保守品 本製品は、生産中止予定製品です。現在ご使用いただいているお客様に のみ、最終ご発注期限を定めて提供しております。新規のご検討を避けて いただき、新製品または既存品でのご検討をお願いします。 ご不明な点がございましたら、弊社営業窓口までご問い合わせ下さい。 新日本無線株式会社 http://www.njr.co.jp/ NJM2800 リセット機能付 リセット機能付き 機能付き低飽和型レギュレータ 低飽和型レギュレータ ■ 概 要 NJM2800はバイポーラプロセスを使用し、高精度電圧検出 回路を内蔵した、リセット機能付き低飽和シリーズレギュレ ータです。 ロジック系動作電圧の電圧監視に最適で、レギュレータ出 力部のコンデンサも1µFのセラミックコンデンサを使用でき るため、セットの小型化にも貢献します。 ■ 外 形 NJM2800F NJM2800U/U1 ■ 特 徴 ● 高精度出力電圧 Vo=±1.0% ● 高精度検出電圧 VRT=±1.0% ●リセット出力遅延機能付(外付けコンデンサにて任意調整) ● 高リップル除去比 RR=60dB typ. (f=1kHz Vo=3V品) ● 入力電圧検出タイプ ● オープンコレクタ出力 ● サーマルシャットダウン回路内蔵 ● 過電流制限回路内蔵 ● バイポーラ構造 ● パッケージ SOT89-5 (NJM2800U/U1), SOT-23-5(NJU2800F) ■ 端子配列 5 4 1 2 3 5 1.VIN 2.GND 3.VOR 4.Cd 5.VOUT 1 NJU2800F 2 4 2 3 1.VOUT 2.GND 3.Cd 4.VOR 5.VIN NJU2800U/U1 ■ 出力電圧／検出電圧ランク 品 名 NJM2800U1-/U/F1803 NJM2800U1-/F2528 NJM2800U1-/U/F3342 出力電圧 1.8V 2.5V 3.3V 検出電圧 3.0V 2.8V 4.2V ■ 等価回路図 VOUT VIN Thermal Protection VOR Bandgap Reference GND Cd NJM2800 (Ta=25℃) ■ 絶対最大定格 項 目 記 号 VIN 入力電圧 消費電力 PD 動作温度 保存温度 Topr Tstg (*1)：基板実装時 (*2)：単体時 定 格 単 +14 位 V 350(*1) SOT-23-5 200(*2) SOT89-5 350(*2) −40∼+85 −40∼+125 mW ℃ ℃ 114.3 x 76.2 x 1.6mm(2層)でEIA/JEDEC規格準拠による。 ■ 入力電圧範囲 VIN=+2.3 ∼ +14V(出力電圧Vo：2.1V未満の製品) ■ 電気的特性 (VIN=Vo+1V, CIN=0.1µF, Co=1µF (1.8<Vo≦2.6V: Co=2.2µF, Vo≦1.8V: Co=4.7µF) ,Ta=25℃) 項 目 記 号 条 件 最 小 標 準 最 大 単 位 − 250 350 µA IQ VIN=Vo+2V, Io=0mA 出力電圧 Vo Io=30mA −1.0% − +1.0% V 出力電流 Io Vo−0.3V 150 200 無負荷時消費電流 レギュレータ部 − mA ラインレギュレーション ⊿Vo/⊿VIN VIN=Vo+1V∼Vo+6V, Io=30mA − − 0.10 %/V ロードレギュレーション ⊿Vo/⊿Io Io=0∼100mA − − 0.03 %/mA Io=60mA − 0.10 0.18 V ein=200mVrms, f=1kHz, Io=10mA Vo=3V品 − 60 − dB Ta=0∼85℃, Io=10mA − ±50 − ppm/℃ − 45 − µVrms V 入出力間電位差(*3) リップル除去比 出力電圧温度係数 ⊿VI−O RR ⊿Vo/⊿T VNO f=10Hz∼100kHz, Io=10mA, Vo=3V品 VRT VIN=H→L −1.0% − +1.0% ヒステリシス電圧 VRTH VIN=H→L→H VRT×3% VRT×5% VRT×8% V Ｌレベル出力電圧 RORL VIN=VRT−0.5V, RL=100kΩ − 100 300 mV 出力リーク電流 IORH VIN= VRT＋0.5V − − 0.1 µA ＯＮ時出力電流 IORL VIN=VRT−0.5V, RL=0Ω 5 − − mA 9 10 11 mS − 0.9 − V 出力雑音電圧 リセット部 検出電圧 リセット出力遅延時間 ｔｄ VIN=(VRT−0.5V)→(VRT+0.5V), Cd=0.1µF 動作限界電圧 VOPL VORL=0.4V (*3): 出力電圧Vo: 2.1V未満の製品は除く 各出力電圧共通表記としているため、個別仕様書とは異なることがあります。 別途仕様書にて確認の程、お願いいたします。 NJM2800 ■ タイミングチャート VIN [V] VRTH VRT VO t VO [V] VO t VOR [V] td td td t ※VORは抵抗を介してVINにプルアップした場合。 