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ロット記号
（例）
Date code
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品名略号
Type No.
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３.45
50F10SN
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15.０
管理番号
（例）
Control No.
2.54
2.54
①②③
G
（①）
S
（③）
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伝達特性
１００
１００
Drain Current ID〔A〕
８０
VGS=１０V
８V
６V
５V
４０
２０
TC=２５℃
TYP
Pulse measurement
０.２
０.４
０.６
０.８
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度
５０
１０
VGS＝10V
TYP
１
−５５
０
１００
５０
過渡熱抵抗
３
４
５
６
７
８
Pulse measurement
３.５
３
２.５
２
１.５
１
−５５
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
０
１００
５０
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
１５０
1
０.１
０.0１
１０-1
１０0
１０1
１０2
ID=５０A
TYP
VDS
VＧS
VDD=８０Ｖ
４０Ｖ
２０
１６
１２
４０
８
２０
４
５０
１００
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
１００
０
０
１０
１００
Drain Current ID〔A〕
安全動作領域
Safe Operating Area
５００
１０
10μs
RDS（ON）Limited
（at VGS=10V）
１
100μs
Power Dissipation
Limited
1ms
10ms
０．
１
DC
Tc＝２５℃
Single Pulse
０．
０１
０．
１
１
１０
１００
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
１００
Ｃoｓ
ｓ
２０
４０
４０
２０
Ｃrｓ
ｓ
Tc＝２５℃
f＝１MHz
TYP
６０
６０
８０
Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕
１００
０
０
２５
５０
７５
１００
１２５
Case Temperature Tc〔 ℃〕
１５０
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
Gate Charge Characteristics
６０
１
１
８０
１００
０
１０3
ゲートチャージ特性
８０
VGS＝10V
Tc＝２５℃
TYP
Power Derating - Case Temperature
１０００
Time t〔s〕
1０
Ｃｉ
ｓ
ｓ
θja
θjc
１０-2
Pulse measurement
全損失減少率 −ケース温度
１００００
１０
５０
２００
１５０
１００
５０
４
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Transient Thermal Impedance θja, θjc〔℃/W〕
２
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
Capacitance Characteristics
Alumina Substrate 37.5×37.5×3mm
０.０0１ -５
１０ １０-４ １０-3
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
１
キャパシタンス特性
Transient Thermal Impedance
１００
Ｔｃ=１５０℃
Ｔｃ=１００℃
Ｔｃ=２５℃
Ｔｃ= −５５℃
２０
４.５
１５０
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
４０
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
Pulse measurement
ID=２５A
６０
ゲートしきい値電圧 −ケース温度
Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕
Static Drain-Source On-state Resistance RDS（ON）〔mΩ〕
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
VDS=１０V
TYP
０
０
１
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Pulse measurement
Power Derating〔%〕
０
０
１５０
Total Gate Charge Qg〔nC〕
０
２００
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
１００
Single Avalanche Energy Derating〔 %〕
Drain Current ID〔A〕
８０
６０
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Transfer Characteristics
Drain Current ID〔A〕
Typical Output Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance RDS（ON）〔mΩ〕
出力特性
８０
６０
４０
２０
０
０
５０
１００
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
１５０
XXX
T
IJ
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ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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【Special applications】
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