏照明
––
最小 2.5 mW (520-535 nm) 绿
•
移动设备按键
––
最小 5.5 mW (455–475 nm) 蓝
•
汽车应用
––
最小 8.0 mW (455–475 nm) 蓝
•
正向电压低
––
•
在 5 mA 时为 2.9 V(典型值)
单焊线结构
CxxxUT2200-Sxxxxx 芯片示意图
R3DP Rev. A
技术数据表: CP
俯视图
仰视图
G•SiC LED 芯片
200 x 200 μm
台面 (结)
150 x 150 μm
祼芯片横截面
碳化硅 (SiC) 基板
底面
150 x 150 μm2
氮化铟镓 (InGaN)
阳极 (+)
碳化硅 (SiC) 基板
h = 50 μm
金焊盘
90 μm 直径
背面
金属化
80 x 80 μm
信息若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
阴极 (-)
1
最大额定值,TA = 25°C 注 1&3
CxxxUT2200-Sxxxxx
30 mA
直流正向电流
峰值正向电流 (1kHz,1/10 周期)
100 mA
LED 结温
125°C
反向电压
5V
-40°C 至 +100°C
工作温度范围
-40°C 至 +100°C
储存温度范围
静电放电阈值 (HBM) 注
500 V
2
典型电气/光学特征,TA = 25°C,If = 5 mA 注 3
正向电压 (Vf, V)
部件号
反向电流
[I(Vr=5 V), μA]
半高全宽 (FWHM)
(λD, nm)
最小
典型
最大
最大
典型
C460UT2200-Sxxxxx
2.7
2.9
3.1
2
21
C470UT2200-Sxxxxx
2.7
2.9
3.1
2
22
C527UT2200-Sxxxxx
2.7
3.0
3.2
2
35
CxxxUT2200-Sxxxxx
机械规格
说明
尺寸
公差
P-N 结面积 (μm)
150 x 150
± 25
顶面积 (μm)
200 x 200
± 25
底面积 (基板) (μm)
150 x 150
± 25
50
± 10
金焊盘直径 (μm)
90
-5, +15
金焊盘厚度 (μm)
1.2
± 0.5
80 x 80
± 25
芯片厚度 (μm)
背接触金属面积 (μm)
注:
1.
2.
3.
4.
最大额定值取决于封装。上述额定值是用 T-1 3/4 封装测定的 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂)。其他封装的额定值可能不同。正向电流 (直流和
峰值) 不受裸芯片的限制,但会受到封装上 LED 结温的影响。125°C 的结温限制是对 T-1 3/4 封装的限制;应当在特定封装中了解结温的特性,
以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。
根据人体模型,产品的抗静电放电 (ESD) 能力通过使用快速雪崩能量测试 (RAET) 模拟 ESD 进行测量。RAET 程序是为了粗略估计所示的 ESD
额定值。
当组装后的产品在电流为 5 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时,所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高,
效率越低。提供的典型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内,仅供参考。所有测量均使用 T-1 3/4 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧
树脂) 的灯完成。光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。
注意:为了获得最优的输出效率,所用的环氧树脂量应当基于特定的应用确定。
版权所有 © 2007 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree,Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标,UltraThin 和 UT
是 Cree, Inc. 的商标。
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CxxxUT2200-Sxxxxx 标准分档
LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxUT2200-Sxxxxx)
订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxUT2200-xxxxx) 交付。所有辐射通量值在 IF = 20 mA 条件下测定;所有主波长值
在 IF = 5 mA 条件下测定。
UT2-5.5
C460UT2200-S05500
辐射通量
8.0 mW
C460UT2200-0201
5.5 mW
455 nm
C460UT2200-0202
457.5 nm
C460UT2200-0203
C460UT2200-0204
462.5 nm
460 nm
主波长
465 nm
C470UT2200-S05500
辐射通量
8.0 mW
C470UT2200-0201
5.5 mW
465 nm
C470UT2200-0202
467.5 nm
C470UT2200-0204
475 nm
472.5 nm
470 nm
主波长
UT2-8.0
辐射通量
C470UT2200-0203
C460UT2200-S08000
C460UT2200-0205
8.0 mW
455 nm
C460UT2200-0206
457.5 nm
C460UT2200-0207
C460UT2200-0208
462.5 nm
460 nm
主波长
465 nm
辐射通量
C470UT2200-S08000
C470UT2200-0205
8.0 mW
465 nm
C470UT2200-0206
467.5 nm
C470UT2200-0207
475 nm
472.5 nm
470 nm
主波长
UT2-2.5
C470UT2200-0208
辐射通量
C527UT2200-S02500
C527UT2200-0201
2.5 mW
520 nm
C527UT2200-0202
525 nm
C527UT2200-0203
530 nm
535 nm
主波长
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特征曲线
这些是 UT2200 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档,实际的值将稍有不同。
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辐射场型
这是 UltraThin 芯片 LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。
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