NJM2800 ■ 測定回路図 IQ VIN VO IOR NJM2800 RL 0.1µF Cd VIN VOR 1.0µF*4 IOUT (Ceramic) GND V 0.1µF V VOR *4 1.8V<Vo≤2.6V: Co=2.2µF (Ceramic) Vo≤1.8V: Co=4.7µF (Ceramic) ■ 応用回路例 VIN VIN VOUT VO NJM2800 100kΩ 0.1µF 1.0µF*5 Cd VOR GND 0.1µF *5 1.8V<Vo≤2.6V: Co=2.2µF Vo≤1.8V: Co=4.7µF VOR VOUT NJM2800 消費電力-周囲温度特性例 NJM2800F 消費電力特性例 (Topr=-40～+85℃,Tj=125℃) 500 消費電力 PD(mW) 400 FR-4基板(114.3×76.2×1.6mm)実装時 300 単体 200 100 0 -50 -25 0 25 周囲温度 Ta(℃) 50 75 100 NJM2800 ■ 特性例 NJM2800_3.3V Output Voltage vs. Input Voltage 3.5 NJM2800_3.3V Output Voltage vs. Output Current 4 o @:Ta=25 C Co=1µF(Ceramic) Cd=0.1µF 3.5 3.4 Output Voltage :Vo [V] Output Voltage : Vo (V) 3 Io=0A 3.3 3.2 Io=30mA 2.5 2 1.5 1 3.1 o Io=100mA 3 3 3.1 3.2 3.3 @:Ta=25 C V IN=4.3V Co=1.0µF(Ceramic) 0.5 3.4 3.5 3.6 0 3.7 0 50 100 NJM2800_3.3V Ground Pin Current v.s. Output Current 20 200 250 300 NJM2800_3.3V Dropout Voltage vs. Output Current 0.3 o @:Ta=25 C Co=1µF(Ceramic) Cd=0.1µF o @:Ta=25 C VIN=4.3V Co=1.0µF(Ceramic) Cd=0.1µF 0.25 15 Dropout Voltage:dVI-O (V) Ground Pin Current : IGND (mA) 150 Output Current :Io [mA] Input Voltage : V IN(V) 10 5 0.2 0.15 0.1 0.05 0 0 0 50 100 150 0 200 50 Output Current : I O(mA) NJM2800_3.3V Load Regulation vs. Output Current 0 100 150 200 Output Current:Io(mA) 300 NJM2800_3.3V Peak Output Current vs. Input Voltage o @:Ta=25 C V IN=4.3V Co=1µF(Ceramic) Cd=0.1µF 250 Peak Output Current : IoMAX(mA) Load Regulation : dVo/dIo(mV) -10 -20 -30 -40 -50 200 150 100 50 o @:Ta=25 C Co=1µF(Ceramic) Cp=0.01µF 0 0 50 100 Output Current : Io(mA) 150 200 6 8 10 Input Voltage : VIN(V) 12 14 NJM2800 ■ 特性例 NJM2800_3.3V Quiescent Current v.s. Input Voltage1 NJM2800_3.3V Output Noise Voltage vs. Output Current 100 2000 o @:Ta=25 C VIN=4.3V Cd=0.1µF LPF:100kHz o Output Noise Voltage : Vn(µ Vrms) @:Ta=25 C Output is open. Co=1.0µF(Ceramic) Quiescent Current : IQ (µ A) 1500 1000 500 5 10 Co=1.0µF(Ceramic) 60 40 Co=2.2µF(Ceramic) 20 0 0.001 0 0 80 15 0.01 Input Voltage : VIN(V) 90 90 Ripple Rejection Ratio : RR (dB) Ripple Rejection Ratio : RR (dB) 100 100 80 Io=0mA 70 60 Io=30mA 50 o 40 @:Ta=25 C V IN=4.3V ein=200mVrms Co=1µF(Ceramic) Cd=0.1µF 30 20 10 10k 100k Frequency : f (Hz) 100 Equivalent Serise Resistance : ESR(Ω ) o @:Ta=25 C V IN=4.3V Co=1.0µF(Ceramic) 10 STABLE REGION 0.1 0.02 1µ 10µ 100µ 1m Output Current : Io(mA) 100 70 f=1kHz 60 f=10kHz 50 40 o @:Ta=25 C Co=1.0µF(Ceramic) Cd=0.1µF V IN=4.3V ein=200mVrms 20 0.001 0.01 0.1 1 Output Current : Io (mA) NJM2800_3.3V Equivalent Serise Resistance vs. Output Current 1 10 80 30 1k 100 1 NJM2800_3.3V Ripple Rejection Ratio v.s. Output Current NJM2800_3.3V Ripple Rejection Ratio v.s. Frequency Io=10mA 0.1 Output Current : Io(mA) 10m 100m 10 100 NJM2800 ■ 特性例 NJM2800_3.3V Dropout Voltage v.s. Temperature 0.3 NJM2800_3.3V Output Voltage vs. Temperature 3.4 VIN=4.3V Io=30mA Co=1µF @:VIN=4.3V Io=60mA Co=1µF(Ceramic) 0.25 Output Voltage :Vo [V] Dropout Voltage:dVI-O (V) 3.35 0.2 0.15 0.1 3.3 3.25 0.05 3.2 0 -50 0 50 100 -50 150 0 50 100 Temperature : Ta[ C] Temperature : Ta ( C) NJM2800_3.3V Quiescent Current v.s. Temperature NJM2800_3.3V Line Regulation v.s. Temperature 300 0.1 @:dVIN=4.3-9.3V Io=30mA Co=1.0µF(Ceramic) 200 150 100 @:VIN=5.3V Output is open. Co=1µF(Ceramic) 50 Line Regulation : dVo/dIo (%/V) Quiescent Current : IQ (µ A) 250 0.05 0 -0.05 0 -50 0 50 100 -0.1 -50 150 0 o 100 150 Temperature : Ta ( C) NJM2800_3.3V Short Circuit Current v.s. Temperature NJM2800_3.3V Load Regulation v.s. Temperature 100 0.03 @:VIN=4.3V Output is short to ground. Co=1µF(Ceramic) @:VIN=4.3V Io=0-100mA Co=1.0µF(Ceramic) 0.025 50 o Temperature : Ta ( C) 80 Short Circuit Current : ISC (mA) Load Regulation : dVo/dIo (%/mA) 150 o o 0.02 0.015 0.01 0.005 0 60 40 20 0 -50 0 50 100 o Temperature : Ta ( C) 150 -50 0 50 100 o Temperature : Ta ( C) 150 NJM2800 ■ 特性例 NJM2800_3.3V/4.2V Output Leak Current v.s Temperature Output Leak Current : IORH (µ µ A) 0.1 100 NJM2800_3.3V/4.2V ON Output Current v.s Temperature VIN=4.7V Co=1µF Cd=0.1µF RL=100kΩ VIN=3.7V Co=1µF Cd=0.1µF RL=0Ω ON Output Current : IORL(mA) 0.075 0.05 0.025 0 75 50 25 0 -50 0 50 100 150 -50 0 o 50 100 Temperature : Ta( C) NJM2800_3.3V/4.2V Reset Output Delay Time v.s Temperature NJM2800_3.3V/4.2V Operation Voltage Limit v.s Temperature 1.5 20 VORL =0.4V Co=1µF Cd=0.1µF Operation Voltage Limit : VOPL (V) Reset Output Delay Time : td(ms) VIN=3.7V->4.7V Co=1µF Cd=0.1µF 15 10 5 1 0.5 0 0 -50 0 50 100 150 -50 0 o 100 150 Temperature:Ta( C) NJM2800_3.3V/4.2V Voltage Deteston v.s Temperature NJM2800_3.3V/4.2V Low Level Output Voltage v.s Temperature 50 50 o Temperature : Ta( C) 4.4 VIN=3.7V Co=1µF Cd=0.1µF RL=100kΩ VIN=H->L Co=1µF Cd=0.1µF 37.5 4.3 Voltage Detection : VRT(V) Low Level Output Voltage : VORL(mV) 150 o Temperature : Ta( C) 25 12.5 4.2 4.1 4 0 -50 0 50 100 o Temperature : Ta( C) 150 -50 0 50 100 o Temperature : Ta( C) 150 NJM2800 ■ 特性例 400 NJM2800_3.3V/4.2V Hysteresis Voltage v.s Temperature Hysteresis Voltage : VRT(mV) VIN=H->L->H Co=1µF Cd=0.1µF 300 200 100 0 -50 0 50 100 o Temperature : Ta( C) 150 NJM2800 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。